Продукція > PMP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMPB10XNE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE/S500,ZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB10XNE/S500,Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2573+11.62 грн
Мінімальне замовлення: 2573 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE/S500,ZNexperiaPMPB10XNE/S500,Z
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2614+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 2614 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE/S500ZNexperia USA Inc.Description: PMPB10XN - N Channel MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2137+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 2137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNE184Rochester Electronics, LLCDescription: 20 V, SINGLE N CHANNEL TRENCH MO
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2628 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1030+13.74 грн
Мінімальне замовлення: 1030 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+13.74 грн
1000+13.51 грн
3000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 55 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB10XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.01 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2689+13.15 грн
Мінімальне замовлення: 2689 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB10XNEAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 9 A, 0.01 ohm, SOT-1220, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: SOT-1220
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.24 грн
22+38.53 грн
100+24.63 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNEAXNexperiaMOSFETs 20 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+11.14 грн
9000+10.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.85 грн
100+20.54 грн
500+14.68 грн
1000+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNEZNexperiaMOSFETs PMPB10XNE/SOT1220/SOT1220
на замовлення 3438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.35 грн
12+28.20 грн
100+16.72 грн
500+13.17 грн
1000+11.70 грн
3000+8.64 грн
6000+8.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2175 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+12.21 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNXNexperiaMOSFETs SOT1220 N-CH 30V 9.5A
на замовлення 3142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.15 грн
10+36.54 грн
50+23.20 грн
100+20.41 грн
250+20.14 грн
1000+15.12 грн
3000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A DFN2020MD-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1761 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
13+23.55 грн
100+17.59 грн
500+12.82 грн
1000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB10XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.05 грн
500+13.13 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 9.5A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 9.5A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1761 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB10XNXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB10XNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9.5 A, 0.011 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.99 грн
28+29.83 грн
100+18.05 грн
500+13.13 грн
1000+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB11EN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB11EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB11EN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB11EN,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.012 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.20 грн
31+26.58 грн
100+22.03 грн
500+16.98 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB11EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 864000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2916+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 2916 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB11EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB11EN,115NexperiaMOSFETs PMPB11EN/SOT1220/SOT1220
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.53 грн
10+37.74 грн
50+23.97 грн
100+21.11 грн
250+20.20 грн
1000+14.84 грн
3000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB11EN,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 9A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 10 V
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+27.93 грн
100+17.94 грн
500+12.80 грн
1000+11.49 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB11EN,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB11EN,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.012 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.03 грн
500+16.98 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB11EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB11EN,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB11ENXNexperia USA Inc.Description: PMPB11EN/SOT1220/SOT1220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 840 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB11R2VPXNexperiaMOSFETs PMPB11R2VP/SOT1220-2/DFN2020M-
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.97 грн
13+26.04 грн
100+21.04 грн
500+20.76 грн
1000+19.09 грн
3000+18.95 грн
6000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB11R2VPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB11R2VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.7 A, 0.0112 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.94 грн
28+29.34 грн
100+26.42 грн
500+20.76 грн
1000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB11R2VPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 9.7A DFN2020M-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 9.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB11R2VPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB11R2VPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 9.7 A, 0.0112 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 650mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0112ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.85 грн
500+19.17 грн
1000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12EPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 7.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12EPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 7.9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.3mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12EPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 7.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12EPXNexperiaMOSFET PMPB12EPX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R5EPXNexperia USA Inc.Description: PMPB12R5EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1392 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R5EPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB12R5EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0125 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.78 грн
29+28.45 грн
100+19.35 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R5EPXNexperiaMOSFET PMPB12R5EP/SOT1220-2/DFN2020M-
на замовлення 8893 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.57 грн
10+37.34 грн
100+24.32 грн
500+19.09 грн
1000+14.77 грн
3000+13.45 грн
9000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R5EPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB12R5EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12.5 A, 0.0125 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R5EPXNexperia USA Inc.Description: PMPB12R5EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1392 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 8.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R5UPEXNexperiaMOSFET MOS DISCRETES
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R5UPEXNexperia USA Inc.Description: PMPB12R5UPE/SOT1220-2/DFN2020M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R5UPEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB12R5UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.0118 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.47 грн
34+24.63 грн
100+11.87 грн
500+9.36 грн
1000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R5UPEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB12R5UPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 13 A, 0.0118 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0118ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.87 грн
500+9.36 грн
1000+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R5UPEXNexperia USA Inc.Description: PMPB12R5UPE/SOT1220-2/DFN2020M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.4mOhm @ 9.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
на замовлення 3405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
15+20.23 грн
100+13.68 грн
500+9.98 грн
1000+9.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R7EPXNexperia USA Inc.Description: PMPB12R7EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1638 pF @ 15 V
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.61 грн
100+20.97 грн
500+14.97 грн
1000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R7EPXNexperia USA Inc.Description: PMPB12R7EP - 30 V, P-CHANNEL TRE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15.5mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020M-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1638 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R7EPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB12R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.0127 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0127ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.94 грн
500+12.53 грн
1500+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R7EPXNexperiaMOSFETs SOT1220 P-CH 30V 8.7A
на замовлення 1526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.32 грн
11+30.21 грн
100+16.93 грн
500+13.10 грн
1000+11.70 грн
3000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12R7EPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB12R7EPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 8.7 A, 0.0127 ohm, DFN2020M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9W
Bauform - Transistor: DFN2020M
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0127ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.21 грн
50+25.12 грн
100+18.94 грн
500+12.53 грн
1500+11.36 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12UN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN2020MD (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12UN,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-DFN2020MD (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 65963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1268+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 1268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12UNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 5265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+13.46 грн
1000+13.25 грн
3000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12UNEAXNexperiaMOSFETs 20 V, N-channel Trench MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3000+9.75 грн
6000+9.53 грн
9000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12UNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2058 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.92 грн
10+36.76 грн
50+26.86 грн
100+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12UNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12UNEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12UNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 7.9A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 5265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1051+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 1051 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12UNEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12UNEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 11.4A 6DFN
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 470mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7.9A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.61 грн
50+23.73 грн
100+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB12UNEXNexperiaMOSFETs PMPB12UNE/SOT1220/SOT1220
на замовлення 5448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.42 грн
11+29.97 грн
100+12.61 грн
1000+11.36 грн
3000+8.92 грн
9000+7.66 грн
24000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13UPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB13UPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 13 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13UPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 9.1A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13UPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13UPXNexperiaMOSFETs 12 V, P-channel Trench MOSFET
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.43 грн
12+28.04 грн
100+15.61 грн
500+11.84 грн
1000+10.31 грн
3000+9.34 грн
6000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13UPXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB13UPX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 13 A, 0.013 ohm, DFN2020MD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020MD
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.92 грн
15+57.71 грн
100+42.02 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13UPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3364+10.51 грн
Мінімальне замовлення: 3364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13UPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 12V 9.1A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13UPXNexperiaTrans MOSFET P-CH 12V 9.1A 6-Pin DFN-MD EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNENexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V
на замовлення 51641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
12+25.81 грн
100+16.47 грн
500+11.68 грн
1000+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2965+11.93 грн
10000+10.64 грн
Мінімальне замовлення: 2965 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 8A DFN2020MD-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.86 грн
6000+8.66 грн
9000+8.24 грн
15000+7.28 грн
21000+7.02 грн
30000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNE,115NexperiaMOSFETs SOT1220 N CHAN 30V
на замовлення 4870 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.58 грн
12+27.08 грн
100+13.38 грн
500+11.43 грн
1000+10.10 грн
3000+6.76 грн
6000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNE,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 8A 6-Pin DFN-MD EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNE/S500,XNexperiaPMPB13XNE/S500,X
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2335+15.14 грн
Мінімальне замовлення: 2335 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNE/S500,XNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMPB13XNE/S500,X - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2736+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 2736 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNE/S500XNexperia USA Inc.Description: PMPB13XNE - N-Channel Power MOSF
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2900+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 2900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNEAXNexperiaMOSFETs SOT1220 N CHAN 30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNEAXNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 11.3A Automotive AEC-Q101 6-Pin DFN-MD EP
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNEZNexperia USA Inc.Description: PMPB13XNE/SOT1220/SOT1220
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNEZNexperiaMOSFETs SOT1220 N CHAN 30V
на замовлення 4407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.28 грн
11+29.33 грн
100+16.44 грн
500+12.47 грн
1000+10.38 грн
3000+8.71 грн
6000+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB13XNEZNexperia USA Inc.Description: PMPB13XNE/SOT1220/SOT1220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2195 pF @ 15 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
на замовлення 2195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.59 грн
50+24.53 грн
100+20.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB14R0EPXNexperiaMOSFET PMPB14R0EP/SOT1220-2/DFN2020M-
на замовлення 3891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.07 грн
10+33.81 грн
100+20.48 грн
500+16.02 грн
1000+13.03 грн
3000+11.01 грн
9000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB14R0EPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 9A DFN2020M-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 15 V
на замовлення 2173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+33.51 грн
100+21.67 грн
500+15.54 грн
1000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMPB14R0EPXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 9A DFN2020M-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN2020MD-6
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 227 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18  [ Наступна Сторінка >> ]