Продукція > ZXM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMN6A11DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 5515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.22 грн
12+66.98 грн
25+66.10 грн
100+46.93 грн
250+41.80 грн
500+27.49 грн
1000+27.22 грн
3000+26.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A11DN8TA - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.2 A, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.1W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 44373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.17 грн
50+22.15 грн
100+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.53 грн
10+57.81 грн
100+38.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.2A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11DN8TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.8 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.8 A, 0.12 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
на замовлення 325000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.97 грн
2000+18.61 грн
3000+17.79 грн
5000+15.83 грн
7000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.61 грн
2000+24.49 грн
5000+22.65 грн
10000+21.51 грн
25000+19.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 142000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
на замовлення 325393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.77 грн
10+48.39 грн
100+31.76 грн
500+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 142000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+25.81 грн
2000+23.77 грн
5000+22.00 грн
10000+20.87 грн
25000+18.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+28.84 грн
12000+26.36 грн
24000+24.52 грн
36000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11GTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.1A SOT223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 21728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A11ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.67 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+60.05 грн
25+50.59 грн
50+41.91 грн
100+37.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.14 грн
2000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+20.99 грн
2000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A11ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.7 A, 0.12 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A11ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DZETEX2004
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DN8ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DN8Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DN8TADiodes IncorporatedMOSFETs Dl 60V N-Chnl UMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.53 грн
10+92.35 грн
25+91.07 грн
100+69.56 грн
250+63.76 грн
500+52.59 грн
1000+46.34 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DN8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DN8TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25DN8TC
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25GDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
на замовлення 567 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.46 грн
10+84.06 грн
25+71.23 грн
50+59.33 грн
100+53.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25GTADiodes IncorporatedMOSFETs N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25GTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.7A; 2W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 6.7A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25K
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25KDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25KDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25KTCDiodes IncorporatedMOSFETs N-Chan 60V MOSFET (UMOS)
на замовлення 5560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 10.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25KTCDIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; 4.25W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9A
Power dissipation: 4.25W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1063 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25N8TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A25N8TADiodes IncorporatedMOSFETs N-CHANNEL 60V
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11SOT-223
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN7A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 3.8 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN7A11G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 3.8 A, 0.13 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GQTADiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&R 1K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GQTADiodes Inc./ZetexN-Channel 70 V 2.7A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GQTADiodes ZetexMOSFET BVDSS, 61V to 100V SOT223 1K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+42.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+77.33 грн
25+65.24 грн
50+54.21 грн
100+48.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.38 грн
12+68.55 грн
25+67.88 грн
100+50.01 грн
250+45.83 грн
500+34.57 грн
1000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+68.55 грн
209+67.88 грн
274+51.86 грн
277+49.50 грн
500+36.01 грн
1000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 70V 2.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes IncorporatedMOSFET 70V N-Channel 3.8A MOSFET
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KZETEX07+ DPAK
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTC
Код товару: 185461
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+52.10 грн
16+49.32 грн
25+48.88 грн
100+41.22 грн
250+37.79 грн
500+31.82 грн
1000+28.46 грн
3000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.62 грн
10+64.32 грн
25+54.15 грн
50+44.90 грн
100+39.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes IncorporatedMOSFET 70V N-Channel 6.1A MOSFET
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+49.32 грн
290+48.88 грн
332+42.75 грн
335+40.81 грн
500+33.14 грн
1000+28.46 грн
3000+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN7A11KTC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 70 V, 6.1 A, 0.13 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 70V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.11W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 4.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.11W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 298 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN7A11KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 70V 4.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMNA01F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMNA14F
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMNS3BM832ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMNS3BM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMNS3BM832TA
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMNS3BM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMNS3BM832TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 2A 8-MLP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP1017E6TA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -0.7A; Idm: -3.1A; 0.625W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -700mA
Power dissipation: 0.625W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: -3.1A
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET P-CH 100V 600MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 141 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMP10A13FQTA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 700 mA, 1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 700mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 806mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 806mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
на замовлення 3799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMP10A13FQTADiodes ZetexTrans MOSFET P-CH 100V 0.7A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.