Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFBE30
Код товару: 23059
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 4,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+42.50 грн
10+34.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30International Rectifier/InfineonN-канальный ПТ (Vds=800V, Id=4.1A@T=25C, Id=2.6A@T=100C, Rds=3.0 R, P=125W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SiliconixN-MOSFET 4.1A 800V 50W 3Ω IRFBE30 TIRFBE30
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+66.36 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30(MFET,N-CH,125W,800V,4.1A,TO-220AB) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFMOSFET N-CH 800V 4.1A TO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
на замовлення 17920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+254.17 грн
50+123.33 грн
100+111.57 грн
500+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+173.79 грн
83+172.05 грн
107+132.84 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFIRFBE30PBF Транзисторы
на замовлення 11 шт:
термін постачання 4 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
на замовлення 1016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+152.37 грн
50+150.85 грн
100+121.89 грн
500+116.36 грн
1000+105.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.16 грн
50+165.38 грн
100+150.38 грн
500+116.45 грн
1000+108.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBE30PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+161.63 грн
50+160.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+174.19 грн
50+172.45 грн
100+133.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+181.76 грн
91+155.42 грн
100+143.57 грн
250+124.47 грн
500+107.02 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.84 грн
50+69.15 грн
100+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishay/IRN-канальний ПТ, Udss, В = 800, Id = 4,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 78 @ 10 В, Rds = 3 Ом @ 2,5 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 125, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = на плату,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 100 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 524 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+148.69 грн
10+101.25 грн
50+87.03 грн
100+80.33 грн
250+71.96 грн
500+66.94 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF
Код товару: 15766
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 800 В
Струм стоку Idd, А: 3,1 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1300/78
Монтаж: THT
на замовлення: 3 шт
  • 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+33.00 грн
10+30.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 1783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+152.37 грн
94+150.85 грн
116+121.89 грн
500+116.36 грн
1000+105.20 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-VIS09+ SOP8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFBE30PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+290.15 грн
50+142.32 грн
100+129.06 грн
500+99.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30PBF-BE3VISHAYDescription: VISHAY - IRFBE30PBF-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 4.1 A, 3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT IRFBE30SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 800V 4.1 Amp
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.53 грн
50+147.49 грн
100+133.83 грн
500+103.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBE30SPBF - MOSFET, N D2-PAK 800V 4,1A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+247.82 грн
10+149.78 грн
50+127.19 грн
100+119.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+134.25 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+139.79 грн
Мінімальне замовлення: 101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+193.52 грн
10+155.98 грн
100+149.96 грн
500+132.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+338.15 грн
10+197.70 грн
100+181.81 грн
500+147.47 грн
1000+127.99 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+268.69 грн
62+229.18 грн
100+214.69 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs 800V 4.1A 125W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.34 грн
10+206.95 грн
100+146.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.6A; Idm: 16A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 78nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBE30STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20LVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBF20LPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20LPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.68 грн
10+76.36 грн
100+75.73 грн
500+70.86 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20LPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-262
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBF
Код товару: 184540
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBFТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 1.1A; Idm: 6.8A; 54W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 38nC
Drain current: 1.1A
Power dissipation: 54W
Pulsed drain current: 6.8A
On-state resistance: 8Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 900V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBF20PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.59 грн
50+63.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 900V 1.7A N-CH MOSFET
на замовлення 9532 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SVishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 844-IRFBF20SPBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+125.13 грн
118+119.86 грн
150+115.91 грн
250+109.23 грн
500+97.61 грн
Мінімальне замовлення: 113 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFMOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBF20SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.41 грн
50+77.00 грн
100+76.24 грн
500+72.78 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.26 грн
50+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 900, Id = 1,7, Ptot, Вт = 54, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 490 @ 25, Qg, нКл = 38, Rds = 8 мОм @ Ugs = 10 B, Tексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 200 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
200+69.98 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO263 900V 1.7A N-CH MOSFET
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+77.39 грн
184+76.99 грн
186+76.22 грн
500+72.77 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20SPBF
Код товару: 51921
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
на замовлення 662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.07 грн
10+134.65 грн
100+93.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBF20STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBFTO-263 (D2PAK) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRLPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFBF20STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 900 V, 1.7 A, 8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRRPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRRPBFVishayTrans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFBF20STRRPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 900V 1.7 Amp
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]