Продукція > RD3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RD3L050SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L050SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.109 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 109mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 5A TO-252(DPAK)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 5A; Idm: 15A; 15W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.14Ω
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 15W
Gate charge: 8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.109 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
на замовлення 5818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.96 грн
10+81.29 грн
50+61.07 грн
100+51.19 грн
500+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L050SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5 A, 0.109 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.109ohm
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L050SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 5A TO252
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+215.23 грн
74+195.02 грн
100+171.23 грн
200+153.65 грн
500+129.53 грн
1000+101.42 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 101W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 85 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -60V -70A POWER MOSFET - RD3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.7mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
на замовлення 1822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.63 грн
10+139.05 грн
100+96.30 грн
500+73.21 грн
1000+67.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L07BATTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -70A Power MOSFET
на замовлення 54362 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+165.15 грн
10+123.78 грн
100+78.28 грн
500+64.45 грн
1000+61.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L07BATTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L07BATTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0101ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L07BATTL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+132.86 грн
113+126.91 грн
250+121.82 грн
500+113.23 грн
Мінімальне замовлення: 108 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L07BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L07BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L07BBGTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 4342 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+254.19 грн
10+126.78 грн
100+99.80 грн
500+82.19 грн
1000+81.54 грн
2500+76.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L07BBGTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L07BBGTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 115 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 115A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 102W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L07BBGTL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 115A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.27 грн
10+196.37 грн
100+157.83 грн
500+121.69 грн
1000+100.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
269+53.24 грн
292+48.88 грн
301+47.42 грн
500+43.98 грн
1000+39.21 грн
Мінімальне замовлення: 269 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+99.32 грн
156+91.61 грн
250+83.31 грн
500+72.65 грн
1000+58.32 грн
Мінімальне замовлення: 144 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V Vdss 8A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 5291 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+133.18 грн
10+82.52 грн
100+50.36 грн
500+40.51 грн
1000+37.31 грн
2500+34.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L080SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.32 грн
10+87.91 грн
100+68.37 грн
500+54.38 грн
1000+44.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L080SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 10371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.91 грн
10+75.04 грн
50+56.25 грн
100+47.08 грн
500+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 8A TO-252 (DPAK)
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+121.77 грн
10+56.94 грн
100+43.51 грн
500+34.31 грн
1000+31.12 грн
2500+27.92 грн
5000+25.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L080SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 15W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.58 грн
7500+28.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L080SNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8A; Idm: 16A; 15W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 109mΩ
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 15W
Gate charge: 9.4nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BBJHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, Pch -60V -80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2121 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+243.53 грн
10+121.53 грн
100+95.24 грн
500+77.63 грн
2500+72.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BBJHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L08BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0107 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BBKHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.28 грн
10+164.06 грн
50+126.70 грн
100+107.59 грн
500+87.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+252.67 грн
10+162.04 грн
100+99.15 грн
500+80.89 грн
2500+75.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BBKHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BBKHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BBLHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.28 грн
10+164.06 грн
50+126.70 грн
100+107.59 грн
500+87.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BBLHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+252.67 грн
10+162.04 грн
100+99.15 грн
500+80.89 грн
2500+75.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BBLHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+82.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BBLHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTLROHM SemiconductorMOSFETs RD3L08BGN is a power MOSFET, suitable for swithing applications.
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+180.37 грн
10+147.78 грн
100+102.41 грн
250+94.59 грн
500+85.45 грн
1000+73.71 грн
2500+69.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTLROHMDescription: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung Pd: 119W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 119W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0042ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+249.18 грн
60+239.69 грн
100+231.56 грн
250+216.52 грн
500+195.02 грн
1000+182.64 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO252
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.95 грн
10+194.51 грн
100+156.32 грн
500+120.53 грн
1000+99.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTLROHMDescription: ROHM - RD3L08BGNTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 119W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08BGNTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+249.18 грн
60+239.69 грн
100+231.56 грн
250+216.52 грн
500+195.02 грн
1000+182.64 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08CBKHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L08CBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08CBKHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08CBKHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L08CBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08CBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, Discrete Semiconductors, MOSFETs, Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+191.78 грн
10+93.77 грн
100+72.41 грн
500+58.90 грн
1000+55.71 грн
2500+48.86 грн
5000+48.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08CBKHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.67 грн
10+123.20 грн
50+93.85 грн
100+79.21 грн
500+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08CBLHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.48 грн
10+119.77 грн
50+91.34 грн
100+77.12 грн
500+62.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08CBLHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L08CBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08CBLHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+186.45 грн
10+90.77 грн
100+71.10 грн
500+57.21 грн
1000+55.12 грн
2500+50.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08CBLHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08CBLHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L08CBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08CBLHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08DBKHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
на замовлення 2462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.97 грн
10+103.40 грн
50+78.41 грн
100+66.03 грн
500+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08DBKHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 N-CH 60V 80A
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+161.34 грн
10+78.02 грн
100+61.12 грн
500+48.53 грн
1000+47.03 грн
2500+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08DBKHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08DBKHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08DBLHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L08DBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08DBLHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.97 грн
10+103.40 грн
50+78.41 грн
100+66.03 грн
500+52.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08DBLHRBTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+161.34 грн
10+78.02 грн
100+61.12 грн
500+48.53 грн
1000+47.03 грн
2500+41.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08DBLHRBTLROHMDescription: ROHM - RD3L08DBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 7600 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 76W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7600µohm
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08DBLHRBTLRohm SemiconductorDescription: NCH 60V 80A, TO-252 (DPAK), POWE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L08DBLHRTTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L140SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.40 грн
5000+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V Vdss -14A TO-252(DPAK); TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L140SPFRATL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.084 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.77 грн
10+86.50 грн
100+67.25 грн
500+53.50 грн
1000+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L140SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.31 грн
7500+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L140SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 14 A, 0.06 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 14A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
на замовлення 8870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.65 грн
10+101.68 грн
50+76.94 грн
100+64.71 грн
500+51.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L140SPTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Pch -60V -14A TO-252(DPAK)
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+121.01 грн
10+90.77 грн
100+57.86 грн
500+46.18 грн
1000+42.21 грн
2500+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L150SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.41 грн
10+113.15 грн
100+88.20 грн
500+68.38 грн
1000+53.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L150SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L150SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L150SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V Vdss 15A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+156.01 грн
10+74.87 грн
100+58.32 грн
500+46.38 грн
1000+43.90 грн
2500+39.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L150SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L150SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 15 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 20W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.028ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 6260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L150SNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 15A TO-252 (DPAK)
на замовлення 3608 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+124.05 грн
10+58.66 грн
100+44.62 грн
500+35.94 грн
1000+33.86 грн
2500+29.48 грн
5000+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L150SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 10917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.00 грн
10+77.04 грн
50+57.88 грн
100+48.52 грн
500+38.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L150SNTL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 30A; 20W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 51mΩ
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 20W
Gate charge: 18nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L150SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 15A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.86 грн
7500+30.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L220SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L220SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L220SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
на замовлення 2327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.34 грн
10+140.47 грн
100+112.87 грн
500+87.03 грн
1000+72.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L220SNFRATLROHMDescription: ROHM - RD3L220SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L220SNFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V Vdss 22A ID TO-252(DPAK); TO-252
на замовлення 2450 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+197.87 грн
10+116.28 грн
100+73.06 грн
500+61.71 грн
1000+57.80 грн
2500+54.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L220SNFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L220SNTL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 22A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.33 грн
7500+43.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L220SNTL1ROHMDescription: ROHM - RD3L220SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 22 A, 0.026 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.026ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RD3L220SNTL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 60V 22A TO-252(DPAK)
на замовлення 971 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+161.34 грн
10+78.02 грн
100+60.60 грн
500+48.40 грн
1000+46.90 грн
2500+41.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.