Продукція > DMT

Trans MOSFET N-CH 60V 10.8A 8-Pin SO T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	62.05 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LFG-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LFG-13

MOSFETs 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LFG-13

Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V

на замовлення 13792 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	79.95 грн
10+	48.46 грн
100+	31.93 грн
500+	23.28 грн
1000+	21.13 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LFG-13

Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	19.74 грн
6000+	17.59 грн
9000+	16.86 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LFG-7

Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	30.12 грн
4000+	26.84 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LFG-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LFG-7

MOSFETs 60V N-Ch Enh Mode 22Vgss 2090pF 41.3nC

на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LFG-7

Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V

на замовлення 5810 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	108.95 грн
10+	66.27 грн
100+	44.14 грн
500+	32.51 грн
1000+	29.64 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LPS-13

MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 80A

на замовлення 3470 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LPS-13

Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LPS-13

Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V

на замовлення 2318 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	110.52 грн
10+	67.55 грн
100+	45.05 грн
500+	33.19 грн
1000+	30.27 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LSS

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LSS-13

Description: MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V

на замовлення 317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	128.55 грн
10+	79.10 грн
100+	53.32 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LSS-13

Description: DIODES INC. - DMT6010LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 14 A, 0.006 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.87 грн
500+	49.59 грн
1000+	44.45 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LSS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13.5A; Idm: 80A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13.5A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LSS-13

MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 12mOhm 4.5Vgs 11.5A

на замовлення 6578 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LSS-13

Description: MOSFET N-CH 60V 14A 8SO T&R 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LSS-13

на замовлення 1497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	99.17 грн
11+	78.36 грн
100+	54.87 грн
500+	49.59 грн
1000+	44.45 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010LSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 14A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	46.53 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010SCT

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 414 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT6010SCT

Trans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010SCT

Trans MOSFET N-CH 60V 98A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6010SCT

Description: MOSFET N-CH 60V 98A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 98A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube

на замовлення 5850 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	145.01 грн
50+	67.15 грн
100+	60.09 грн
500+	44.78 грн
1000+	41.05 грн
2000+	37.91 грн
5000+	34.83 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6011LPDW-13

Description: MOSFET 2N-CH 60V 10.3A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.9W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 40A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6011LPDW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6011LSS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6011LSS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 85A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6011LSS-13

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1072 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDF-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDF-13

Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 11W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDF-13

Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDF-7

Description: DIODES INC. - DMT6012LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0107 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	70.39 грн
18+	47.39 грн
100+	31.70 грн
500+	21.59 грн
1000+	18.39 грн

Мінімальне замовлення: 12 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDF-7

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDF-7

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDF-7

Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDF-7

на замовлення 2922 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	31.70 грн
500+	21.59 грн
1000+	18.39 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 2438 шт:

термін постачання 301-310 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDF-7

Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 11W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDFQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDFQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDFQ-13

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDFQ-13

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDFQ-7

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDFQ-7

N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFDFQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 5 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFV-13

Description: MOSFET N-CH 60V 43.3A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.95W (Ta), 33.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFV-13

Trans MOSFET N-CH 60V 43.3A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFV-13

MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFV-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 34.7A; Idm: 170A; 1.95W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 34.7A
Pulsed drain current: 170A
Power dissipation: 1.95W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFV-7

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFV-7

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFV-7

Trans MOSFET N-CH 60V 43.3A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LFV-7

MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LPS-13

Description: MOSFET N-CH 60V POWERDI

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LPSW-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.5A; Idm: 120A; 3.1W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 3.1W
Drain current: 10.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LPSW-13

Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 31.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 17.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LSS

MOSFETs

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LSS-13

Description: MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V

на замовлення 8322 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.87 грн
10+	33.06 грн
100+	21.32 грн
500+	15.26 грн
1000+	13.73 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 10.4A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.70 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LSS-13

Description: DIODES INC. - DMT6012LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.4 A, 8400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

16+	54.05 грн
25+	33.16 грн
100+	22.03 грн

Мінімальне замовлення: 16 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 10.4A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LSS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.4A; Idm: 65A; 1.84W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 1.84W
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LSS-13

Description: MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	13.35 грн
5000+	11.76 грн
7500+	11.21 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 10.4A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.98 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LSS-13

Description: DIODES INC. - DMT6012LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10.4 A, 8400 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	22.03 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LSS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2.5K

на замовлення 32949 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT6012LSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 10.4A 8-Pin SO T/R

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	21.70 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6013LFDF-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6013LFDF-13

Description: MOSFET N-CH 60V 10A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6013LFDF-13

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6013LFDF-7

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.61 грн
6000+	26.51 грн
9000+	26.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6013LFDF-7

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6013LFDF-7

Description: DIODES INC. - DMT6013LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0122 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 10.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm

на замовлення 1857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	233.29 грн
10+	134.12 грн
100+	76.24 грн
500+	56.53 грн
1000+	45.57 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6013LFDF-7

Description: DIODES INC. - DMT6013LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0122 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 10.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm

на замовлення 1857 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	76.24 грн
500+	56.53 грн
1000+	45.57 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6013LFDF-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6013LFDF-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 60A; 1.2W; U-DFN2020-6
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 21.5mΩ
Power dissipation: 1.2W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6013LSS-13

Description: MOSFET N-CH 60V 10A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1081 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.43 грн
10+	33.59 грн
100+	21.73 грн
500+	15.60 грн
1000+	14.05 грн

Мінімальне замовлення: 6 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6013LSS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS 41V-60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6013LSS-13

Description: DIODES INC. - DMT6013LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0112 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

13+	64.13 грн
21+	39.75 грн

Мінімальне замовлення: 13 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6013LSS-13

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 6.5A; Idm: 60A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 21mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 6.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6013LSS-13

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6013LSS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 10A 8-Pin SO T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6013LSS-13

Diodes

MOSFET BVDSS: 31V-40V SO-8 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6013LSS-13

Description: DIODES INC. - DMT6013LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0112 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 55 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 55 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6015LFV-13

Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6015LFV-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6015LFV-13

Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6015LFV-7

Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6015LFV-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.6A; Idm: 60A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.9nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 7.6A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6015LFV-7

Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1103 pF @ 30 V

на замовлення 6998 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.11 грн
10+	43.40 грн
100+	28.37 грн
500+	20.53 грн
1000+	18.57 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6015LFV-7

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	18.72 грн
4000+	16.54 грн
6000+	15.79 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6015LFV-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 1194 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMT6015LFVW-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMT6015LFVW-7

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 127A; 2.8W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15.7nC
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2.8W
Drain current: 8A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 127A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 25 шт

В кошику од. на суму грн.

DMT6015LFVW-7