Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTK200N10L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Linear L2™; unipolar; 100V; 200A; 1040W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 1.04kW
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 540nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: Linear L2™
Reverse recovery time: 245ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10L2IXYSMOSFETs L2 Linear Power MOSFET
на замовлення 824 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10L2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+3567.55 грн
50+3392.07 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3656.62 грн
5+3422.76 грн
10+3211.30 грн
20+2901.94 грн
50+2726.15 грн
100+2673.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 540 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10L2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK200N10L2 - MOSFET, N-CH, 100V, 200A, TO-264
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3656.62 грн
5+3422.76 грн
10+3211.30 грн
20+2901.94 грн
50+2726.15 грн
100+2673.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1338.14 грн
25+822.12 грн
50+761.97 грн
100+667.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTK200N10P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 100 V, 200 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 800W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 200A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 200A; 800W; TO264
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 800W
Case: TO264
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+865.36 грн
3+764.49 грн
5+762.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK200N10PIXYSMOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK20N140Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK20N150IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 20A; 1250W; TO264; 1.1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.5kV
Drain current: 20A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 215nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 1.1µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK20N150MOSFET N-CH 1500V 20A TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK20N150IXYSMOSFETs 1200V High Voltage Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK20N150IXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 20A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10TIXYSDescription: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
на замовлення 1447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2420.77 грн
25+1563.56 грн
100+1418.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2865.77 грн
10+2778.32 грн
20+2607.13 грн
50+2356.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH -100V -210A TO-264
Packaging: Tube
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1898.09 грн
25+1334.44 грн
100+1271.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 100V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+2865.77 грн
10+2778.32 грн
20+2607.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10TLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK210P10T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 210 A, 7500 µohm, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.04kW
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -210A; 1040W
Case: TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 1.04kW
Gate charge: 740nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -210A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 7.5mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2346.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK210P10TIXYSMOSFETs TrenchP Power MOSFETs
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK21N100IXYSMOSFETs 21 Amps 100V 0.55 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK21N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK22N100LIXYSMOSFETs N-CHAN 1000V 22A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK22N100LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 22A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK22N100LLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK22N100L - MOSFET, N-CH, 1KV, 22A, TO-264
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 1
Dauer-Drainstrom Id: 22
Rds(on)-Messspannung Vgs: 20
Verlustleistung Pd: 700
Bauform - Transistor: TO-264
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Linear Series
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK22N100LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 22A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK240N075L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 240A; 960W; TO264; 206ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 240A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 546nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 206ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK240N075L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 240A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 120A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK250N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 250A TO264
Packaging: Box
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 730W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK250N10Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1537.73 грн
25+960.74 грн
100+894.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -600V; -32A; 890W; TO264
Technology: PolarP™
Drain current: -32A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -600V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.35Ω
Reverse recovery time: 480ns
Mounting: THT
Power dissipation: 890W
Gate charge: 196nC
Polarisation: unipolar
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1309.22 грн
10+1115.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 600V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60PIXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 32A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1783.15 грн
25+1122.76 грн
100+981.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK32P60PIXYSMOSFETs -32 Amps -600V 0.350 Rds
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK33N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 33A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK33N50IXYSMOSFETs 33 Amps 500V 0.17 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK3N250LIXYSDescription: MOSFET N-CH 2500V 3A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK3N250LIXYSMOSFETs TO264 2.5KV 3A N-CH LINEAR
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK400N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK400N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 400A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
на замовлення 746 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4624.85 грн
25+3148.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK400N15X4IXYSMOSFETs TO264 150V 400A N-CH 4CLASS
на замовлення 1497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK40P50PIXYSMOSFETs -40.0 Amps -500V 0.230 Rds
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK40P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK40P50PIXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 40A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11500 pF @ 25 V
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1783.15 грн
25+1122.76 грн
100+981.89 грн
500+906.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK40P50P(транзистор)
Код товару: 63264
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK40P50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK40P50P. - MOSFET, P-CH, 500V, 40A, TO-264
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK46N50LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK46N50LIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 46A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3638.53 грн
25+2424.65 грн
50+2335.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK46N50LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 46A; 700W; TO264; 600ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 46A
Power dissipation: 700W
Case: TO264
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 0.6µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK46N50LIXYSMOSFETs 46 Amps 500V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK46N50LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK550N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 550A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 595 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK550N055T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK5N250High Voltage Power MOSFET w/ Extended FBSOA TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK5N250LittelfuseTrans MOSFET N-CH 2.5KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+6597.71 грн
5+6181.88 грн
10+5579.38 грн
20+5235.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK5N250Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 2500V 5A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8560 pF @ 25 V
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4712.61 грн
25+3440.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK5N250IXYSMOSFET 2500V, 5A, 8.8Ohm Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK600N04T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 600A; 1250W; TO264; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 600A
Power dissipation: 1.25kW
Case: TO264
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 590nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK600N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 600A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 590 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK600N04T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK60N50L2IXYSMOSFETs 60 Amps 500V
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK60N50L2TO-264 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK60N50L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-264AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK60N50L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 60A; 960W; TO264; 980ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 60A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 980ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK60N50L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 60A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 610 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24000 pF @ 25 V
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3121.29 грн
25+2044.26 грн
50+1920.59 грн
100+1687.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK62N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 62A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK62N25IXYSMOSFETs 62 Amps 250V 0.035 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK62N25IXYS06+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK74N20
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK75N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 75A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK75N30IXYSMOSFET 75 Amps 300V 0.042 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK80N25
Код товару: 89036
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK80N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 80A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK80N25IXYS06+
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK82N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 82A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+762.65 грн
25+480.58 грн
100+419.37 грн
500+379.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK82N25PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 250V; 82A; 500W; TO264
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO264
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 82A
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 142nC
On-state resistance: 38mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 500W
Polarisation: unipolar
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+758.86 грн
10+518.52 грн
25+505.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK82N25PLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTK82N25P - MOSFET, N-CH, 250V, 82A, TO-264
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 250
Dauer-Drainstrom Id: 82
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 500
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 500
Bauform - Transistor: TO-264
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Polar Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK82N25PIXYSMOSFETs 82 Amps 250V 0.035 Rds
на замовлення 362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK88N30PIXYSMOSFETs 88 Amps 300V 0.04 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK88N30PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 88A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK8N150LIXYSMOSFETs 8 Amps 1500V
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK8N150LIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 1.5KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-264
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+4054.53 грн
50+3855.10 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK8N150LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1500V 8A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 4A, 20V
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2909.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK8N150LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 8A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 90A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90N15IXYSMOSFETs 90 Amps 150V 0.016 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90N25L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 90A; 960W; TO264; 266ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 90A
Power dissipation: 960W
Case: TO264
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 640nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 266ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90N25L2IXYSMOSFETs 90 Amps 250V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90N25L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 90A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23000 pF @ 25 V
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2752.39 грн
25+1795.84 грн
50+1685.91 грн
100+1560.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTK90N25L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-264
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.