Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFK160N30TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK160N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 160A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 6510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1713.42 грн
25+1068.77 грн
50+993.85 грн
100+873.60 грн
500+844.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK160N30TN-CH 300V 130A TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK160N30T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK160N30T. - MOSFET, N-CH, 300V, 160A, TO-264
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.39kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GigaMOS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK16N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 16A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK16N90QIXYSMOSFETs 16 Amps 900V 0.65 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N10Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N10IXYSMOSFETs 170 Amps 100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 515 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N10PIXYSMOSFETs PolarHT HiperFET 100v, 170A
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+854.12 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 170A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+861.63 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N20PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N20PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 170A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N20PIXYSMOSFETs 170 Amps 200V 0.014 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N20PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 170A; 1150W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 170A
Power dissipation: 1.15kW
Case: TO264
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 265nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N20TIXYSMOSFETs 170A 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1389.88 грн
25+1325.71 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 170A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1696.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N25X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 170A; 890W; TO264; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 170A
Power dissipation: 890W
Case: TO264
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK170N25X3IXYSMOSFETs 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK1801IXYSDescription: MOSFET N-CH 18A TO264
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 180A TO-264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N07IXYSMOSFETs 180 Amps 70V 0.006 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N07TO-264AA Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N07LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 70V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N085IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N085IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N10IXYSMOSFETs 100V 180A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N10TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N10LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N10IXYS08+ SOP
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1290.45 грн
12+1209.74 грн
25+1168.25 грн
50+1115.26 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N15PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 180A; 830W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 180A
Power dissipation: 830W
Case: TO264
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N15PIXYSMOSFETs 180 Amps 150V 0.011 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1290.45 грн
10+1209.74 грн
25+1168.25 грн
50+1115.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 180A; 1390W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 180A
Power dissipation: 1390W
Case: TO264
On-state resistance: 12.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 364nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1163.27 грн
5+1056.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25TIXYSMOSFETs 180A 250V
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+731.31 грн
25+712.74 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1654.63 грн
25+1032.27 грн
100+899.11 грн
500+815.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1032.40 грн
2+731.31 грн
25+712.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25T
Код товару: 45120
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK180N25TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK180N25T - MOSFET, N-CH, 250V, 180A, TO-264
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 180
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 1.39
Bauform - Transistor: TO-264
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: GigaMOS Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0129
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK200N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1588.79 грн
25+990.16 грн
100+862.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK200N10PIXYSMOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK20N120IXYSMOSFETs 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK20N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK20N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2693.67 грн
10+2464.38 грн
25+2438.80 грн
50+2327.94 грн
100+1902.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK20N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK20N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 780W
Case: TO264
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
On-state resistance: 570mΩ
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK20N120PIXYSMOSFETs 20 Amps 1200V 1 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK20N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 20A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK210N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 170V 210A TO264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK210N30X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 210A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2418.85 грн
25+1930.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK210N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK210N30X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 210 A, 0.0043 ohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK210N30X3IXYSMOSFETs TO264 300V 210A N-CH X3CLASS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK210N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK210N30X3MOSFETs TO264 300V 210A N-CH X3CLASS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK21N100
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK21N100FIXYSMOSFET IXFK21N100F 1000V 21A HIPERFET F-Class HiPerRF Capable MOSFETs
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK21N100FIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK21N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK21N100QIXYSMOSFET 21 Amps 1000V 0.5 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 220A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15400 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1667.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N15PТранзистор: N-MOSFET; польовий; 150В; 220А; 1250Вт; TO264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N15PIXYSMOSFETs 220Amps 150V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N15P
Код товару: 163720
Додати до обраних Обраний товар
IXYSТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-264
Напруга сток-витік Uds, В: 150 В
Струм стоку Idd, А: 220 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 9 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 15,4/162
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+440.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 170V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+676.53 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N17T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 170V 220A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 500 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31000 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1053.45 грн
25+637.55 грн
100+547.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 170V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+881.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N17T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 220A; 960W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 220A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 204nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 116ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1343.90 грн
3+1100.31 грн
10+986.25 грн
25+919.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 220A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 204 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+997.01 грн
25+859.01 грн
100+818.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK220N20X3IXYSMOSFETs TO264 200V 220A N-CH X3CLASS
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20TIXYSMOSFETs 230A 200V
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 230A; 1670W; TO264
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 230A
Case: TO264
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.5mΩ
Power dissipation: 1.67kW
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 358nC
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1672.65 грн
5+1422.35 грн
10+1373.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 230A TO264AA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK230N20T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK230N20T. - MOSFET, N-CH, 200V, 230A, TO-264
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 230A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.67kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: GigaMOS Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N15T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; GigaMOS™; unipolar; 150V; 240A; 1250W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 240A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 460nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™
Reverse recovery time: 140ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 240A TO264AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA (IXFK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32000 pF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1818.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N15T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 240A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2218.98 грн
25+1531.70 грн
100+1477.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3IXYSMOSFETs 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 240A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
на замовлення 1739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2623.43 грн
25+1704.61 грн
100+1565.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFK240N25X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFK240N25X3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 240 A, 4100 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.