Продукція > SQJ

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQJA34EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA34EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 4300 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.83 грн
500+34.49 грн
1000+30.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA34EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA34EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Ch 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.05 грн
10+73.07 грн
100+42.43 грн
500+34.42 грн
1000+30.59 грн
3000+29.96 грн
6000+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA36EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6636 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.25 грн
10+112.92 грн
100+83.86 грн
500+63.37 грн
1000+60.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA36EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 350A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA36EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 350A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6636 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.24mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA36EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40-V(D-S)175C MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA36EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 350A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA36EP-T1_JE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.76 грн
10+110.57 грн
100+75.94 грн
500+63.61 грн
1000+58.94 грн
3000+50.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA37EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+53.36 грн
100+36.97 грн
500+28.99 грн
1000+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA37EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.32 грн
6000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA37EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+48.83 грн
100+37.96 грн
500+30.19 грн
1000+24.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA37EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -30V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 21699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.86 грн
10+60.41 грн
100+37.69 грн
500+29.47 грн
1000+26.82 грн
3000+22.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA37EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 30V 30A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA38EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA38EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA38EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 14939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.79 грн
12+70.47 грн
100+54.87 грн
500+37.51 грн
1000+29.89 грн
5000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA38EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 57402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.80 грн
10+79.24 грн
100+46.12 грн
500+36.37 грн
1000+33.23 грн
3000+30.80 грн
6000+29.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA38EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA38EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA38EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 60 A, 0.004 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 14939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.87 грн
500+37.51 грн
1000+29.89 грн
5000+27.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA42EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA42EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 20A PPAK SO-8
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA42EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Nch 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 4227 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+142.25 грн
10+90.54 грн
100+53.58 грн
500+45.36 грн
1000+42.43 грн
3000+39.23 грн
6000+32.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA46EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Ch 40V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+61.59 грн
100+47.87 грн
500+38.08 грн
1000+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 32924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.92 грн
10+63.94 грн
100+39.09 грн
500+35.05 грн
1000+30.17 грн
3000+28.15 грн
6000+27.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A POWERPAKSO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
337+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+61.59 грн
100+47.87 грн
500+38.08 грн
1000+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds PowerPAK AEC-Q101 Qualified
на замовлення 23139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.15 грн
10+64.90 грн
100+43.96 грн
500+37.27 грн
1000+30.31 грн
3000+29.40 грн
6000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA60EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA61EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.18 грн
10+87.33 грн
100+52.53 грн
500+44.52 грн
1000+40.41 грн
3000+34.35 грн
6000+33.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA61EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA61EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 54.5 A, 0.0121 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.88 грн
10+99.98 грн
100+69.58 грн
500+54.72 грн
1000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA61EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.03 грн
10+82.20 грн
100+55.48 грн
500+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA61EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 50A TO263
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.1mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA61EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA61EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 54.5 A, 0.0121 ohm, PowerPAK SO-8L, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8L
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0121ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.58 грн
500+54.72 грн
1000+45.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA62EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.53 грн
6000+32.82 грн
9000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA62EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA62EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.43 грн
500+45.97 грн
1000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA62EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA62EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.99 грн
10+86.16 грн
100+62.43 грн
500+45.97 грн
1000+42.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA62EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.25 грн
10+81.74 грн
100+54.98 грн
500+40.86 грн
1000+37.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA62EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 60V PowerPAK SO-8L
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.81 грн
10+88.14 грн
100+51.42 грн
500+40.69 грн
1000+37.27 грн
3000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA64EP-T1-BE3VishayMOSFET N-CH 60-V 175C MSFT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA64EP-T1-BE3 MVishayMOSFET N-CH 60-V 175C MSFT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA64EP-T1-GE3 MVishayMOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA64EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.25 грн
6000+17.56 грн
9000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA64EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.95 грн
10+42.34 грн
100+29.27 грн
500+22.95 грн
1000+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA64EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 11903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+46.34 грн
100+32.08 грн
500+25.16 грн
1000+21.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA64EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Ch 60V Vds AEC-Q101 Qualified
на замовлення 288441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.60 грн
10+54.80 грн
100+31.35 грн
500+24.32 грн
1000+22.09 грн
3000+19.16 грн
6000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA64EP-T1_GE3VishayAutomotive AEC-Q101 N-Channel 60 V, 175 degree C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA64EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 15A PPAK SO-8
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
FET Type: N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.10 грн
6000+19.25 грн
9000+17.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA66EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA66EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.93 грн
10+94.29 грн
100+66.41 грн
500+48.99 грн
1000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA66EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 60 V (D-S)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA66EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA66EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 75 A, 0.003 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.41 грн
500+48.99 грн
1000+41.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA66EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.36 грн
10+84.93 грн
100+51.14 грн
500+40.62 грн
1000+37.34 грн
3000+34.49 грн
6000+32.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA68EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+50.04 грн
100+38.38 грн
500+28.47 грн
1000+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA68EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 92mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA68EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA68EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 14A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA68EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 35449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+54.87 грн
10+46.15 грн
100+29.89 грн
500+24.73 грн
1000+20.41 грн
3000+18.67 грн
6000+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA68EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA68EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.092 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 6899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.04 грн
500+28.23 грн
1000+23.62 грн
5000+21.18 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA68EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14A PPAK SO-8L
на замовлення 3912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA68EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA68EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.092 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.48 грн
16+53.57 грн
100+35.28 грн
500+25.51 грн
1000+21.32 грн
5000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA70EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA70EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100-V (D-S) 175C MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.10 грн
100+33.50 грн
500+24.36 грн
1000+22.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA70EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 63949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.04 грн
10+56.25 грн
100+32.26 грн
500+25.01 грн
1000+22.71 грн
3000+21.74 грн
6000+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA70EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA70EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.7 A, 0.095 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.04 грн
15+57.06 грн
100+37.63 грн
500+27.17 грн
1000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA70EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14.7A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA70EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA70EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.7 A, 0.078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 27W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.078ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 8840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.65 грн
500+27.02 грн
1000+21.11 грн
5000+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA70EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 14.7A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.72 грн
100+36.06 грн
500+26.30 грн
1000+23.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA72EP-T1
Код товару: 147923
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA72EP-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 100V 37A Automotive 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA72EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.17 грн
10+85.06 грн
100+66.19 грн
500+52.64 грн
1000+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA72EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA72EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.86 грн
10+90.23 грн
100+63.81 грн
500+43.40 грн
1000+37.34 грн
5000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA72EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 37A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA72EP-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds -/+20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 9802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA72EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA72EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 37 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 37A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 55W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.81 грн
500+43.40 грн
1000+37.34 грн
5000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1-BE3VishayMOSFETs POWRPK N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1/BE3VishayArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.52 грн
10+85.52 грн
100+57.57 грн
500+42.78 грн
1000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PowerPAK SO-8L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 3445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.56 грн
10+94.55 грн
100+55.46 грн
500+43.96 грн
1000+40.34 грн
3000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA76EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.002 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.99 грн
10+104.04 грн
100+77.95 грн
500+59.70 грн
1000+43.48 грн
5000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.93 грн
100+62.07 грн
500+46.27 грн
1000+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 75A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA76EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA78EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA78EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.00432 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 72
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00432
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00432
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA78EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 72A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA78EP-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.70 грн
10+108.17 грн
100+64.73 грн
500+51.42 грн
1000+50.65 грн
3000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA78EP-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQJA78EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 72 A, 0.00432 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 72
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00432
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00432
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA78EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 72A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.25 грн
10+100.39 грн
100+68.54 грн
500+51.54 грн
1000+50.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1-BE3VishayMOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_BE3VishayMOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A Automotive AEC-Q101 5-Pin(4+Tab) PowerPAK SO
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
263+53.89 грн
Мінімальне замовлення: 263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA80EP-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+77.59 грн
100+52.22 грн
500+38.80 грн
1000+35.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15  [ Наступна Сторінка >> ]