Продукція > DMT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMT4011LFG-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 2704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT4011LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 3841 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4011LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT4011LFG-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4011LFG-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 2704 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT4011LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT4011LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V | на замовлення 348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4011LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 10.8A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4011LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): +20V, -16V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 9776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT4011LFG-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT4011LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 30 A, 9200 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 15.6W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9200µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT4011LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 30A POWERDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 15.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 767 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT4011LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V 10.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.31W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 829 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4011LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8 T&R 2.5K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4014LDV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT4014LDV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K | на замовлення 1335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4014LDV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 40V 8.5A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 26.5A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.2nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT4015LDV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.8A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 21.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4015LDV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.8A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.1W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Ta), 21.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 808pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT40M9LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT43M8LFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enhance Mode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT43M8LFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 40V N-Ch Enhance Mode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT47M2LDV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT47M2LDV-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT47M2LDV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8 T&R 2K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT47M2LDV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT47M2LDVQ | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT47M2LDVQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 11.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT47M2LDVQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT47M2LDVQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI3333-8 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT47M2LDVQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT47M2LDVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT47M2LDVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V 40V PowerDI3333-8 T&R 2K | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT47M2LDVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 40V 11.9A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.34W (Ta), 14.8W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta), 30.2A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.8mOhm @ 20A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT47M2LDVQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 40V 11.9A Automotive AEC-Q101 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT47M2SFVW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT47M2SFVW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT47M2SFVW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V | на замовлення 112000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT47M2SFVW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | на замовлення 3505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT47M2SFVW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V | на замовлення 112000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT47M2SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT47M2SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT47M2SFVWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT47M2SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT47M2SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 31V~40V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K | на замовлення 21502 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT47M2SFVWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.4A (Ta), 49.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.67W (Ta), 27.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 897 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4D47K | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 4700PF 10% 400VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4D68K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors .0068UF 400V 10% | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4P1K | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4P1K-F | Cornell Dubilier Knowles | Description: CAP FILM 0.1UF 10% 400VDC RADIAL Size / Dimension: 0.882" L x 0.472" W (22.40mm x 12.00mm) Capacitance: 0.1 µF Part Status: Active Height - Seated (Max): 0.763" (19.37mm) Voltage Rating - DC: 400V Voltage Rating - AC: 200V Termination: PC Pins Lead Spacing: 0.732" (18.60mm) Applications: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Mounting Type: Through Hole Package / Case: Radial Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Dielectric Material: Polyester, Metallized | на замовлення 1447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT4P1K-F | Knowles / Cornell Dubilier (CDE) | Film Capacitors 0.1uF 400V 10% | на замовлення 2894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4P1K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 0.1uF 400V 10% | на замовлення 3030 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4P1K-F | Knowles / Illinois Capacitor | Film Capacitors 0.1uF 400V 10% | на замовлення 2894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4P22K | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4P22K-F | Knowles / Cornell Dubilier (CDE) | Film Capacitors 0.22uF 400V 10% | на замовлення 141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4P22K-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 0.22UF 10% 400VDC RAD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4P22K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 0.22uF 400V 10% | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4P22K-F | Knowles / Illinois Capacitor | Film Capacitors 0.22uF 400V 10% | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4S1K-F | Cornell Dubilier - CDE | Film Capacitors 0.01uF 400V 10% | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT4S1K-F | Cornell Dubilier Electronics (CDE) | Description: CAP FILM 10000PF 10% 400VDC RAD Size / Dimension: 0.567" L x 0.331" W (14.40mm x 8.40mm) Capacitance: 10000 pF Part Status: Active Mounting Type: Through Hole Package / Case: Radial Tolerance: ±10% Packaging: Bulk Height - Seated (Max): 0.551" (14.00mm) Voltage Rating - DC: 400V Voltage Rating - AC: 200V Dielectric Material: Polyester, Metallized Termination: PC Pins Lead Spacing: 0.402" (10.20mm) Applications: General Purpose Operating Temperature: -55°C ~ 125°C | на замовлення 27979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT5012LFVW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT5012LFVW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT5012LFVW-7 | Diodes Incorporated | Glenair CIRC MGHTY MSE (80/60) - CIRCULAR MIGHTY MOUSE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT5012LFVW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI333 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT5015LFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 50V N-Ch Enh FET 15mOhm 10Vgs 9.1A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT5015LFDF-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 820mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902.7 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT5015LFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 50V 9.1A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 820mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902.7 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT5015LFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 50V N-Ch Enh FET 15mOhm 10Vgs 9.1A | на замовлення 64141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6002LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V | на замовлення 111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6002LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.3W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT6002LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT6002LPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 400A; 2.3W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 130.8nC On-state resistance: 3mΩ Power dissipation: 2.3W Drain current: 100A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6002LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6002LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6002LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.3W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT6004LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 4660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT6004LPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 16A; Idm: 400A; 2.5W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 78.3nC On-state resistance: 4.5mΩ Power dissipation: 2.5W Drain current: 16A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6004LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 2500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 2.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm | на замовлення 4544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT6004LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 30 V | на замовлення 13522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT6004LPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W | на замовлення 53858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6004LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 22A PWRDI5060 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 105W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4515 pF @ 30 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT6004SCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 113W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.65mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 139737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT6004SCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6004SCT | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6004SCT | DIODES INCORPORATED | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 180A; 113W; TO220AB Case: TO220AB Kind of package: tube Mounting: THT Polarisation: unipolar Gate charge: 95.4nC On-state resistance: 3.1mΩ Power dissipation: 113W Drain current: 100A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 180A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6004SPS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V | на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6004SPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 18A; Idm: 400A; 2.6W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 95.4nC On-state resistance: 3.1mΩ Power dissipation: 2.6W Drain current: 18A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6004SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 23A PWRDI5060-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT6004SPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 23A PWRDI5060-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6005LCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6005LCT | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6005LCT | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6005LCT | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT6005LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6005LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 30 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT6005LFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 48.7nC On-state resistance: 7mΩ Power dissipation: 1.98W Drain current: 14A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6005LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 30 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT6005LFG-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14A; Idm: 400A; 1.98W Case: PowerDI3333-8 Kind of package: 7 inch reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 48.7nC On-state resistance: 7mΩ Power dissipation: 1.98W Drain current: 14A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 400A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6005LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6005LPS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 14.7A; Idm: 500A; 2.6W Case: PowerDI5060-8 Kind of package: 13 inch reel; tape Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 47.1nC On-state resistance: 6.5mΩ Power dissipation: 2.6W Drain current: 14.7A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 500A Drain-source voltage: 60V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMT6005LPS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMT6005LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 125 A, 3500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3500µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMT6005LPS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.9A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI5060-8 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|