Продукція > stp

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 119  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STPSC10065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.82 грн
10+179.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10065GY-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10065GY-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 34 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 34nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 51 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+322.00 грн
10+201.89 грн
100+147.56 грн
500+113.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006DSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 600 V Power Schottky Silicon Diode
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006D
Код товару: 108577
Додати до обраних Обраний товар
STДіоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди Шотткі
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006DSTMicroelectronicsDiode Schottky 600V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006DSTMDIODE SCHOTTKY 600V 10A TO220AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 600V 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006G-TRSTMDIODE SCHOTTKY 600V 10A D2PAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC1006G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 600V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10C065RYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: I2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10C065RYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10C065RYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10C065RY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 26.4 nC, TO-262
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-262
Kapazitive Gesamtladung: 26.4nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10C065RYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10C065RYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.96 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10G065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.47 грн
10+152.83 грн
100+106.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMDIODE SCHOTTKY 650V 10A DPAK Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065B-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicon carbide DPAK
на замовлення 5499 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 10 A DPAK Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.63 грн
10+202.81 грн
100+143.13 грн
500+113.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065BY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+104.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicn carbid TO-220
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DSTMicroelectronicsDescription: 650 V 10 A power Schottky silico
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DISTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DI - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 28.5 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 470A
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.75V
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
на замовлення 1005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 10A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.91 грн
10+209.74 грн
50+163.30 грн
100+139.20 грн
500+114.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10 A power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065DLF - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 32 nC, PowerFLAT
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: PowerFLAT
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DLFSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A PWRFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 595pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: PowerFlat™ (8x8) HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.71 грн
10+208.90 грн
100+168.96 грн
500+140.95 грн
1000+120.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065DYSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers Automotive 650V, 10 A Silicon Carbide diode
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 10A, 28.5nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 10A Schottky silicon carbid T2PAK
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H065G-TR - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, Baureihe 650V, einfach, 650V, 10A, 28.5nC, TO-263
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.48 грн
10+188.71 грн
100+133.17 грн
500+114.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.80 грн
10+203.11 грн
100+164.29 грн
500+137.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+132.82 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 480pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.81 грн
10+206.16 грн
100+161.43 грн
500+125.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650V, 10 A Silicon Carbide diode
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H065GY-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 650V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B-TR1STMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers DFD THYR TRIAC & RECTIFIER
на замовлення 1488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B-TR1STMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B-TR1STMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+261.07 грн
500+248.14 грн
1000+234.02 грн
10000+212.06 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12B2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, DPAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DPAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+123.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+261.07 грн
500+248.14 грн
1000+234.02 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DPAK; SiC; SMD; 1.2kV; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DPAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 25A
Leakage current: 0.4mA
Max. forward impulse current: 71A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK-HV T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
136+261.07 грн
500+248.14 грн
1000+234.02 грн
Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12B2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A DPAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
на замовлення 3452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.89 грн
10+234.65 грн
100+167.01 грн
500+129.65 грн
1000+120.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 19A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 30 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+585.46 грн
10+382.91 грн
100+280.54 грн
600+218.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+628.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 38A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DSTMДіоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12D - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 10 A Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 906 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.39 грн
50+218.29 грн
100+199.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+291.65 грн
10+291.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 2981 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+325.17 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+411.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+294.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 10A D2PAK HV
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.68 грн
10+235.80 грн
100+167.97 грн
500+130.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 10A D2PAK HV
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D2PAK HV
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC10H12G2-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 57 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 10A 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200V, 10A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC10H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 10A D2PAK HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 725pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+451.75 грн
10+291.72 грн
100+210.37 грн
500+182.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 119  [ Наступна Сторінка >> ]