Продукція > SiR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIR680LDP-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR681DPVishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.94 грн
10+197.25 грн
25+196.34 грн
50+187.44 грн
100+124.63 грн
250+118.45 грн
500+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK P CHAN 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+288.94 грн
72+197.25 грн
73+187.44 грн
102+124.63 грн
250+118.45 грн
500+86.11 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR681DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 71.9 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 33263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.15 грн
10+159.32 грн
100+115.42 грн
500+84.54 грн
1000+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+78.53 грн
6000+73.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+169.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 40 V
на замовлення 7305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.96 грн
10+159.41 грн
100+111.21 грн
500+85.05 грн
1000+84.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR681DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 71.9 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 33346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+115.42 грн
500+84.54 грн
1000+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+108.99 грн
100+80.72 грн
500+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 8423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR690DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.04 грн
500+61.89 грн
1000+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.34 грн
6000+42.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7316 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.56 грн
10+120.94 грн
25+119.73 грн
100+91.13 грн
250+79.73 грн
500+65.27 грн
1000+58.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR690DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.86 грн
10+86.16 грн
100+71.04 грн
500+61.89 грн
1000+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+66.81 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+67.83 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 12678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.33 грн
10+97.74 грн
100+66.66 грн
500+50.08 грн
1000+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+67.43 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR690DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+81.28 грн
500+66.65 грн
1000+53.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR690DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.01 грн
10+121.11 грн
100+103.23 грн
500+73.59 грн
1000+63.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR692DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 24.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR692DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR692DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24.2 A, 0.052 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.16 грн
500+64.16 грн
1000+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 125 V
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.28 грн
10+112.16 грн
100+76.72 грн
500+57.78 грн
1000+53.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR692DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR692DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24.2 A, 0.052 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.57 грн
10+116.24 грн
100+86.16 грн
500+64.16 грн
1000+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 125 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR696DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR696DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 125 V, 60 A, 0.0096 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 125V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.42 грн
11+80.55 грн
100+62.02 грн
500+45.66 грн
1000+38.95 грн
5000+35.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR696DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 125V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 21561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR696DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.24 грн
6000+33.47 грн
9000+32.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR696DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 125V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR696DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 75 V
на замовлення 11821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+83.10 грн
100+55.97 грн
500+41.62 грн
1000+38.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR696DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 125V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.47 грн
6000+37.34 грн
9000+36.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR698DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.5 A, 0.162 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 23W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+114.61 грн
11+77.30 грн
100+54.38 грн
500+45.29 грн
1000+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3226 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR698DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.5A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 23W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 50 V
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+91.25 грн
100+61.78 грн
500+46.13 грн
1000+42.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-110-125VAC/DC-RRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPDT; 6A; 6A/250VAC; 6A/30VDC; Variant: Relay set
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPDT
Contact current max.: 6A
AC contacts rating @R: 6A / 250V AC
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Switched voltage: max. 250V DC; max. 400V AC
Mounting: for DIN rail mounting
Relay variant: Relay set
Operate time: 20ms
Release time: 25ms
Operating temperature: -40...70°C
Contact material: AgSnO2
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Contact resistance: 100mΩ
IP rating: IP20
Coil voltage min.: 110V AC; 110V DC
Coil voltage max.: 125V AC; 125V DC
Current rating: 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-12VAC/DC-TRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 12VAC,12VDC; 1A; 1A/280VAC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Rated coil voltage: 12V AC; 12V DC
Contact current max.: 1A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 30ms
Coil power consumption: 150mW
AC contacts rating @R: 1A / 280V AC
Switched voltage: max. 280V AC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-220-240VAC-10RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; for DIN rail mounting; Variant: Relay set
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Mounting: for DIN rail mounting
Relay variant: Relay set
Operating temperature: -20...55°C
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
IP rating: IP20
Coil voltage min.: 220V AC
Coil voltage max.: 240V AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-220-240VAC-10-R01RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 220VAC; 100mA; 0.05A/30VAC
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 220V AC
Max. operating current: 0.1A
AC contacts rating @R: 0.05A / 30V AC
DC contacts rating @R: 0.05A / 36V DC
Switched voltage: max. 30V AC; max. 36V DC
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: SIR6W
Relay variant: interface
Operate time: 20ms
Operating temperature: -25...50°C
Contact material: AgSnO2/Au
Body dimensions: 88.6x6.2x76mm
Mechanical durability: 10000000 cycles
IP rating: IP20
Electrical connection: screw terminals
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-24VAC/DC-CRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 1A; 1A/60VDC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Rated coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 1A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 20ms
Coil power consumption: 300mW
DC contacts rating @R: 1A / 60V DC
Switched voltage: max. 60V DC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-24VAC/DC-ORELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 2A; 2A/32VDC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Rated coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 2A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 20ms
Coil power consumption: 300mW
DC contacts rating @R: 2A / 32V DC
Switched voltage: max. 32V DC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-24VAC/DC-TRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 1A; 1A/280VAC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Rated coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 1A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 88.6x6.2x7.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 30ms
Coil power consumption: 300mW
AC contacts rating @R: 1A / 280V AC
Switched voltage: max. 280V AC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6W-24VDC-R вихід: контакт 1C/O 6A 250VAC
Код товару: 167067
Додати до обраних Обраний товар
Реле
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-110-125VAC/DC-RRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPDT; 6A; 6A/250VAC; 6A/30VDC; Variant: Relay set
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPDT
Contact current max.: 6A
AC contacts rating @R: 6A / 250V AC
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Switched voltage: max. 250V DC; max. 400V AC
Mounting: for DIN rail mounting
Relay variant: Relay set
Operate time: 20ms
Release time: 25ms
Operating temperature: -40...55°C
Contact material: AgSnO2
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Contact resistance: 100mΩ
IP rating: IP20
Coil power consumption: 700mW
Coil voltage min.: 110V AC; 110V DC
Coil voltage max.: 125V AC; 125V DC
Current rating: 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-110-125VAC/DC-R01RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 110VAC,110VDC; 100mA; 100mA
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 110V AC; 110V DC
Max. operating current: 0.1A
Contact current max.: 0.1A
AC contacts rating @R: 0.05A / 30V AC
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Switched voltage: max. 30V AC; max. 36V DC
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: SIR6WB
Relay variant: interface
Operate time: 20ms
Operating temperature: -40...55°C
Contact material: AgSnO2/Au
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Mechanical durability: 10000000 cycles
IP rating: IP20
Electrical connection: screw terminals
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-220-240VAC-10RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; for DIN rail mounting; Variant: Relay set
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Mounting: for DIN rail mounting
Relay variant: Relay set
Operating temperature: -40...55°C
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
IP rating: IP20
Coil voltage min.: 220V AC
Coil voltage max.: 240V AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-220-240VAC-10-R01RELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: electromagnetic; SPDT; Ucoil: 220VAC; 100mA; 0.05A/30VAC
Type of relay: electromagnetic
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 220V AC
Max. operating current: 0.1A
AC contacts rating @R: 0.05A / 30V AC
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
Switched voltage: max. 30V AC; max. 36V DC
Mounting: for DIN rail mounting
Manufacturer series: SIR6WB
Relay variant: interface
Operate time: 20ms
Operating temperature: -25...50°C
Contact material: AgSnO2/Au
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Mechanical durability: 10000000 cycles
IP rating: IP20
Electrical connection: screw terminals
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-24VAC/DC-CRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 1A; 1A/60VDC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Rated coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 1A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 20ms
Coil power consumption: 300mW
DC contacts rating @R: 1A / 60V DC
Switched voltage: max. 60V DC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-24VAC/DC-ORELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPST; Ucoil: 24VAC,24VDC; 2A; 2A/32VDC; IP20
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPST
Rated coil voltage: 24V AC; 24V DC
Contact current max.: 2A
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Operating temperature: -20...55°C
Operate time: 10ms
Release time: 20ms
Coil power consumption: 300mW
DC contacts rating @R: 2A / 32V DC
Switched voltage: max. 32V DC
Relay variant: Relay set
IP rating: IP20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-24VDC-RAltechIndustrial Relays Interface relay, SPDT, 6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-24VDC-RAltech CorporationDescription: INTERFACE RELAY, SPDT, 6A
Packaging: Bulk
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1089.89 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR6WB-24VDC-RRELPOLCategory: Electromagnetic Relays - Sets
Description: Relay: interface; SPDT; Ucoil: 24VDC; 6A; 6A/250VAC; 6A/30VDC; 100mΩ
Type of relay: interface
Contacts configuration: SPDT
Rated coil voltage: 24V DC
Contact current max.: 6A
AC contacts rating @R: 6A / 250V AC
Switched voltage: max. 250V DC; max. 400V AC
Relay variant: Relay set
Mounting: for DIN rail mounting
Body dimensions: 95x6.2x76.6mm
Coil power consumption: 400mW
Contact resistance: 100mΩ
Contact material: AgSnO2
Current rating: 6A
Operating temperature: -40...70°C
DC contacts rating @R: 6A / 30V DC
IP rating: IP20
Operate time: 8ms
Release time: 10ms
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+828.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIR72003FOOB2
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR72104F00B200EPSON06+
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR72104FOOB1EPSON2010+ QFP
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR72105FOA21
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR72805F00A1EPSONQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR72805FOOA1EPSON
на замовлення 84 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR747DP-T1-GE3
на замовлення 1698 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 8A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 17.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR770DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR774DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 40A (Tc)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR788DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 60A 48W 3.4mohm @ 10V
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR788DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR788DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR798DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30 Volts 60 Amps 83 Watts
на замовлення 3001 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR800ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 1350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 177A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.14 грн
10+111.36 грн
100+76.57 грн
500+56.53 грн
1000+51.49 грн
5000+48.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 8460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
на замовлення 8266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.63 грн
10+94.88 грн
100+64.53 грн
500+48.37 грн
1000+46.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds; 12/-8V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR800ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 1350 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 177A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.73 грн
14+60.88 грн
100+40.40 грн
500+29.29 грн
1000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR800ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 177 A, 1350 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 177A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.40 грн
500+29.29 грн
1000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50.2A/177A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3415 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): +12V, -8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50.2A (Ta), 177A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.35 грн
10+54.04 грн
100+35.70 грн
500+26.12 грн
1000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.36 грн
10+108.84 грн
100+74.19 грн
500+55.70 грн
1000+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3VishayMOSFET 20V 50A N-CH MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR802DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20 Volts 30 Amps 27.7 Watts
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR802DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]