Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTH130N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH13N110IXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH13N110IXYSMOSFET 13 Amps 1100V 0.92 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH13N80IXYSMOSFETs 13 Amps 800V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH13N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140N075L2IXYSMOSFETs TO247 N-CH 75V 140A
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1762.21 грн
10+1421.07 грн
120+1183.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+775.54 грн
30+542.18 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
Reverse recovery time: 53ns
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+673.85 грн
3+573.37 грн
10+480.30 грн
30+464.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+664.80 грн
30+401.48 грн
120+347.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TIXYSMOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+766.74 грн
10+712.12 грн
30+412.13 грн
120+382.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+772.10 грн
30+539.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P05TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10TIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH140P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 140 A, 0.01 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 568W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1296.69 грн
5+1204.88 грн
10+1113.06 грн
50+947.55 грн
100+795.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -140A; 568W; 130ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 568W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -140A
Reverse recovery time: 130ns
Gate charge: 400nC
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1217.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 140A TO247
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1474.83 грн
10+1305.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH140P10TIXYSMOSFETs TrenchP Channel Power MOSFETs
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1417.50 грн
10+1011.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH14N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 820mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH14N100IXYSMOSFETs 14 Amps 1000V 0.82 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH14N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH14N80IXYSMOSFETs 14 Amps 800V 0.7 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH150N15X4Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+814.69 грн
30+635.39 грн
120+598.02 грн
510+508.60 грн
1020+466.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH150N15X4IXYSMOSFETs TO247 150V 150A N-CH HIPER
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+897.21 грн
10+777.22 грн
30+499.12 грн
120+469.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH150N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 175V 150A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH152N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 152A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 152A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1120.77 грн
15+1004.72 грн
25+842.56 грн
50+804.36 грн
100+656.61 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+799.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2IXYSMOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1012.95 грн
16+914.80 грн
100+790.69 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2
Код товару: 193930
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH15N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1145.81 грн
50+764.27 грн
100+735.83 грн
200+679.22 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 160A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N075TIXYSMOSFET 160 Amps 75V 5.5 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N10TIXYSMOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
на замовлення 382 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+577.47 грн
10+348.52 грн
120+292.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+605.77 грн
30+339.28 грн
120+285.69 грн
510+236.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N10T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH160N10T. - MOSFET, N-CH, 100V, 160A, TO-247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 430W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+643.51 грн
25+509.01 грн
100+374.51 грн
250+292.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N15TIXYSMOSFETs 160Amps 150V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 160A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH160N15TIXYSTO-247
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH16N10D2 - MOSFET, N-CH, 100V, 16A, TO-247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 16
Rds(on)-Messspannung Vgs: 0
Verlustleistung Pd: 830
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.064
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2
Код товару: 79258
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2MOSFET N-CH 100V 16A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2IXYSMOSFETs N-CH 100V 16A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N10D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 16A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 8A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2IXYSMOSFETs N-CH 200V 16A MOSFET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1382.06 грн
10+986.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO247
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 73mOhm @ 8A, 0V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 208 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1554.04 грн
30+943.64 грн
120+855.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N20D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH16N20D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 16 A, 0.08 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1577.77 грн
5+1286.22 грн
10+994.67 грн
50+915.39 грн
100+838.07 грн
250+830.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 8A, 0V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 199 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1210.77 грн
10+928.03 грн
30+858.43 грн
120+747.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2MOSFET 500В 16А TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16N50D2IXYSMOSFETs N-CH 500V 16A MOSFET
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1170.24 грн
10+887.57 грн
120+700.70 грн
510+669.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P20IXYSMOSFET -16 Amps -200V 0.22 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P20IXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 16A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P20IXYS10+ DO-214AA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60PIXYSMOSFETs -16.0 Amps -600V 0.720 Rds
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+860.16 грн
10+684.33 грн
30+554.34 грн
60+530.18 грн
120+507.40 грн
270+482.55 грн
510+461.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 600V 16A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5120 pF @ 25 V
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+851.97 грн
30+522.69 грн
120+470.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH16P60P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH16P60P. - MOSFET, P-CH, 600V, 16A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 460W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+941.51 грн
5+859.36 грн
10+777.21 грн
25+643.92 грн
100+523.97 грн
500+462.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH180N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH180N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+608.88 грн
30+342.17 грн
120+288.56 грн
510+233.94 грн
1020+224.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH180N10TIXYSMOSFETs 180 Amps 100V 6.1 Rds
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+723.25 грн
10+486.66 грн
120+348.62 грн
510+310.65 грн
1020+307.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH182N055TIXYSMOSFET 182 Amps 55V 4.4 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH182N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 182A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 182A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N100IXYSMOSFET 0.1 Amps 1000V 80 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N170DHVIXYSDescription: MOSFET N-CH 1700V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 0V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3090 pF @ 25 V
на замовлення 1516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1581.23 грн
30+966.35 грн
120+844.70 грн
510+778.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N170DHVIXYSMOSFETs TO247 1.7KV 1A N-CH DEPL
на замовлення 887 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1486.76 грн
10+1076.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N170DHVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.7kV; 1A; 290W; TO247HV; 30ns
Case: TO247HV
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 30ns
Drain current: 1A
On-state resistance: 16Ω
Power dissipation: 290W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH1N200P3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2 kV, 1 A, 40 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2
Dauer-Drainstrom Id: 1
Qualifikation: -
MSL: -
Verlustleistung Pd: 125
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 125
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 40
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+758.68 грн
5+721.64 грн
10+684.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3IXYSMOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 2KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-247HV
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+907.34 грн
25+865.45 грн
50+830.63 грн
100+772.72 грн
250+693.29 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 2000V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646 pF @ 25 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+680.33 грн
30+388.09 грн
120+329.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N200P3HVIXYSMOSFETs 2000V/1A HV Power MOSFET, TO-247HV
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+720.03 грн
10+494.59 грн
120+364.50 грн
510+337.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N250IXYSMOSFET 1 Amps 2500V 40 Rds
на замовлення 852 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N250MOSFET, N-CH, 2500V, 1.5A, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3805.34 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N250LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH1N250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 1.5 A, 40 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 40ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3244.14 грн
5+2941.31 грн
10+2607.07 грн
50+2275.77 грн
100+1962.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 1.5A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 1.5A TO-247AD
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Supplier Device Package: TO-247AD
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 750mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2639.00 грн
30+1921.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N300P3HVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 3kV; 1A; 195W; TO247HV; 1.8us
Case: TO247HV
Mounting: THT
On-state resistance: 50Ω
Power dissipation: 195W
Drain-source voltage: 3kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 1.8µs
Drain current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N300P3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 3000V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 195W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 895 pF @ 25 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2596.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N300P3HVIXYSMOSFETs TO247 3KV 1A N-CH POLAR
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2899.43 грн
10+2084.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HVIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 1A; 520W; TO247-3; 1.75us
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 46nC
Reverse recovery time: 1.75µs
Drain current: 1A
On-state resistance: 80Ω
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 4.5kV
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3319.13 грн
5+2725.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 4500V 1A TO247HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80Ohm @ 50mA, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247HV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2889.08 грн
30+1924.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH1N450HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 1 A, 80 ohm, TO-247HV, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520W
Bauform - Transistor: TO-247HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3166.02 грн
5+2909.10 грн
10+2652.17 грн
50+2381.22 грн
100+2122.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HVIXYSMOSFETs High Voltage Power MOSFET
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3571.94 грн
10+2761.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1N450HVLittelfusePower MOSFET
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4047.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH1R4N250P3LittelfuseMOSFETs Discrete MOSFET 1.4A 2500V P3 TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH200N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 200A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]