Продукція > Si7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7288DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7288DP-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 20 A, 20 A, 0.0156 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0156ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 15.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0156ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 15.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3
Код товару: 160306
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 20A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7288DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
на замовлення 43023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.69 грн
10+94.17 грн
50+71.17 грн
100+59.82 грн
500+47.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI72C-08200Утримувач nanoSim карти типу PUSH-PUSH з контактом наявності картки HOLDER
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5+137.98 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI72F63BK4M1
на замовлення 393 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI72XX-EVAL-KITSilicon LabsDescription: SI72XX HALL EFFECT MAGNETIC SENS
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: Si72xx
Sensor Type: Hall Effect
Packaging: Bulk
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3780.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI72XX-EVAL-KITSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI72XX-EVAL-KIT - EVALUATIONSKIT, MAGNETSENSOR
tariffCode: 84733020
Prozessorkern: Si7201, Si7202, Si7210, Si7211, Si7212, Si7213
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Prozessorhersteller: Silicon Laboratories
Lieferumfang des Kits: 6 Tochterplatinen im Briefmarkenformat, USB-Toolstick mit flexiblem Kabelsteckverbinder, 2 Magnete, 152.4mm langes, flexibles Kabel
euEccn: NLR
Unterart Anwendung: Magnetsensor
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI72XX-EVAL-KITSilicon LabsMagnetic Sensor Development Tools Si72xx Hall Effect Magnetic Sensor Kit
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI72XX-WD-KITSilicon LabsDescription: DEMO AND DEVELOPMENT KIT FOR SI7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI72XX-WD-KITSILICON LABSDescription: SILICON LABS - SI72XX-WD-KIT - Development Kit, Si72xx, Hall-Effekt-Sensoren, präzise Positionserfassung
Prozessorkern: Si7201, Si7202, Si7210, Si7211, Si7212, Si7213
Kit-Anwendungsbereich: Sensor
Prozessorhersteller: Silicon Laboratories
Lieferumfang des Kits: Starter-Kit EFM32, Board Si72XX-EXP, Boards Si7201/02/10/11/12/13, Flachbandkabel & USB-Kabel, Knopfzelle
Unterart Anwendung: Sensor
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI72XX-WD-KITSilicon LabsMagnetic Sensor Development Tools Demo and Development Kit for Si72xx Magnetic Sensors. Includes a degree accurate wheel measurement demo, and boards to evaluate the Si72xx Magnetic sensor family
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7300
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7300A
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7301E
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7302DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7302DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7302DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 220V 8.4A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7303DNVISHAY05+
на замовлення 428 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7304DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 538 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 19931 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.99 грн
15+51.27 грн
25+50.76 грн
50+48.45 грн
100+41.80 грн
250+39.72 грн
500+37.63 грн
1000+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
на замовлення 3897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3VISHAYDescription: VISHAY - SI7308DN-T1-E3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, n-Kanal, 60 V, 6 A, 0.058 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.058ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
322+43.90 грн
1000+41.02 грн
Мінімальне замовлення: 322 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A 1212-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+70.80 грн
210+67.50 грн
235+60.21 грн
244+55.79 грн
500+41.79 грн
1000+40.02 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.07 грн
6000+29.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.32 грн
10+84.84 грн
25+83.91 грн
100+63.35 грн
250+56.38 грн
500+46.68 грн
1000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 8027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.90 грн
10+64.38 грн
100+45.04 грн
500+34.15 грн
1000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 36238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 5.4A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 8A 1212-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.87 грн
6000+27.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 31167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3
Код товару: 149663
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 277 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 7217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.30 грн
10+70.85 грн
100+47.26 грн
500+34.84 грн
1000+31.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 12529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.14 грн
10+68.72 грн
100+45.83 грн
500+33.79 грн
1000+30.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7309DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.115 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 19.8W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
на замовлення 3483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.93 грн
6000+26.81 грн
9000+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7309DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, TrenchFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.115 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.115ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7309DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 25342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7312DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 538 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7315DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -10A
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Pulsed drain current: -10A
Drain current: -8.9A
Gate charge: 30nC
Power dissipation: 33W
On-state resistance: 315mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7315DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 75 V
на замовлення 3102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.05 грн
10+74.51 грн
100+50.05 грн
500+37.13 грн
1000+33.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7315DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7315DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.315 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.315ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 16965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7315DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -150V Vds 30V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 26214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7315DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 75 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 315mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7316DP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 30V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 32659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
211+67.07 грн
250+56.53 грн
500+49.97 грн
1000+41.10 грн
Мінімальне замовлення: 211 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.98 грн
12+67.07 грн
100+56.53 грн
500+48.18 грн
1000+38.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.49 грн
10+64.76 грн
100+50.36 грн
500+40.06 грн
1000+32.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 150V 2.8A 8-Pin PowerPAK EP
на замовлення 2764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2764+71.21 грн
Мінімальне замовлення: 2764 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7317DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.99 грн
6000+31.17 грн
9000+29.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 15.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.00 грн
10+43.12 грн
100+28.20 грн
500+20.44 грн
1000+18.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 26W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 138576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.86 грн
6000+45.72 грн
9000+43.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.26 грн
10+95.00 грн
100+73.86 грн
500+58.75 грн
1000+47.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 77243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.84 грн
10+96.30 грн
100+74.89 грн
500+59.57 грн
1000+48.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.55 грн
6000+46.36 грн
9000+44.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 6102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326SI
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1
Код товару: 182174
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 10A 1.5W
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-E3VISHAY
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-GE3
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.29 грн
10+53.10 грн
100+36.78 грн
500+28.83 грн
1000+24.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 10A 3.5W 19.5mohm @ 10V
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 6.5A PPAK 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7326DN-TI-E3
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-E3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 35A 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 35A 52W 6.6mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7329DPT1E3VISHAY
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7330ASIMODEL
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7331SANKEN
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7335ASI2005
на замовлення 738 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
si7336SIBGA
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336A
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7336ADPVISHAY09+ SOP14
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7336ADP-T1VISHAY
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]