Продукція > ZXM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMN6A08GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.08 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.33 грн
500+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.20 грн
2000+26.00 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.25 грн
10+45.36 грн
100+29.66 грн
500+21.50 грн
1000+19.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08KTC
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.36A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.12W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.61 грн
17+49.18 грн
100+34.63 грн
500+23.70 грн
1000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.36A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.36 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.12W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.63 грн
500+23.70 грн
1000+20.00 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08KTCDiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Channel MOSFET 20V VGS 24.3A IDM
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN/A
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TAZETEXSOP8
на замовлення 3922 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 5897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.84 грн
10+113.07 грн
100+77.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
FET Feature: Logic Level Gate
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+62.92 грн
1000+55.87 грн
1500+53.46 грн
2500+48.18 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.25W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT223 T&R 1K
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+94.73 грн
100+64.40 грн
500+48.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A09GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 60 V, 6.9 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.63 грн
10+106.48 грн
50+89.41 грн
200+67.40 грн
500+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+104.25 грн
140+101.05 грн
174+81.70 грн
250+74.68 грн
500+53.13 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GTAZetexN-MOSFET 60V 6.9A ZXMN6A09GTA DIODES TZXMN6a09g
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+51.44 грн
2000+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 50721 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.03 грн
10+82.42 грн
100+55.45 грн
500+41.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A09GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 60 V, 6.9 A, 0.04 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.41 грн
200+67.40 грн
500+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GTADiodes IncorporatedMOSFETs N-Ch 60V 7.5A
на замовлення 5439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+65.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 5.4A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1407 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 8.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+41.70 грн
2000+35.67 грн
3000+35.19 грн
5000+31.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.90 грн
10+104.25 грн
25+101.05 грн
100+78.78 грн
250+69.15 грн
500+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09KZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09KQTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFETBVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09KQTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 11.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 10.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09KTC
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7.7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1426 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A09KTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET N-CH 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A10N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11
на замовлення 13870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A110
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DZETEX09+ SO-8
на замовлення 1014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 44373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.12 грн
50+22.10 грн
100+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A11DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+106.48 грн
13+66.57 грн
100+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.04 грн
12+66.83 грн
25+65.96 грн
100+46.83 грн
250+41.71 грн
500+27.43 грн
1000+27.16 грн
3000+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.34 грн
100+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.8 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.59 грн
500+22.79 грн
1000+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.8 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.76 грн
18+47.55 грн
100+32.92 грн
500+24.38 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 142000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.17 грн
2000+18.78 грн
3000+17.95 грн
5000+15.98 грн
7000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 142000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.75 грн
2000+23.71 грн
5000+21.95 грн
10000+20.82 грн
25000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.78 грн
12000+26.30 грн
24000+24.47 грн
36000+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.55 грн
2000+24.44 грн
5000+22.60 грн
10000+21.46 грн
25000+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-223-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 325393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.52 грн
10+48.83 грн
100+32.06 грн
500+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.09 грн
2000+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A11ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.46 грн
200+29.36 грн
500+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.94 грн
2000+20.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 21728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 68050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+43.32 грн
100+29.99 грн
500+23.51 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTAZETEX
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A11ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+90.23 грн
15+56.66 грн
50+46.98 грн
200+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.62 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 67000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.14 грн
2000+18.99 грн
5000+17.99 грн
10000+15.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DZETEX2004
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DN8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
на замовлення 127449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+79.55 грн
100+53.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DN8TA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 127000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+42.80 грн
1000+37.75 грн
1500+35.98 грн
2500+31.90 грн
3500+30.80 грн
5000+30.26 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.28 грн
10+92.14 грн
25+90.87 грн
100+69.40 грн
250+63.62 грн
500+52.48 грн
1000+46.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DN8TC
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25GTADiodes IncorporatedMOSFETs N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
на замовлення 9843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+70.65 грн
100+47.17 грн
500+34.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+35.18 грн
2000+31.16 грн
3000+29.77 грн
5000+26.48 грн
7000+25.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25GTA
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25GTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.7A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25K
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25KDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]