Продукція > SiR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIRA12DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
385+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 385 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 4.3mOhm@10V 25A N-Ch G-IV
на замовлення 16421 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1336+10.57 грн
1418+9.95 грн
1511+9.34 грн
1619+8.41 грн
1741+7.24 грн
1883+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 1336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 25A PPAK SO-8
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA12DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 25A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA14BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 64 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+13.35 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA14BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 64 A, 0.0037 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
на замовлення 2580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 17974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/64A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.38mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 917 pF @ 15 V
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.63 грн
11+30.22 грн
100+20.61 грн
500+16.25 грн
1000+14.62 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 58A
на замовлення 5540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 64A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DDP-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.64 грн
10+44.01 грн
100+28.80 грн
500+20.88 грн
1000+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 58A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 27988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA14DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 20 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
Verlustleistung: 31.2W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA14DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 46A; Idm: 130A; 20W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 20W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 130A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.71 грн
11+40.34 грн
100+27.58 грн
500+21.84 грн
1000+19.96 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA16DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds TrenchFET PowerPAK SO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA16DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA16DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V D-S PPAK SO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA18ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.6 A, 8700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 24.5A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24.5A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 70A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2574 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+54.42 грн
11+42.48 грн
12+37.43 грн
100+22.95 грн
500+17.04 грн
1000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA18ADP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30.6 A, 8700 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 14.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8700µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 9810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 69234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.84 грн
10+41.16 грн
50+30.29 грн
100+25.11 грн
500+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 29941 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 30.6A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.62 грн
9000+14.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18ADP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 30.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32A; Idm: 90A; 11W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 11W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 10.5mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.14 грн
6000+11.60 грн
9000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 6830 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 17W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 19A
на замовлення 17929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 6830 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 17W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 19A/40A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.03 грн
10+33.45 грн
100+21.56 грн
500+15.41 грн
1000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.48 грн
6000+11.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.63 грн
10+34.22 грн
100+22.07 грн
500+15.79 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 30V 40A
на замовлення 6154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DDP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 32A; Idm: 90A; 17W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 17W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
Mounting: SMD
Gate charge: 6.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6.83mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DDP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.83mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DDP-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DDP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.23 грн
10+33.07 грн
100+21.31 грн
500+15.22 грн
1000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 33A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 26.3A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 26.3A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 9.4W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 12mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
на замовлення 41585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.24 грн
10+45.02 грн
100+29.38 грн
500+21.24 грн
1000+19.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA18DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 33 A, 7500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 14.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 1624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.39 грн
6000+16.32 грн
9000+15.61 грн
15000+13.90 грн
21000+13.46 грн
30000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 33A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 14.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 33A; Idm: 70A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 33A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 14.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA20BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 335 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.47 грн
10+99.82 грн
100+77.66 грн
500+61.77 грн
1000+50.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 82A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20BDP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 268A; Idm: 350A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 268A
Pulsed drain current: 350A
Power dissipation: 67W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -12...16V
On-state resistance: 820µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 186nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20BDP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA20BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 335 A, 0.00048 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 335A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9950 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.3W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Ta), 335A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+52.42 грн
6000+48.07 грн
9000+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 82A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+45.63 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 82A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20BDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAKSO8 N-CH 25V 82A
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DDP-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA20DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 337 A, 610 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DDP-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA20DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 337 A, 610 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 100A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -12...16V
On-state resistance: 820µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81.7A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 81.7A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1354 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81.7A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.52 грн
10+131.12 грн
50+100.24 грн
100+84.72 грн
500+68.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA22DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA22DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA22DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA24DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA24DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 14703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.24 грн
10+48.87 грн
100+37.05 грн
500+28.73 грн
1000+24.92 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA24DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.55 грн
6000+22.59 грн
9000+21.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA24DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 45677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.82 грн
50+21.93 грн
100+20.23 грн
250+19.35 грн
500+19.28 грн
1000+19.21 грн
3000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.04 грн
10+50.80 грн
100+38.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA26DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 43.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
619+22.82 грн
621+22.74 грн
623+22.65 грн
625+21.77 грн
628+20.08 грн
1000+19.21 грн
3000+19.14 грн
Мінімальне замовлення: 619 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA26DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 43.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 15 V
на замовлення 6549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.63 грн
10+37.77 грн
100+28.21 грн
500+20.80 грн
1000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 30A; Idm: 90A; 11W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 11W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 90A
Technology: TrenchFET®
на замовлення 2777 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.95 грн
13+35.54 грн
100+24.24 грн
500+19.27 грн
1000+17.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.29 грн
35+21.62 грн
100+18.62 грн
250+17.02 грн
500+14.81 грн
1000+13.33 грн
3000+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 185A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 19960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]