Продукція > SiR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIR668DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 95A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR668DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 41816 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR668DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR668DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 95 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 95A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
на замовлення 7223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR668DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 95A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 50 V
на замовлення 5591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.94 грн
10+148.15 грн
100+102.64 грн
500+78.04 грн
1000+72.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/B
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/L
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/L50EVERLIGH2010+ 1210
на замовлення 71100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/L9
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/L9/TR10EverlightInfrared Emitters Infrared LED
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/TR8Everlight Electronics CO., LTDInfrared Emitter 875nm 4.5mW/sr Circular Top Mount 2-Pin SMD T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 65MA SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, J-Lead
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 120°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 65MA SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, J-Lead
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount
Type: Infrared (IR)
Orientation: Top View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 120°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/TR8EverlightInfrared Emitters Infrared LED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR67-21C/TR8EVERLIGHTCategory: IR LEDs
Description: IR transmitter; transparent; 120°; 875nm; SMD; 20mA; 0.5mW/sr; 1.3V
Type of diode: IR transmitter
LED lens: transparent
Viewing angle: 120°
Wavelength of peak sensitivity: 875nm
Mounting: SMD
LED current: 20mA
radiant intensity: 0.5mW/sr
Case - mm: 3528
Case - inch: 1411
Operating voltage: 1.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 60A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 56.8W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR670DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR672DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 27.6A SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680ADP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 2880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680ADP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 2880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 2880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30.7A/125A PPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
на замовлення 7503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.72 грн
10+141.68 грн
100+101.10 грн
500+76.82 грн
1000+71.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80V PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 30.7A/125A PPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.88mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.7A (Ta), 125A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4415 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 30.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 125 A, 2880 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2880µohm
на замовлення 2857 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 125A; Idm: 300A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 3.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 125A
Power dissipation: 104W
Pulsed drain current: 300A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680ADP-T1-RE3-XVishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 14210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.95 грн
10+156.48 грн
100+109.00 грн
500+83.24 грн
1000+82.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+91.08 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 100A; Idm: 200A
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
On-state resistance: 3.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Pulsed drain current: 200A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11368 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR680DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.75 грн
6000+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+91.48 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDPVishayTrans MOSFET N-CH 80V 31.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 130A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.55mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 135nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00233ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 34134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 31.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 42539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 31.8A/130A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7250 pF @ 40 V
на замовлення 37363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.34 грн
10+149.93 грн
100+104.15 грн
500+79.39 грн
1000+78.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR680LDP-T1-RE3 - N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET 42AJ0490
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 12680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-Ch 80-V (D-S)
на замовлення 42214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 31.8A/130A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.8A (Ta), 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7250 pF @ 40 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+73.05 грн
6000+67.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR680LDP-T1-UE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 130A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 130A
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchFET®
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR681DPVishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 40 V
на замовлення 7305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.35 грн
10+162.80 грн
100+113.57 грн
500+86.86 грн
1000+86.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR681DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 71.9 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
на замовлення 20052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+169.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs POWRPK P CHAN 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 17.6A/71.9A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.6A (Ta), 71.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+80.20 грн
6000+75.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.30 грн
10+196.82 грн
25+195.90 грн
50+187.02 грн
100+124.35 грн
250+118.19 грн
500+85.92 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR681DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 71.9 A, 0.0112 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 33346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR681DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET P-CH 80V 17.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+288.30 грн
72+196.82 грн
73+187.02 грн
102+124.35 грн
250+118.19 грн
500+85.92 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 8423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+81.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3105 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+159.29 грн
10+111.31 грн
100+82.43 грн
500+62.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR688DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR690DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 12678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.70 грн
10+99.82 грн
100+68.07 грн
500+51.14 грн
1000+50.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.24 грн
10+120.67 грн
25+119.46 грн
100+90.93 грн
250+79.56 грн
500+65.12 грн
1000+58.01 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 34.4A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34.4A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+66.67 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR690DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR690DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.30 грн
6000+43.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+67.68 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR690DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.0285 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0285ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 34.4A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR690DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 34.4 A, 0.035 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 5613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 34.4A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1935 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 34.4A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34.4A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 104W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 200V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR690DP-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 200-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR692DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 250V 24.2A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 250V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 125 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR692DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR692DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24.2 A, 0.063 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR692DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR692DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 24.2 A, 0.063 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm
на замовлення 2635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR692DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 250V 24.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 7.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1405 pF @ 125 V
на замовлення 431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.91 грн
10+117.17 грн
100+80.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR696DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 125V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR696DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 125V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 125 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 75 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.03 грн
6000+34.19 грн
9000+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR696DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 125V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR696DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 125V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 20535 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR696DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR696DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 125 V, 60 A, 0.0096 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 125V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0096ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 17239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]