Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 43A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 179 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7736 pF @ 24 V
на замовлення 481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.19 грн
10+91.46 грн
100+66.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8303TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43 A, 1100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET, HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1100µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.90 грн
10+97.76 грн
100+73.48 грн
500+54.01 грн
1000+48.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8303TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 43A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 1371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
433+81.89 грн
500+78.42 грн
1000+74.07 грн
Мінімальне замовлення: 433 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 42A; 156W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 42A
Power dissipation: 156W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.35 грн
13+62.40 грн
25+61.45 грн
50+58.35 грн
100+53.17 грн
250+50.24 грн
500+49.43 грн
1000+48.61 грн
3000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 42A/100A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.49 грн
10+114.05 грн
100+87.98 грн
500+66.95 грн
1000+49.51 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFET N-CH 30V 100A PQFN
на замовлення 3465 шт:
термін постачання 189-198 дні (днів)
3+129.53 грн
10+114.83 грн
100+80.30 грн
500+65.64 грн
1000+54.40 грн
2000+52.02 грн
4000+44.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 42A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
228+62.40 грн
231+61.45 грн
235+60.51 грн
239+57.43 грн
250+52.33 грн
500+49.43 грн
1000+48.61 грн
3000+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 42A/100A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8307TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8307TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 0.0011 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 156W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe StrongIRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.98 грн
500+66.95 грн
1000+49.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V
на замовлення 41664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.69 грн
10+63.01 грн
100+41.98 грн
500+30.92 грн
1000+28.19 грн
2000+25.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+115.68 грн
12+73.07 грн
100+48.72 грн
500+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
676+52.43 грн
1000+48.35 грн
Мінімальне замовлення: 676 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+112.46 грн
189+75.03 грн
208+68.32 грн
500+54.86 грн
1000+47.42 грн
4000+39.28 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 169A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4960 pF @ 10 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.52 грн
8000+23.81 грн
12000+23.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBF
Код товару: 151197
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8311TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 1700 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.72 грн
500+35.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFET, 30V, 50A, 2 33nC Qg, PQFN5x6
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+91.24 грн
10+59.82 грн
100+39.45 грн
500+31.84 грн
1000+28.98 грн
2000+27.51 грн
4000+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8311TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8316TRPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFH8316TRPBF - IRFH8316 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
834+29.98 грн
Мінімальне замовлення: 834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8316TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 27A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 27A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8316TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 4.7nC Qg, PQFN5x6
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8316TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A/50A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8316TRPBFInternational Rectifier HiRel ProductsTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
821+43.21 грн
1000+39.86 грн
Мінімальне замовлення: 821 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8316TRPBF-IRInternational RectifierDescription: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
на замовлення 1502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
590+34.31 грн
Мінімальне замовлення: 590 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318Infineon TechnologiesInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A 5X6 PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TR2PBF.INFINEONDescription: INFINEON - IRFH8318TR2PBF. - N CHANNEL POWER MOSFET, HEXFET, 30V, 27A, PQFN-8
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 27
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 3 - 168 hours
Verlustleistung Pd: 3.6
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0025
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
на замовлення 14699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.12 грн
10+55.30 грн
100+36.44 грн
500+26.62 грн
1000+24.17 грн
2000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.85 грн
500+22.24 грн
1000+19.48 грн
5000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBFInfineon
на замовлення 428000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
474+29.97 грн
Мінімальне замовлення: 474 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+38.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 27A/120A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8318TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.0031 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.56 грн
32+25.66 грн
100+24.85 грн
500+22.24 грн
1000+19.48 грн
5000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.62 грн
37+20.62 грн
41+18.62 грн
100+16.01 грн
250+13.04 грн
500+10.80 грн
1000+9.08 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.97 грн
8000+27.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 3.1mOhms 41nC
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+94.50 грн
10+48.26 грн
100+29.96 грн
500+25.00 грн
1000+22.69 грн
2000+21.23 грн
4000+19.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
762+18.62 грн
854+16.60 грн
971+14.60 грн
1126+12.15 грн
1339+9.46 грн
Мінімальне замовлення: 762 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 27A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.82 грн
8000+27.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8318TRPBF Транзистор
Код товару: 196964
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8321TRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+24.33 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8321TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
895+39.62 грн
1000+36.53 грн
Мінімальне замовлення: 895 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8321TRPBFInfineon / IRMOSFET MOSFET, 30V, 25A, 4 4.7nC Qg, PQFN5x6
на замовлення 3660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8321TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N CH 30V 21A PQFN5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 83A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8321TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.4W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 3.4W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TR2PBF
Код товару: 157383
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TR2PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
842+42.14 грн
1000+38.85 грн
Мінімальне замовлення: 842 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.62 грн
10+65.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 50A 4.1mOhm 15nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+39.13 грн
30+25.63 грн
100+18.01 грн
250+16.50 грн
500+12.38 грн
1000+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.49 грн
13+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1095+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 1095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
507+27.98 грн
Мінімальне замовлення: 507 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.56 грн
500+26.63 грн
1000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/90A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V SINGLE N-CH 4.1mOhms 14nC
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.80 грн
10+53.56 грн
100+33.03 грн
500+25.98 грн
1000+22.83 грн
2000+20.11 грн
4000+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 23A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 23A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 10387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1095+32.37 грн
10000+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 1095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
554+25.63 грн
760+18.67 грн
767+18.48 грн
982+13.93 грн
1507+8.40 грн
Мінімальне замовлення: 554 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8324TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 4100 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
на замовлення 3931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.09 грн
16+51.32 грн
100+37.56 грн
500+26.63 грн
1000+22.07 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1095+32.37 грн
Мінімальне замовлення: 1095 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8324TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 23A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
380+37.35 грн
396+35.84 грн
500+34.55 грн
1000+32.23 грн
Мінімальне замовлення: 380 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A 5X6 PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 5mOhms 15nC
на замовлення 4058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.45 грн
10+41.19 грн
100+24.16 грн
500+21.23 грн
1000+18.85 грн
2000+16.62 грн
4000+14.80 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 3.6W; PQFN5X6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 3.6W
Case: PQFN5X6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.28 грн
27+28.04 грн
100+24.20 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.24 грн
25+33.16 грн
50+31.89 грн
100+29.46 грн
250+28.22 грн
500+28.15 грн
1000+28.08 грн
3000+28.02 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/82A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2487 pF @ 10 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.56 грн
10+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8325TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 82 A, 5000 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 54W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.93 грн
24+35.03 грн
100+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8325TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 7249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+33.00 грн
431+32.92 грн
500+32.84 грн
1000+31.59 грн
3000+29.19 грн
6000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 14A 5X6 PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 30V 25A 6.6mOhm 9.6nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TR2PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 35W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+18.53 грн
1000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBFInfineon / IRMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 6.6mOhms 9.3nC
на замовлення 6012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+57.03 грн
10+48.10 грн
100+31.21 грн
500+24.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 17A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1605+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 1605 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 17A/56A PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 35W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta), 56A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8330TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH8330TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 56 A, 5300 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 56A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 35W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 2398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.18 грн
25+33.16 грн
100+25.58 грн
500+18.53 грн
1000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A 5X6 PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TR2PBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 999A SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH8334TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 14A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 2095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
680+20.86 грн
779+18.20 грн
787+18.02 грн
885+15.45 грн
1000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 124 125 126 127 128 129 130 131 132 133 134 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]