Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFBC40SVishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40S
Код товару: 126138
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SPBFVishayIRFBC40SPBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBC40SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6.2 A, 1.2 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 130W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SPBFVishayIRFBC40SPBF Vishay MOSFETs Transistor N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.9A; Idm: 25A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 130W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 600V 6.2 Amp
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+394.79 грн
10+253.32 грн
50+198.82 грн
100+170.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRLPBFIR
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRRVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC40_R4943onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC42HARRISIRFBC42
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+131.71 грн
500+118.78 грн
1000+109.58 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC42Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+72.41 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC42-003
на замовлення 10545 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC42RHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBC50PBF
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20SiliconixN-MOSFET 1.8A 800V 54W 6.5Ω IRFBE20 TIRFBE20
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+37.11 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20
Код товару: 58305
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 1,8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 6,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 530/38
Монтаж: THT
на замовлення: 5 шт
  • 5 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+29.00 грн
10+26.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBFVishay SiliconixMOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+86.19 грн
172+82.46 грн
500+80.65 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.03 грн
10+86.20 грн
100+82.48 грн
500+77.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET
на замовлення 18205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBE20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.8 A, 6.5 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
на замовлення 1305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.56 грн
10+148.18 грн
50+113.82 грн
100+96.44 грн
500+78.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFBE20PBF-BE3 - N-CHANNEL 800V 06AJ9124
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 54W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6.5ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 1.8A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE20STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SiliconixN-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30(MFET,N-CH,125W,800V,4.1A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30
Код товару: 23059
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 4,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+42.50 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, P=125W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.13 грн
50+124.76 грн
100+112.87 грн
500+86.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
на замовлення 10920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFMOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+173.79 грн
83+172.05 грн
107+132.84 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF
Код товару: 15766
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 3,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
на замовлення: 3 шт
  • 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+33.00 грн
10+30.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFIRFBE30PBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.37 грн
50+150.85 грн
100+121.89 грн
500+116.36 грн
1000+105.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
на замовлення 485 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+150.42 грн
10+102.43 грн
50+88.04 грн
100+81.27 грн
250+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.63 грн
50+160.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.19 грн
50+172.45 грн
100+133.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+181.76 грн
91+155.42 грн
100+143.57 грн
250+124.47 грн
500+107.02 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.84 грн
50+69.15 грн
100+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.16 грн
10+218.88 грн
50+170.76 грн
100+145.72 грн
500+120.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+152.37 грн
94+150.85 грн
116+121.89 грн
500+116.36 грн
1000+105.20 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 4,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 78 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = на плату,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-VIS09+ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFBE30PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.85 грн
10+189.47 грн
50+146.95 грн
100+125.06 грн
500+102.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFBE30PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFBE30SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.25 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.02 грн
50+149.20 грн
100+135.39 грн
500+104.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+297.65 грн
74+192.07 грн
100+168.53 грн
500+143.78 грн
1000+117.27 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.96 грн
10+153.91 грн
100+144.41 грн
500+130.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+297.44 грн
10+191.94 грн
100+168.42 грн
500+143.68 грн
1000+117.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBE30SPBF - MOSFET, N D2-PAK 800V 4,1A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+250.70 грн
10+151.53 грн
50+128.67 грн
100+121.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+268.69 грн
62+229.18 грн
100+213.37 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.24 грн
10+213.70 грн
50+166.53 грн
100+142.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs 800V 4.1A 125W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+123.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]