Продукція > VS-
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| VS-GT100DA60U | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 600V 184A 577W SOT227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100LA120UX | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100LA65UF | VISHAY | Description: VISHAY - VS-GT100LA65UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 94 A, 230 W, 175 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: SOT-227 Dauerkollektorstrom: 94A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100LA65UF | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 650V 94A 230W SOT-227 Current - Collector Cutoff (Max): 80 µA Power - Max: 230 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 94 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: SOT-227 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: Single Chopper Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100LA65UF | Vishay | IGBT Modules SOT227 650V 100A LS CHOPPR | на замовлення 138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100NA120UX | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT-227 Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Power - Max: 463 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 134 A IGBT Type: Trench Supplier Device Package: SOT-227 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 100A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100TP120N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MODULE 1200V 180A INT-A-PAK Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12.8 nF @ 30 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 652 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 180 A IGBT Type: Trench Supplier Device Package: INT-A-PAK NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 100A Operating Temperature: 175°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100TP60N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MODULE 600V 160A INT-A-PAK Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.71 nF @ 30 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 417 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Part Status: Last Time Buy IGBT Type: Trench Supplier Device Package: INT-A-PAK NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A Operating Temperature: 175°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100TP60N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100TS065N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 650V 96A INT-A-PAK IGBT Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Power - Max: 259 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 96 A IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 100A Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: Half Bridge Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100TS065N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100TS065N | VISHAY | Description: VISHAY - VS-GT100TS065N - IGBT-Modul, Halbbrücke, 96 A, 259 W, 175 °C, INT-A-PAK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: 259W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: INT-A-PAK Dauerkollektorstrom: 96A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100TS065N | VISHAY | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 72A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 650V Collector current: 72A Case: INT-A-Pak Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100TS065S | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 650V 247A INTA-PAK IGBT Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 247 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 517 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100TS065S | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100TS065S | VISHAY | Description: VISHAY - VS-GT100TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 247 A, 517 W, 175 °C, INT-A-PAK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: 517W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: INT-A-PAK Dauerkollektorstrom: 247A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100TS065S | VISHAY | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 185A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 650V Collector current: 185A Case: INT-A-Pak Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 660A Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100YG120UT | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Modules IGBT - ECONO IGBT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT100YG120UT | VISHAY | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: H-bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 100A Case: ECONO3 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 500A Technology: Trench Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT105LA120UX | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 134 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 463 W Current - Collector Cutoff (Max): 75 µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT105NA120UX | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 134A 463W SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 134 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 463 W Current - Collector Cutoff (Max): 75 µA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT120DA65U | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 650V 167A 577W SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 167 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 577 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.6 nF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT120DA65U | Vishay Semiconductors | IGBT Transistors SW Mod SOT-227 IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT140DA60U | Vishay Semiconductors | IGBTs 600 Volt 140 Amp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT140DA60U | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 600V 200A 652W SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 652 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT150TS065S | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT150TS065S | VISHAY | Description: VISHAY - VS-GT150TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 372 A, 789 W, 175 °C, INT-A-PAK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: 789W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: INT-A-PAK Dauerkollektorstrom: 372A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT150TS065S | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 650V 372A INTA-PAK IGBT Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 150A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT IGBT Type: Trench Current - Collector (Ic) (Max): 372 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 789 W Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| VS-GT150TS065S | VISHAY | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 280A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 650V Collector current: 280A Case: INT-A-Pak Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 750A Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT150YG120NT | VISHAY | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge,NTC thermistor Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: H-bridge; NTC thermistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 150A Case: ECONO3 Electrical mounting: Press-in PCB Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 675A Technology: Trench Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT150YG120NT | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Modules IGBT - ECONO IGBT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT175DA120U | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 288A 1087W SOT227 Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Power - Max: 1087 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 288 A IGBT Type: Trench Supplier Device Package: SOT-227 NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Single Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT175DA120U | Vishay | IGBT Modules Output & SW Modules - SOT-227 IGBT | на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT180DA120U | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MODULE 1200V 281A SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 281 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 1087 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.35 nF @ 25 V | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| VS-GT180DA120U | Vishay Semiconductors | IGBT Modules 1200V, 180A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr | на замовлення 507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT180DA120U | VISHAY | Description: VISHAY - VS-GT180DA120U - IGBT-Modul, 281 A, 1.087 kW, 150 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): - Verlustleistung Pd: 1.087kW euEccn: NLR Verlustleistung: 1.087kW Bauform - Transistor: SOT-227 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 281A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: - productTraceability: No DC-Kollektorstrom: 281A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT200TP065N | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: IGBT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT200TP065N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT200TS065N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT200TS065N | VISHAY | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 144A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 650V Collector current: 144A Case: INT-A-Pak Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 450A Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT200TS065N | VISHAY | Description: VISHAY - VS-GT200TS065N - IGBT-Modul, Halbbrücke, 193 A, 517 W, 175 °C, INT-A-PAK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: 517W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: INT-A-PAK Dauerkollektorstrom: 193A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT200TS065N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: MODULES IGBT - IAP IGBT Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Box Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Power - Max: 517 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 193 A IGBT Type: Trench Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: Half Bridge Inverter Input: Standard | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| VS-GT200TS065S | VISHAY | Description: VISHAY - VS-GT200TS065S - IGBT-Modul, Halbbrücke, 476 A, 1 kW, 175 °C, INT-A-PAK tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: 1kW SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: INT-A-PAK Dauerkollektorstrom: 476A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Halbbrücke productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT200TS065S | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: MODULES IGBT - IAP IGBT Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Power - Max: 1000 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 476 A IGBT Type: Trench Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.32V @ 15V, 200A Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: Half Bridge Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Box | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| VS-GT200TS065S | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Modules IGBT - IAP IGBT | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT200TS065S | VISHAY | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 378A Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: transistor/transistor Topology: IGBT half-bridge Max. off-state voltage: 650V Collector current: 378A Case: INT-A-Pak Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 810A Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT250SA60S | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 600V 359A 750W SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.16V @ 15V, 100A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 359 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 750 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.2 nF @ 25 V | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| VS-GT250SA60S | Vishay | IGBT Modules Modules IGBT - SOT-227 IGBT | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT250SA60S | VISHAY | Description: VISHAY - VS-GT250SA60S - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 359 A, 750 W, 175 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Verlustleistung: 750W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-227 Dauerkollektorstrom: 359A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT300FD060N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 600V 379A INT-A-PAK Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 379 A Input Capacitance (Cies) @ Vce: 23.3 nF @ 30 V Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA Power - Max: 1250 W IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: Dual INT-A-PAK NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 300A Operating Temperature: 175°C (TJ) Configuration: Three Level Inverter Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Dual INT-A-PAK (4 + 8) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT300FD060N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT300TD60S | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 600V 580A INT-A-PAK Packaging: Tube Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.47V @ 15V, 300A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: INT-A-PAK IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 466 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 882 W Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.2 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT300TD60S | Vishay | IGBT Modules Modules IGBT - DIAP IGBT | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT300YH120N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT300YH120N | VISHAY | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 300A; Trench Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: diode/transistor Topology: MOSFET half-bridge + serial diodes Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 300A Case: Dual INT-A-Pak Electrical mounting: FASTON connectors; screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 720A Technology: Trench Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT300YH120N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 341A INT-A-PAK Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8) Packaging: Bulk Input Capacitance (Cies) @ Vce: 36 nF @ 30 V Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA Power - Max: 1042 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 341 A IGBT Type: Trench Supplier Device Package: Double INT-A-PAK NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.17V @ 15V, 300A (Typ) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT400LH060N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MODULE 600V 492A INT-A-PAK Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 400A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Double INT-A-PAK IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 492 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 1363 W Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT400LH060N | Vishay | IGBT Modules INT-A-PAK 600V 400A IGBT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT400TD60S | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MODULE 600V 711A INT-A-PAK Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA Power - Max: 1364 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 711 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: INT-A-PAK NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 400A Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT400TD60S | Vishay | IGBT Modules Modules IGBT - DIAP IGBT | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT400TH120N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MODULE 1200V 600A INT-A-PAK Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28.8 nF @ 25 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 2119 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Part Status: Obsolete IGBT Type: Trench Supplier Device Package: Double INT-A-PAK NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A Operating Temperature: 150°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT400TH120U | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 750A INT-A-PAK Input Capacitance (Cies) @ Vce: 51.2 nF @ 30 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 2344 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 750 A Part Status: Obsolete IGBT Type: Trench Supplier Device Package: Double INT-A-PAK NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 400A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT400TH60N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - DIAP IGBT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT400TH60N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MODULE 600V 530A INT-A-PAK Input Capacitance (Cies) @ Vce: 30.8 nF @ 30 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 1600 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 530 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Supplier Device Package: Double INT-A-PAK NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 400A Operating Temperature: 175°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Double INT-A-PAK (3 + 8) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT50LA65UF | VISHAY | Description: VISHAY - VS-GT50LA65UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 59 A, 163 W, 175 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 163W Bauform - Transistor: SOT-227 Dauerkollektorstrom: 59A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT50LA65UF | Vishay | IGBT Modules SOT227 650V 50A LS CHOPPR | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT50LA65UF | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 650V 59A 163W SOT-227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 59 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Power - Max: 163 W Current - Collector Cutoff (Max): 40 µA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT50TP120N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MODULE 1200V 100A INT-A-PAK Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Part Status: Obsolete IGBT Type: Trench Supplier Device Package: INT-A-PAK NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 50A Operating Temperature: 175°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4) Packaging: Bulk Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.24 nF @ 30 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Power - Max: 405 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT50TP120N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT50TP60N | Vishay Semiconductors | IGBT Modules Output & SW Modules - IAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT50TP60N | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 600V 85A 208W INT-A-PAK IGBT Type: Trench Supplier Device Package: INT-A-PAK NTC Thermistor: No Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Operating Temperature: 175°C (TJ) Configuration: Half Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: INT-A-PAK (3 + 4) Packaging: Bulk Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.03 nF @ 30 V Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Power - Max: 208 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 85 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT50YF120NT | Vishay Semiconductors | IGBTs ECONO-4PACK IGBT MODULE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT50YF120NT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MODULE 1200V 64A 231W Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 64 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 231 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| VS-GT51YF120NT | Vishay Semiconductors | IGBT Modules MODULES IGBT - ECONO IGBT | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT55LA120UX | Vishay Semiconductors | IGBTs SOT-227-LOW SIDE CHOPPER IGBT | на замовлення 224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT55LA120UX | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 68A 291W SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 68 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 291 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| VS-GT55LA120UX | VISHAY | Description: VISHAY - VS-GT55LA120UX - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 68 A, 291 W, 150 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: SOT-227 Dauerkollektorstrom: 68A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT55NA120UX | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 68A 291W SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Chopper Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 68 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 291 W Current - Collector Cutoff (Max): 50 µA | на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| VS-GT55NA120UX | VISHAY | Description: VISHAY - VS-GT55NA120UX - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 68 A, 291 W, 150 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen euEccn: NLR Verlustleistung: 291W Bauform - Transistor: SOT-227 Dauerkollektorstrom: 68A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT55NA120UX | Vishay Semiconductors | IGBTs SOT-227-HI SIDE CHOPPER IGBT | на замовлення 278 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT600TH060S | Vishay | IGBT Modules Modules IGBT - DIAP IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT75LA60UF | VISHAY | Description: VISHAY - VS-GT75LA60UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 81 A, 231 W, 175 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Verlustleistung: 231W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-227 Dauerkollektorstrom: 81A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT75LA60UF | Vishay | IGBT Modules MODULES IGBT - SOT-227 IGBT | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT75LP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: IGBT 1200V 150A 543W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT75NA60UF | VISHAY | Description: VISHAY - VS-GT75NA60UF - IGBT-Modul, Einfach, Chopper, 81 A, 231 W, 175 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Verlustleistung: 231W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-227 Dauerkollektorstrom: 81A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V IGBT-Konfiguration: Einfach, Chopper productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT75NA60UF | Vishay | IGBT Modules MODULES IGBT - SOT-227 IGBT | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT75NP120N | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: IGBT 1200V 150A 446W INT-A-PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT75YF120NT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MODULE 1200V 118A 431W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Power - Max: 431 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 118 A Part Status: Active IGBT Type: Trench Field Stop NTC Thermistor: Yes Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Configuration: Full Bridge Input: Standard Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Module Packaging: Box | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| VS-GT75YF120NT | Vishay Semiconductors | IGBT Transistors ECONO - 4 PACK IGBT | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT75YF120UT | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MODULE 1200V 118A 431W Packaging: Box Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Full Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 75A NTC Thermistor: Yes IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 118 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 431 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA | на замовлення 106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| VS-GT75YF120UT | Vishay Semiconductors | IGBT Transistors ECONO - 4 PACK IGBT | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT76YF120NT | Vishay Semiconductors | IGBT Modules MODULES IGBT - ECONO IGBT | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT80DA120U | Vishay Semiconductors | IGBT Modules 1200V, 80A Tch IGBT SOT-227 Bplr Tnstr | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT80DA120U | VISHAY | Description: VISHAY - VS-GT80DA120U - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 139 A, 658 W, 150 °C, SOT-227 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: Trench-Transistor hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: - IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Verlustleistung: 658W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-227 Dauerkollektorstrom: 139A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT80DA120U | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 1200V 139A 658W SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.55V @ 15V, 80A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 139 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 658 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.4 nF @ 25 V | на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||
| VS-GT80DA120U | VISHAY | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 80A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 80A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 170A Technology: Trench Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT80DA60U | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: IGBT MOD 600V 123A 454W SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Single Switch Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 80A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: SOT-227 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 123 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Power - Max: 454 W Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 10.8 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT80DA60U | Vishay Semiconductors | IGBT Modules MODULES IGBT - SOT-227 IGBT | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT90DA120U | Vishay Semiconductors | IGBTs SOT-227 - SINGLE SWITCH IGBT + | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| VS-GT90DA120U | VISHAY | Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 106A; SOT227B Type of semiconductor module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Collector current: 106A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 350A Technology: Trench Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Mechanical mounting: screw | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |