Продукція > SIR

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIR670DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR672DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 27.6A SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680ADP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 2880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680ADP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 2880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30.7A/125A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 2880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30.7A/125A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
на замовлення 7503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.60 грн
10+138.73 грн
100+99.00 грн
500+75.22 грн
1000+69.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80V PowerPAK SO-8
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 125A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 3.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 125A
Power dissipation: 104W
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 2880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3-XVishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+91.28 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+75.15 грн
6000+70.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+91.69 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 100A; Idm: 200A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
On-state resistance: 3.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Pulsed drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 14210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.77 грн
10+153.22 грн
100+106.73 грн
500+81.51 грн
1000+80.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDPVishayTrans MOSFET N-CH 80V 31.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 31.8A/130A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7250 pF @ 40 V
на замовлення 37363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.36 грн
10+146.81 грн
100+101.99 грн
500+77.74 грн
1000+76.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 130A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 42539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET 42AJ0490
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 12680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 31.8A/130A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7250 pF @ 40 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.53 грн
6000+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Ch 80-V (D-S)
на замовлення 42214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 31.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00233ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 34134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 1760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-UE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 130A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR681DPVishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR681DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 71.9 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
на замовлення 20052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+169.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.94 грн
10+197.25 грн
25+196.34 грн
50+187.44 грн
100+124.63 грн
250+118.45 грн
500+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+288.94 грн
72+197.25 грн
73+187.44 грн
102+124.63 грн
250+118.45 грн
500+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK P CHAN 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR681DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 71.9 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 33346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 8423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 30 V
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+108.99 грн
100+80.72 грн
500+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+67.83 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR690DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 34.4A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34.4A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+67.43 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 12678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.33 грн
10+97.74 грн
100+66.66 грн
500+50.08 грн
1000+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.56 грн
10+120.94 грн
25+119.73 грн
100+91.13 грн
250+79.73 грн
500+65.27 грн
1000+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR690DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.34 грн
6000+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+66.81 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR690DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR690DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 5613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 34.4A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34.4A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR692DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR692DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24.2 A, 0.063 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 125 V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.98 грн
10+114.73 грн
100+78.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR692DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR692DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24.2 A, 0.063 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 125 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR692DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 24.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR696DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 125V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR696DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 75 V
на замовлення 11821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+83.10 грн
100+55.97 грн
500+41.62 грн
1000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR696DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 125V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 20535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR696DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR696DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 125 V, 60 A, 0.0096 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 125V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR696DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.24 грн
6000+33.47 грн
9000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR696DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 125V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.67 грн
9000+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR698DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.162 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 18520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+93.90 грн
50+70.96 грн
100+59.65 грн
500+47.46 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-110-125VAC/DC-RRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPDT; 6A; 6A/250VAC; 6A/30VDC; Variant: Relay set
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPDT
Contact current max.: 6A
AC contacts rating @R: 6A / 250V AC
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Switched voltage: max. 250V DC; max. 400V AC
Mounting: for DIN rail mounting
Relay variant: Relay set
Operate time: 20ms
Operating temperature: -40...70°C
Contact material: AgSnO2
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
IP rating: IP20
Contact resistance: 100mΩ
Coil voltage min.: 110V AC; 110V DC
Current rating: 6A
Coil voltage max.: 125V AC; 125V DC
Release time: 25ms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-110-125VAC/DC-R01RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 110VAC,110VDC; 100mA; 100mA
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Coil voltage: 110V AC; 110V DC
Max. operating current: 0.1A
Contact current max.: 0.1A
AC contacts rating @R: 0.05A / 30V AC
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Switched voltage: max. 30V AC; max. 36V DC
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: SIR6W
Relay variant: interface
Operate time: 20ms
Operating temperature: -40...55°C
Contact material: AgSnO2/Au
Body dimensions: 88.6x6.2x76mm
Mechanical durability: 10000000 cycles
IP rating: IP20
Electrical connection: screw terminals
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-12VAC/DC-CRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; Ucoil: 12VAC,12VDC; SPST; 1A; 1A/60VDC; IP20
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Mounting: for DIN rail mounting
Operating temperature: -20...55°C
Coil power consumption: 150mW
Contacts configuration: SPST
Operate time: 10ms
Switched voltage: max. 60V DC
Release time: 20ms
Coil voltage: 12V AC; 12V DC
IP rating: IP20
Type of relay: interface
Contact current max.: 1A
Relay variant: Relay set
DC contacts rating @R: 1A / 60V DC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-12VAC/DC-TRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; Ucoil: 12VAC,12VDC; SPST; 1A; 1A/280VAC; IP20
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Mounting: for DIN rail mounting
Operating temperature: -20...55°C
Coil power consumption: 150mW
AC contacts rating @R: 1A / 280V AC
Contacts configuration: SPST
Operate time: 10ms
Switched voltage: max. 280V AC
Release time: 30ms
Coil voltage: 12V AC; 12V DC
IP rating: IP20
Type of relay: interface
Contact current max.: 1A
Relay variant: Relay set
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-220-240VAC-10RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; for DIN rail mounting; Variant: Relay set
IP rating: IP20
Type of relay: interface
Mounting: for DIN rail mounting
Coil voltage min.: 220V AC
Relay variant: Relay set
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Contacts configuration: SPST
Coil voltage max.: 240V AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-220-240VAC-10-R01RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: electromagnetic; Ucoil: 220VAC; SPDT; 100mA; 0.05A/30VAC
Type of relay: electromagnetic
Coil voltage: 220V AC
Contacts configuration: SPDT
Max. operating current: 0.1A
AC contacts rating @R: 0.05A / 30V AC
DC contacts rating @R: 0.05A / 36V DC
Switched voltage: max. 30V AC; max. 36V DC
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: SIR6W
Relay variant: interface
Operate time: 20ms
Operating temperature: -25...50°C
Contact material: AgSnO2/Au
Body dimensions: 88.6x6.2x76mm
Mechanical durability: 10000000 cycles
IP rating: IP20
Electrical connection: screw terminals
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-220-240VAC/DC-RRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPDT; 6A; 6A/250VAC; 6A/30VDC; Variant: Relay set
IP rating: IP20
Contact resistance: 100mΩ
Type of relay: interface
Mounting: for DIN rail mounting
Coil voltage min.: 220V AC; 220V DC
Contact material: AgSnO2
Contact current max.: 6A
Current rating: 6A
Relay variant: Relay set
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Coil power consumption: 860mW
AC contacts rating @R: 6A / 250V AC
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -40...70°C
Contacts configuration: SPDT
Operate time: 20ms
Switched voltage: max. 250V DC; max. 400V AC
Coil voltage max.: 240V AC; 240V DC
Release time: 25ms
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+942.00 грн
10+817.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-24VAC/DC-CRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 1A; 1A/60VDC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 1A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 20ms
Coil power consumption: 300mW
DC contacts rating @R: 1A / 60V DC
Switched voltage: max. 60V DC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-24VAC/DC-ORELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 2A; 2A/32VDC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 2A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 20ms
Coil power consumption: 300mW
DC contacts rating @R: 2A / 32V DC
Switched voltage: max. 32V DC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-24VAC/DC-TRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 1A; 1A/280VAC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 1A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 30ms
Coil power consumption: 300mW
AC contacts rating @R: 1A / 280V AC
Switched voltage: max. 280V AC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-24VDC-R вихід: контакт 1C/O 6A 250VAC
Код товару: 167067
Додати до обраних Обраний товар
Реле
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.