Продукція > SIR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIR802DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR802DP-T1-GE3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR804DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 50 V
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.79 грн
10+136.92 грн
100+101.81 грн
500+87.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR804DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR804DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 14688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR808DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 815 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 29.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.9mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR812DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR812DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10240 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR812DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 60A 104W 1.45mohm @ 10V
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR814DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR818DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30 Volts 50 Amps 69 Watts
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR818DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+37.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR818DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 32A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR818DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+72.23 грн
100+56.19 грн
500+44.70 грн
1000+36.41 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR820DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3512 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 37.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR820DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADPVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.96 грн
10+148.75 грн
100+104.04 грн
500+80.01 грн
1000+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+71.71 грн
6000+66.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 86nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.04 грн
500+80.01 грн
1000+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 40 V
на замовлення 9120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.14 грн
10+147.41 грн
100+102.32 грн
500+77.97 грн
1000+76.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 40 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.40 грн
6000+38.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 25019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.62 грн
10+106.48 грн
100+74.78 грн
500+55.40 грн
1000+48.21 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 19.8A/80.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.8A (Ta), 80.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 40 V
на замовлення 23655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+146.57 грн
10+90.35 грн
100+61.33 грн
500+45.91 грн
1000+44.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.78 грн
500+55.40 грн
1000+48.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.20 грн
10+170.66 грн
100+119.22 грн
500+91.29 грн
1000+84.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
на замовлення 12921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 80V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 21884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+88.84 грн
100+60.30 грн
500+45.11 грн
1000+43.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 21.3A
на замовлення 79099 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 18914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.77 грн
500+51.40 грн
1000+38.11 грн
5000+36.65 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 21.3A/86A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.3A (Ta), 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3840 pF @ 40 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.64 грн
6000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.49 грн
50+98.35 грн
100+72.99 грн
500+54.04 грн
1500+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR836DP-T1-E3
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 14397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+26.55 грн
536+26.39 грн
540+26.22 грн
543+25.12 грн
547+23.12 грн
1000+22.05 грн
3000+21.91 грн
6000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 533 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+36.98 грн
500+28.68 грн
1000+22.57 грн
5000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 41897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR836DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 21 A, 0.015 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 15.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+72.18 грн
15+54.22 грн
100+36.98 грн
500+28.68 грн
1000+22.57 грн
5000+20.83 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 14397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.21 грн
26+29.79 грн
100+25.66 грн
250+23.65 грн
500+22.47 грн
1000+22.23 грн
3000+22.00 грн
6000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR838DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR838DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR838DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR840VISHAY08+
на замовлення 56 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR840DP
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR840DP-T1-GE3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR840DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 30-V MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR840DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR844DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR844DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR844DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR844DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 50A 50W 2.8mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR846ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.29 грн
500+73.06 грн
1000+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 11649 шт:
термін постачання 773-782 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR846ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.71 грн
10+136.56 грн
100+94.29 грн
500+73.06 грн
1000+66.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846ADP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR846BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 10321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.24 грн
10+98.35 грн
100+67.38 грн
500+45.89 грн
1000+39.99 грн
5000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V
на замовлення 8711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+93.22 грн
100+72.50 грн
500+57.67 грн
1000+46.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846BDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR846BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 10321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.38 грн
500+45.89 грн
1000+39.99 грн
5000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846BDP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100-V(D-S) PowerPAK SO-8
на замовлення 13141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846BDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 60A 104W 7.8mohm @ 10V
на замовлення 5593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846DP-T1-GE3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR850DP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR850DP-T1-E3
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR850DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR850DP-T1-GE3VISHAY07NOPB
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR850DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR850DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 25V 30A 41.7W 7.0mohm @ 10V
на замовлення 4150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR862DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR862DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR862DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 20569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR862DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR864DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 40A N-CH MOSFET
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR864DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK 8SO
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR866DP
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR866DP-T1-E3
на замовлення 9350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR866DP-T1-GE3
на замовлення 21900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR866DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR866DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 60A 83W 1.9mohm @ 10V
на замовлення 5304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR866DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR868M350S044NextGen ComponentsDescription: 868.35MHz SAW Res. +/-150KHz 4P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±150kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 868.35 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+55.49 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR868M350S045NextGen ComponentsDescription: 868.35MHz SAW Res. +/-200KHz 4P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.138" W (5.00mm x 3.50mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: SAW
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Height: 0.059" (1.50mm)
Frequency Tolerance: ±200kHz
Impedance: 50 Ohms
Frequency: 868.35 MHz
на замовлення 600000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.60 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]