Продукція > SiR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIRA20BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 82A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+45.73 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DDP-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA20DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 337 A, 610 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+70.24 грн
500+54.70 грн
1000+44.50 грн
5000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DDP-T1-UE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA20DDP-T1-UE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 337 A, 610 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 337A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 610µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.33 грн
10+103.67 грн
100+70.24 грн
500+54.70 грн
1000+44.50 грн
5000+42.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81.7A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 81.7A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10850 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +16V, -12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.58mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 81.7A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.81 грн
10+87.31 грн
100+59.19 грн
500+44.23 грн
1000+42.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA20DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 480 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 480µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA20DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 25V; 100A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 66.6W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: -12...16V
On-state resistance: 820µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 200nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA22DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA22DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 7243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA22DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A POWERPAKSO-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA24DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
на замовлення 14703 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.84 грн
10+47.31 грн
100+35.87 грн
500+27.81 грн
1000+24.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA24DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA24DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 45677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA24DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.79 грн
6000+21.87 грн
9000+21.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA26DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 43.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.09 грн
500+25.52 грн
1000+20.66 грн
5000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6742 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.12 грн
10+49.18 грн
100+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.87 грн
50+21.98 грн
100+20.27 грн
250+19.40 грн
500+19.32 грн
1000+19.25 грн
3000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA26DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 60 A, 2650 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 43.1W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2650µohm
на замовлення 6010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.63 грн
14+57.62 грн
100+38.09 грн
500+25.52 грн
1000+20.66 грн
5000+19.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA26DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
619+22.87 грн
621+22.79 грн
623+22.71 грн
625+21.82 грн
628+20.13 грн
1000+19.25 грн
3000+19.18 грн
Мінімальне замовлення: 619 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.35 грн
35+21.67 грн
100+18.66 грн
250+17.06 грн
500+14.84 грн
1000+13.36 грн
3000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 15 V
на замовлення 6549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.17 грн
10+36.56 грн
100+27.31 грн
500+20.14 грн
1000+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds; 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4904 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA28BDP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 18A/38A PPAK SO8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 17W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 582 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.21 грн
500+31.42 грн
1000+26.04 грн
5000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 19960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 185A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
на замовлення 921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA32DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA32DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 185 A, 1200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 185A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+85.99 грн
14+59.31 грн
100+46.21 грн
500+31.42 грн
1000+26.04 грн
5000+23.76 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA334
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA34DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA34DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA34DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 6.7mOhm@10V 40A N-Ch G-IV
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA34DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
на замовлення 2311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA36DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA36DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA36DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2815 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.11 грн
10+92.83 грн
100+62.82 грн
500+46.85 грн
1000+42.96 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 54.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.8A (Ta), 219A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+44.15 грн
6000+41.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA50ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 219 A, 860 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 219A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.42 грн
10+111.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 54.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.72 грн
25+71.28 грн
100+63.60 грн
250+58.30 грн
500+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6559 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 54.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 17723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.70 грн
25+71.60 грн
100+63.61 грн
250+58.31 грн
500+55.60 грн
1000+55.24 грн
3000+54.88 грн
6000+54.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 54.8A/219A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.8A (Ta), 219A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.04mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 20 V
на замовлення 9356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+154.98 грн
10+95.66 грн
100+65.11 грн
500+48.85 грн
1000+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA50ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 219 A, 860 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 219A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 860µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8445 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA50DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.84 грн
500+48.58 грн
1000+44.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 62.5A/100A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 194 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8445 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA50DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 1000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1000µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 8646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+241.89 грн
10+157.51 грн
100+108.49 грн
500+82.08 грн
1000+72.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA50DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 62.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.59 грн
10+95.81 грн
100+74.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 41.6A/131A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.6A (Ta), 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.63mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA52ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 131 A, 0.0013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 131
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 48
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 48
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 41.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.49 грн
10+93.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A POWERPAKSO-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52DP-T1-RE3VishayN-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA52DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.11 грн
10+130.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA54ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.93 грн
500+50.44 грн
1000+43.39 грн
5000+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAKSO8 N-CH 40V 36.2A
на замовлення 13133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40 V (D-S) MOSFET POWE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA54ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 128 A, 2200 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 128A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 5478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+168.76 грн
10+105.27 грн
100+73.93 грн
500+50.44 грн
1000+43.39 грн
5000+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54DP-T1-GE3VishaySIRA54DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
463+30.57 грн
470+30.10 грн
478+29.63 грн
486+28.11 грн
500+25.61 грн
1000+24.18 грн
3000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 463 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54DP-T1-GE3VishaySIRA54DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
на замовлення 5432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+45.36 грн
25+30.57 грн
26+29.02 грн
100+26.45 грн
250+24.99 грн
500+24.59 грн
1000+24.18 грн
3000+23.78 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA54DP-T1-GE3VishaySIRA54DP-T1-GE3 Vishay MOSFETs Transistor N-CH 40V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R - Arrow.com
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA58ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 10340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.51 грн
10+68.43 грн
100+52.64 грн
500+38.98 грн
1000+35.63 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA58ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA58ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 109 A, 0.0022 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 109
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 56.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 2.4
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA58ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20/-16V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 10584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA58ADP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 32.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA58ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 32.3A/109A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3030 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.72 грн
6000+31.15 грн
9000+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA58DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA58DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 5768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA58DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 109A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA58DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.65mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DDP-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.57 грн
142+99.93 грн
250+95.92 грн
500+89.16 грн
1000+79.86 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA60DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 940 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 940µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.15 грн
10+90.81 грн
100+77.63 грн
500+57.16 грн
1000+49.66 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 15 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.21 грн
6000+38.71 грн
9000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
163+86.84 грн
Мінімальне замовлення: 163 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 12881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIRA60DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 100 A, 780 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 780µohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.77 грн
500+53.65 грн
1000+44.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 15 V
на замовлення 10078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.29 грн
10+80.37 грн
100+62.54 грн
500+49.75 грн
1000+40.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 100A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.76 грн
21+37.10 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.94mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7650 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA60DP-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 30 V (D-S) MOSFET 150 C 0.94 m 10V 1.35 m 4.5V
на замовлення 5867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]