Продукція > IXF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFK21N100QIXYSMOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK21N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N15PIXYSMOSFETs 220Amps 150V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N15PТранзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 220А; 1250Вт; TO264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 220A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1651.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N15P
Код товару: 163720
Додати до обраних Обраний товар
IXYSТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-264
Напруга сток-витік Uds, V: 150 V
Струм стоку Idd, A: 220 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 9 mOhm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 15,4/162
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+440.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 170V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+883.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 170V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+678.04 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N17T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+964.06 грн
10+780.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N17T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 170V 220A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31000 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1043.80 грн
25+631.71 грн
100+542.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3IXYSMOSFETs TO264 200V 220A N-CH X3CLASS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1058.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 220A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+987.88 грн
25+851.14 грн
100+811.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
Reverse recovery time: 116ns
Gate charge: 204nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 960W
Polarisation: unipolar
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1331.59 грн
3+1090.23 грн
10+977.22 грн
25+910.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 230A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 378 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1529.19 грн
25+1124.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Power dissipation: 1.67kW
Case: TO264
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 358nC
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1667.17 грн
5+1361.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK230N20T - MOSFET, N-CH, 200V, 230A, TO-264
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 230
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.67
Bauform - Transistor: TO-264
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: GigaMOS Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0075
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20TIXYSMOSFETs 230A 200V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2021.55 грн
10+1545.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N15T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 240A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 240A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 460nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3IXYSMOSFETs 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2226.92 грн
10+1749.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK240N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 240 A, 4100 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2052.96 грн
5+1966.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 240A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2198.65 грн
25+1517.67 грн
100+1463.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 240A; 1250W; TO264; 177ns
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 240A
Reverse recovery time: 177ns
Gate charge: 345nC
On-state resistance: 5mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2010.81 грн
5+1770.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 240A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2599.39 грн
25+1688.99 грн
100+1550.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1KV 24A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N100IXYSMOSFETs 1KV 24A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N100Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 1KV 24A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N100IX2004 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N100FIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 24A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N100FIXYSMOSFET IXFK24N100F 24A 1000V F-Class HiPerRF Capable MOSFET
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N100Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 24A; 1000W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 24A
Power dissipation: 1kW
Case: TO264
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N100Q3MOSFET N-CH 1KV 24A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA Q3-Class Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N100Q3IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFK24N100Q3 - Leistungs-MOSFET, Klasse Q3, n-Kanal, 1 kV, 24 A, 0.44 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.44ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2009.47 грн
5+1837.92 грн
10+1666.37 грн
50+1499.48 грн
100+1339.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 24A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2265.44 грн
25+1455.29 грн
100+1305.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2416.19 грн
10+1943.45 грн
100+1473.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 24A TO264AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 650W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N80PIXYSMOSFETs 24 Amps 800V 0.4 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 24A; 650W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 24A
Power dissipation: 650W
Case: TO264
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 105nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 24A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK24N90QIXYSMOSFETs 24 Amps 900V 0.45 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 250A; 1250W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 250A
Gate charge: 205nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Power dissipation: 1.25kW
Polarisation: unipolar
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1586.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 250A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1668.99 грн
25+1095.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK250N10PIXYSMOSFETs Polar Power MOSFET HiPerFET
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2166.52 грн
10+1565.56 грн
100+1248.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK25N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 25A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK25N90IXYSMOSFETs 25 Amps 900V 0.33 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK260N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 170V 260A TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK26N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 26A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK26N100PIXYSMOSFETs 26 Amps 1000V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK26N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1kV; 26A; 780W; TO264; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 26A
Power dissipation: 780W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Gate charge: 197nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK26N120PIXYSMOSFETs 26 Amps 1200V
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3069.37 грн
10+2236.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK26N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 26A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK26N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK26N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK26N60Q транзистор
Код товару: 209940
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK26N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 26A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK26N90IXYSMOSFETs 26 Amps 900V 0.3 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK27N80IXYSMOSFETs 800V 27A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK27N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9740 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK27N80IXYSMODULE
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK27N80QIXYSMOSFETs 27 Amps 800V 0.32 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK27N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 27A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK27N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK27N80QIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: TO264
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK300N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 300A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK300N20X3IXYSMOSFETs N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2279.28 грн
10+1935.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK300N20X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 300A TO264
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-264
Packaging: Tube
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 150A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2197.87 грн
25+1522.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK30N100Q2IXYSMOSFETs 30 Amps 1000V 0.35 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK30N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK30N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 30A TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK30N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK320N17T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 170V 320A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45000 pF @ 25 V
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2458.05 грн
25+1589.52 грн
100+1446.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK320N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 170V 320A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK320N17T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N100PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N100PIXYSMOSFETs 32 Amps 1000V 0.32 Rds
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2106.92 грн
10+1456.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1641.80 грн
25+1075.08 грн
100+1009.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2984.80 грн
10+2861.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N100Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
на замовлення 694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2819.18 грн
25+2041.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 32A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N100XLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 32A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 25 V
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1071.75 грн
25+981.86 грн
100+925.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N100XIXYSMOSFETs 1000V 32A TO-264 Power MOSFET
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2094.03 грн
10+1529.04 грн
100+1163.91 грн
500+1161.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 32A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 32A TO264AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 325 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N60IXYSMOSFETs 32 Amps 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1154.85 грн
25+705.72 грн
100+609.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80PIXYSMOSFETs 32 Amps 800V 0.27 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 32A; 1000W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 32A
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 0.27Ω
Power dissipation: 1kW
Polarisation: unipolar
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1401.39 грн
3+1151.72 грн
10+1032.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 32A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N80Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N90PIXYSMOSFETs Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 215nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 900V
Case: TO264
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK32N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 32A TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 27 30 33 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]