Продукція > IKD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 48 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W | на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 12A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 48 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off) Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 100 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD06N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 12A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3 Power - Max: 31 W Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Gate Charge: 13.7 nC Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns IGBT Type: Trench Field Stop Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Part Status: Not For New Designs Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N65ET6ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 9A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD06N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3 Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 31 W Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector (Ic) (Max): 9 A Part Status: Not For New Designs Gate Charge: 13.7 nC Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns IGBT Type: Trench Field Stop | на замовлення 7758 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD06N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | на замовлення 5568 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD06N65ET6ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: 31W euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 9A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 9A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD0800000 | Apem | DIP Switches/SIP Switches | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD0800000 | APEM | Description: APEM - IKD0800000 - DIP-/SIP-Schalter, 8 Schaltkreis(e), Vertieft, Durchsteckmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA tariffCode: 85365019 Schalterbetätiger: Vertieft rohsCompliant: YES Schaltertyp: DIP gekapselt hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 DC-Kontaktspannung, max.: 24V euEccn: NLR DC-Kontaktstrom, max.: 25mA Schaltermontage: Durchsteckmontage Produktpalette: IKD Series productTraceability: No Anzahl der Schaltkreise: 8Schaltkreis(e) Kontaktkonfiguration: SPST-NO SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD0803000 | Apem | DIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH | на замовлення 1271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD0803000 | APEM | Description: APEM - IKD0803000 - DIP-/SIP-Schalter, 8 Schaltkreis(e), Vertieft, Oberflächenmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA tariffCode: 85365019 Schalterbetätiger: Vertieft rohsCompliant: YES Schaltertyp: DIP gekapselt hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 DC-Kontaktspannung, max.: 24V euEccn: NLR DC-Kontaktstrom, max.: 25mA Schaltermontage: Oberflächenmontage Produktpalette: IKD Series productTraceability: No Anzahl der Schaltkreise: 8Schaltkreis(e) Kontaktkonfiguration: SPST-NO SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD0803101 | APEM Inc. | Description: SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE Number of Positions: 8 Contact Material: Phosphor Bronze Washable: No Actuator Level: Raised Height Above Board: 0.118" (3.00mm) Actuator Type: Slide (Standard) Termination Style: Gull Wing Operating Temperature: -20°C ~ 85°C Circuit: SPST Pitch: 0.100" (2.54mm), Full Mounting Type: Surface Mount Current Rating (Amps): 25mA Voltage Rating: 24VDC Contact Finish: Gold Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 264 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD0803101 | Apem | DIP Switches/SIP Switches SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD08N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBTs HOME APPLIANCES 14 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD08N65ET6ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V Verlustleistung Pd: 47W euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 15A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD08N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD08N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 17 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A Power - Max: 47 W | на замовлення 2982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD08N65ET6ARMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 15A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 2964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD08N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-parallel Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD08N65ET6ARMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 43 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off) Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V Gate Charge: 17 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A Power - Max: 47 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60R | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60R | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60R | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RAATMA2 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 20A 150W TO252-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RAATMA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A | на замовлення 2293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W | на замовлення 1046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 150W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 64nC Turn-on time: 24ns Turn-off time: 331ns Collector current: 10A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 79W euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 18.8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 18.8A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: IGBT modules Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 18.8A; 79W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Power dissipation: 79W Case: DPAK Mounting: SMD Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V Gate charge: 48nC Turn-off time: 250ns Collector current: 18.8A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 104 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 79 W | на замовлення 7384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 18.8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package | на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD10N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 104 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 48 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 79 W | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD10N60RF | Infineon Technologies | Description: IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RF | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | на замовлення 4571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RF Код товару: 113379
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > IGBT Корпус: TO-252-3 Напруга колектор-емітер Vces, V: 600 V Напруга насичення Vce, V: 2,2 V Струм колектора Ic при 25°C, A: 20 A Струм колектора Ic при 100°C, A: 10 A Розсіювана потужність Pd при 25°C, W: 150 W Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°C, ns: 12/168 | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IKD10N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 150 W Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Gate Charge: 64 nC Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns IGBT Type: Trench Supplier Device Package: PG-TO252-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 150W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 30A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 64nC Turn-on time: 27ns Turn-off time: 186ns Collector current: 10A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | на замовлення 6311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W | на замовлення 2339 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD10N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V Verlustleistung Pd: 150W euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 20A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RFATMA1 | Infineon | IGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD10N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 5577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD10N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 72 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off) Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V Gate Charge: 64 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A Power - Max: 150 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD1204100 | Apem | DIP Switches/SIP Switches | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60R | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60R | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns Switching Energy: 900µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RA | Infineon Technologies | IGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RAATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A | на замовлення 19508 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD15N60RATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W | на замовлення 9247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD15N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 26ns Turn-off time: 319ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A | на замовлення 1866 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD15N60RATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD15N60RATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD15N60RATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RBTMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3-11 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns Switching Energy: 900µJ Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 129 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 72 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 115.4 W | на замовлення 717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | на замовлення 571 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RC2ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 28A; 115.4W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: Field Stop; Trench Power dissipation: 115.4W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 72nC Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 28A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RC2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V Verlustleistung Pd: 115.4W Verlustleistung: 115.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V Dauerkollektorstrom: 28A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 28A Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 129 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V Gate Charge: 72 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 115.4 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package | на замовлення 1712 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RC2ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 115.4W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 28A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD15N60RC2ATMA1 | Infineon Technologies | Cost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode | на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD15N60RF | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC | на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RF | Infineon Technologies | Description: IKD15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3-313 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 240 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RFAATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 14306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD15N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD15N60RFATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs IGBT PRODUCTS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RFATMA1 | Infineon | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A Automotive DPAK Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RFATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V MSL: - Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP RC Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 14306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD15N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RFATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ RC Power dissipation: 250W Case: DPAK Mounting: SMD Gate charge: 90nC Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 28ns Turn-off time: 177ns Collector current: 15A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 45A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IKD15N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 74 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO252-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 90 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 250 W | на замовлення 2387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD15N60RFATMA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IKD500S/128GB | Kingston Technology | Description: 128GB KINGSTON IRONKEY D500S FIP | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

