Продукція > stp

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STPSC15H12G2Y-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive Grade 1200V, 15A, silicon carbide power Schottky Diode
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2Y-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC15H12G2Y-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 94 nC, D2PAK-HV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: D2PAK-HV
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2Y-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: D2PAK HV
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12G2Y-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 15A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) H2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12WLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 15A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 90 µA @ 1200 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.92 грн
30+267.73 грн
120+248.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 15 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 15A 2-Pin DO-247 Tube
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+677.00 грн
25+647.92 грн
50+623.23 грн
100+580.58 грн
250+521.28 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12WLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 15A 2-Pin DO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC15H12WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC15H12WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 94 nC, DO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247
Kapazitive Gesamtladung: 94nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC16H065AWSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 16A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 140 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 16 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 16A
Capacitance @ Vr, F: 750pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC16H065AWSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 16 A Single High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC16H065AWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 650V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC16H065CTSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC SCHOTT 650V TO220
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 8A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC16H065CTSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 650V Pwr Schottky Silicn Carbide Diode
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 130 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247 Long Leads
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 670pF @ 0V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, dual 10 A, power Schottky silicon carbide diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.11 грн
10+326.51 грн
100+264.11 грн
500+220.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DISTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+458.93 грн
10+365.55 грн
50+361.90 грн
100+317.01 грн
500+277.55 грн
1000+236.42 грн
2000+227.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DISTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Ins Tube
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+458.93 грн
39+365.55 грн
50+361.90 грн
100+317.01 грн
500+277.55 грн
1000+236.42 грн
2000+227.11 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DISTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 650V 20A TO220AC INS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Insulated, TO-220AC
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC ins
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
на замовлення 1179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.36 грн
50+222.04 грн
100+203.25 грн
500+159.86 грн
1000+157.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.88 грн
10+342.07 грн
100+250.99 грн
500+202.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065DYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+481.85 грн
10+312.72 грн
100+227.04 грн
500+200.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 814 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+185.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065GY-TRSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) DO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WYSTMDIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WYSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 650V 20A 2-Pin(2+Tab) DO-247 Tube Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A SiC Power Schottky Diode
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20065WYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A DO247
Packaging: Tube
Package / Case: DO-247-2 (Straight Leads)
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1250pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 300 µA @ 650 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+548.05 грн
30+281.17 грн
120+246.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2006CWSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes SiC Ultra Perf Diode 600V 12nC Schottky
на замовлення 7076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2006CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2006CWSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SIC 600V 10A TO-247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 708 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+686.60 грн
30+388.77 грн
120+328.99 грн
510+279.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC2006CWSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065WLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20G065WL - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 60 nC, DO-247LL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 60nC
rohsCompliant: TBA
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065WLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065WLYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20G065WLY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 20 A, 60 nC, DO-247LL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 60nC
rohsCompliant: TBA
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G065WLYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20A High surge Silicon Carbide power Schottky diode
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12L2YSTMicroelectronicsDescription: RECTIFIER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1548pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+821.30 грн
10+550.80 грн
100+475.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12L2YSTMicroelectronicsDescription: RECTIFIER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1548pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: HU3PAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12L2YSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A DO247 LL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1548pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247 LL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+711.23 грн
30+378.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20A power Schottky High Surge silicon carbide diode
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20G12WLY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 103 nC, DO-247LL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-247LL
Kapazitive Gesamtladung: 103nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20G12WLYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIC 1.2KV 20A DO247 LL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: DO-247 LL
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+754.34 грн
30+376.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220AB
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTSTMicroelectronicsSchottky Diodes & Rectifiers 650 V, 20 A dual High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY SIC 650V TO220AB
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CTYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+328.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARRAY SCHOTTKY 650V TO247
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 650 V 20A Schottky silicon carbid TO247
на замовлення 611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWSTMicroelectronicsDiode Schottky 650V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H065CWY - Schottky-Diode, Siliziumkarbid, 650V, Doppeldiode mit gemeinsamer Anode, 650V, 20A, 28.5nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 28.5nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SCHOTTKY SIC 650V TO247
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H065CWYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 650 V, 20 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+834.23 грн
24+605.51 грн
25+600.08 грн
60+558.69 грн
120+470.81 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 40200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+725.86 грн
100+689.57 грн
500+653.28 грн
1000+594.95 грн
10000+518.48 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+384.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247; Ir: 400uA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO247
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 25A
Leakage current: 0.4mA
Max. forward impulse current: 420A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12CWL - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 57 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 57nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+834.23 грн
10+605.51 грн
25+600.08 грн
60+558.69 грн
120+470.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWLSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 25A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
на замовлення 6418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+630.41 грн
30+379.75 грн
120+327.94 грн
510+305.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWYSTMicroelectronicsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Qualification: AEC-Q101
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Grade: Automotive
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+604.24 грн
30+487.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 20 A 1200 V power Schottky silicon carbide diode
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12CWYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky Si 1.2KV 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+571.14 грн
50+301.23 грн
100+277.29 грн
500+227.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DSTMicroelectronicsDiode Schottky SiC 1.2KV 20A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DSTMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMDIODE SCHOTTKY 1.2KV 20A TO220AC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12DY - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 38 A, 129 nC, TO-220AC
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 38A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A Automotive 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+559.43 грн
10+545.01 грн
100+517.38 грн
500+485.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12DYSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes Automotive 1200 V, 20 A Silicon Carbide Diode
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+291.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsCategory: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; D2PAK; SiC; SMD; 1.2kV; 20A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: D2PAK
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 2.25V
Max. load current: 38A
Leakage current: 0.8mA
Max. forward impulse current: 700A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+709.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsSiC Schottky Diodes 1200 V, 20 A High surge Silicon Carbide Power Schottky Diode
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+709.29 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMicroelectronicsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1650pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 1200 V
на замовлення 3470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+637.34 грн
10+421.90 грн
100+313.49 грн
500+263.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STPSC20H12G-TRSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STPSC20H12G-TR - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 129 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 129nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 11 22 33 44 55 66 77 88 99 107 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117  [ Наступна Сторінка >> ]