Продукція > APT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| APT25GP90BDQ1G | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 25 A TO-247 | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT25GP90BDQ1G | Microchip Technology | Description: IGBT PT 900V 72A TO247 Power - Max: 417 W Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector (Ic) (Max): 72 A Gate Charge: 110 nC Test Condition: 600V, 40A, 4.3Ohm, 15V Switching Energy: 370µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns IGBT Type: PT Supplier Device Package: TO-247 [B] Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GP90BDQ1G | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 900V 72A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GP90BDQ1G | MICROSEMI | TO247-3/72 A, 900 V, N-CHANNEL IGBT APT25GP90 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GP90BG | Microchip Technology | Description: IGBT PT 900V 72A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 13ns/55ns Switching Energy: 370µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 110 nC Current - Collector (Ic) (Max): 72 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A Power - Max: 417 W | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT25GP90BG Код товару: 131306
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| APT25GP90BG | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 900V 72A 417W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GP90BG | Microchip Technology | IGBTs IGBT PT MOS 7 Single 900 V 25 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GR120B | Microchip Technology | IGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 25 A TO-247 | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT25GR120B | Microchip Technology | Description: IGBT NPT 1200V 75A TO247 Power - Max: 521 W Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Part Status: Active Gate Charge: 203 nC Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns IGBT Type: NPT Supplier Device Package: TO-247 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Bulk | на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT25GR120BD15 | Microchip Technology | IGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 25 A TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GR120BD15 | Microchip Technology | Description: IGBT NPT 1200V 75A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 203 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 521 W | на замовлення 85 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT25GR120BD15 | MICROSEMI | TO247/Ultra Fast NPT - IGBT APT25GR120 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GR120BD15 | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 521W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GR120BSCD10 | Microsemi Corporation | Description: IGBT 1200V 75A 521W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247 IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns Switching Energy: 434µJ (on), 466µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 203 nC Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 521 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GR120S | Microchip Technology | Description: IGBT NPT 1200V 75A D3PAK Power - Max: 521 W Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Part Status: Active Gate Charge: 203 nC Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns IGBT Type: NPT Supplier Device Package: D3Pak Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Packaging: Bulk | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT25GR120S | Microchip Technology | IGBT Transistors FG, IGBT, 1200V, 25A, TO-268 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GR120S | MICROSEMI | D3PAK/Ultra Fast NPT - IGBT APT25 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GR120SD15 | Microchip Technology | Description: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: D3Pak IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns Switching Energy: 742µJ (on), 427µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 203 nC Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 521 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GR120SD15 | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 521W 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GR120SD15 | Microchip Technology | IGBT Transistors IGBT MOS 8 1200 V 25 A TO-268 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GR120SSCD10 | Microsemi Corporation | Description: IGBT 1200V 75A 521W D3PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 25A Supplier Device Package: D3Pak IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 16ns/122ns Switching Energy: 434µJ (on), 466µJ (off) Test Condition: 600V, 25A, 4.3Ohm, 15V Gate Charge: 203 nC Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A Power - Max: 521 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GR120SSCD10 | Microsemi | IGBT Transistors Insulated Gate Bipolar Transistor - Power MOS 8 | на замовлення 48 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GT120BRDLG | Microsemi Power Products Group | Description: IGBT 1200V 54A 347W TO247 | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GT120BRDQ2G | MICROSEMI | TO247/INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - NPT MED FREQUENCY COMBI APT25GT120 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GT120BRDQ2G | Microchip Technology | IGBTs IGBT NPT Medium Frequency Combi 1200 V 25 A TO-247 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT25GT120BRDQ2G | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 70 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GT120BRDQ2G | Microchip Technology | Description: IGBT NPT 1200V 54A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 14ns/150ns Switching Energy: 930µJ (on), 720µJ (off) Test Condition: 800V, 25A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 347 W | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT25GT120BRG | Microchip | IGBT 1200V 54A 347W TO247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GT120BRG | Microchip Technology | IGBTs IGBT NPT Medium Frequency Single 1200 V 25 A TO-247 | на замовлення 1716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT25GT120BRG | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25GT120BRG | Microchip Technology | Description: IGBT NPT 1200V 54A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 25A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 14ns/150ns Switching Energy: 930µJ (on), 720µJ (off) Test Condition: 800V, 25A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 170 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 54 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A Power - Max: 347 W | на замовлення 548 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT25GT120BRG | Microchip Technology | Trans IGBT Chip N-CH 1200V 54A 347W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT25M100J | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 1KV 25A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25M100J | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules FG, MOSFET, 1000V, SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25M100J | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 25A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 545W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9835 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25SM120B | Microsemi Corporation | Description: SICFET N-CH 1200V 25A TO247 Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 20V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT25SM120S | Microsemi Corporation | Description: SICFET N-CH 1200V 25A D3 Packaging: Bulk Package / Case: D-3 Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 175mOhm @ 10A, 20V Power Dissipation (Max): 175W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: D3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT26F120B2 | Microchip Technology | MOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-247 T-MAX | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT26F120B2 | MICROSEMI | T-MAX/27 A, 1200 V, 0.58 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APT26F120 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT26F120B2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 27A T-MAX Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9670 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: T-MAX™ Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 1135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Variant Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT26F120L | MICROSEMI | TO264/POWER FREDFET - MOS8 APT26F120 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT26F120L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 27A TO264 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9670 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-264 [L] Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 1135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT26F120L | Microchip Technology | MOSFET FG, FREDFET, 1200V, TO-264 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT26M100JCU2 | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules CC0014 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT26M100JCU2 | MICROSEMI | ISOTOP-4/26 A, 1000 V, 0.396 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER,MOSFET APT26M100J кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT26M100JCU2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7868 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-227 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 543W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT26M100JCU3 | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules CC0015 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT26M100JCU3 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 26A SOT227 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7868 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 305 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-227 Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 543W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 396mOhm @ 18A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT27GA90BD15 | Microchip Technology | Description: IGBT 900V 48A 223W TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 14A Supplier Device Package: TO-247 [B] IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 9ns/98ns Switching Energy: 413µJ (on), 287µJ (off) Test Condition: 600V, 14A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 62 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 48 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 900 V Current - Collector Pulsed (Icm): 79 A Power - Max: 223 W | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT27GA90BD15 | MICROSEMI | TO-247 [B]INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR - PT POWER MOS 8 - COMBI кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT27GA90BD15 | Microchip Technology | IGBT Transistors FG, IGBT-COMBI, 900V, TO-247 | на замовлення 217 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT27GA90K | Microsemi Power Products Group | Description: IGBT 900V 48A 223W TO-220 | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT27HZ | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT27HZTR-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 0.8A TO92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT27HZTR-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces | на замовлення 135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT27HZTR-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 0.8A TO92 | на замовлення 361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT27HZTR-G1 | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 450V 0.8A 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT27Z | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT27ZTR-G1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 450Vceo 0.8A 0.8w 0.5mV 700Vces | на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT27ZTR-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 0.8A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 100mA, 10V Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 800 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT27ZTR-G1 | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 450V 0.8A TO92 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 40mA, 200mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 100mA, 10V Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 152 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT28F60B | APTMICROS | 10+ SOT23-5 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT28F60B | Microsemi | MOSFET Power FREDFET - MOS8 | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT28F60B | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 600V 28A TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT28F60S | Microsemi | MOSFET Power FREDFET - MOS8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT28F60S | Microsemi Power Products Group | Description: MOSFET N-CH 600V 30A D3PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT28GA60BD15 | APT | SOP8 | на замовлення 22000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT28GA60K | Microsemi Power Products Group | Description: IGBT 600V 50A 223W TO-220 | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT28M120B2 | Microchip Technology | MOSFETs MOSFET MOS8 1200 V 28 A TO-247 MAX | на замовлення 639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT28M120B2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 29A T-MAX Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Power Dissipation (Max): 1135W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 14A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Variant Packaging: Tube Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9670 pF @ 25 V | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT28M120B2 | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, MOSFET, 1200V, TO-247 T-MAX | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT28M120L | Microchip / Microsemi | MOSFET FG, MOSFET, 1200V, TO-264 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT28M120L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1200V 29A TO264 | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT28M120L | Microchip Technology | MOSFET FG, MOSFET, 1200V, TO-264 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT29F100B2 | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS 8 1000 V 29 A TO-247 MAX | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||
| APT29F100B2 | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: T-MAX™ [B2] Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| APT29F100L | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 1000V 30A TO264 Packaging: Tube Package / Case: TO-264-3, TO-264AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 1040W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-264 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT29F100L | Microsemi | MOSFET Power FREDFET - MOS8 | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT29F100L | Microchip Technology | MOSFETs FREDFET MOS8 1000 V 29 A TO-264 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT29F80J | Microchip Technology | MOSFET Modules FREDFET MOS8 800 V 29 A SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT29F80J | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 800V 31A ISOTOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT2X100D100J | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules FRED D 1000 V 100 A Dual Anti-Parallel SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT2X100D100J | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1KV 95A ISOTOP | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT2X100D100J | Microchip Technology | Diode Switching 1KV 95A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT2X100D100J | Microchip / Microsemi | Discrete Semiconductor Modules FG, FRED, 1000V, 100A, SOT-227 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT2X100D120J | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 1.2KV 93A ISOTOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT2X100D120J Код товару: 54426
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| APT2X100D120J | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules FRED D 1200 V 100 A Dual Anti-Parallel SOT-227 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT2X100D20J | Microchip Technology | Diode Switching 200V 100A 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT2X100D20J | Microchip Technology | Rectifiers FRED D 200 V 100 A Dual Anti-Parallel SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT2X100D20J | Microsemi Power Products Group | Description: DIODE MODULE 200V 100A ISOTOP | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT2X100D20J | Microsemi | Rectifiers Fast Recovery Epitaxial Diode - D | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT2X100D30J | APT | Ultra Fast Recovery Diode | на замовлення 186 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT2X100D30J | Microsemi Corporation | Description: DIODE MODULE GP 300V 100A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 47 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 100A Supplier Device Package: ISOTOP® Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 300 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 300 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT2X100D40J | Microsemi | Discrete Semiconductor Modules Fast Recovery Epitaxial Diode - D | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT2X100D40J | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 400V 100A 50ns 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT2X100D40J | Microchip Technology | Discrete Semiconductor Modules FRED D 400 V 100 A Dual Anti-Parallel SOT-227 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT2X100D40J | Microchip Technology | Rectifier Diode Switching 400V 100A 50ns 4-Pin SOT-227 Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT2X100D40J | Microchip Technology | Description: DIODE MODULE 400V 100A ISOTOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. |