НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IKD06N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N60RFATMA1 - IGBT, 12 A, 2.2 V, 100 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 100W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 12A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+42.91 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.18 грн
58+13.01 грн
59+12.81 грн
60+12.17 грн
100+11.09 грн
250+10.47 грн
500+10.30 грн
1000+10.13 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 12A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 48 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 7ns/106ns
Switching Energy: 90µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.84 грн
10+75.48 грн
100+50.61 грн
500+37.48 грн
1000+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 12A 100W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
741+47.79 грн
1000+44.07 грн
Мінімальне замовлення: 741 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5568 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 31W
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 9A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 9A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 30 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/35ns
Switching Energy: 60µJ (on), 30µJ (off)
Test Condition: 400V, 3A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 13.7 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 9 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 31 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD06N65ET6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD06N65ET6ARMA1 - IGBT, 9 A, 1.5 V, 31 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 31W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 9A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0800000ApemDIP Switches/SIP Switches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0800000APEMDescription: APEM - IKD0800000 - DIP-/SIP-Schalter, 8 Schaltkreis(e), Vertieft, Durchsteckmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schalterbetätiger: Vertieft
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: DIP gekapselt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
Schaltermontage: Durchsteckmontage
Produktpalette: IKD Series
productTraceability: No
Anzahl der Schaltkreise: 8Schaltkreis(e)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0803000ApemDIP Switches/SIP Switches DIP SWITCH IKH HALF PITCH
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0803000APEMDescription: APEM - IKD0803000 - DIP-/SIP-Schalter, 8 Schaltkreis(e), Vertieft, Oberflächenmontage, SPST-NO, 24 V, 25 mA
tariffCode: 85365019
Schalterbetätiger: Vertieft
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: DIP gekapselt
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
DC-Kontaktspannung, max.: 24V
euEccn: NLR
DC-Kontaktstrom, max.: 25mA
Schaltermontage: Oberflächenmontage
Produktpalette: IKD Series
productTraceability: No
Anzahl der Schaltkreise: 8Schaltkreis(e)
Kontaktkonfiguration: SPST-NO
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0803101APEM Inc.Description: SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE
Packaging: Bulk
Contact Finish: Gold
Voltage Rating: 24VDC
Current Rating (Amps): 25mA
Mounting Type: Surface Mount
Pitch: 0.100" (2.54mm), Full
Circuit: SPST
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Termination Style: Gull Wing
Actuator Type: Slide (Standard)
Height Above Board: 0.118" (3.00mm)
Actuator Level: Raised
Washable: No
Contact Material: Phosphor Bronze
Number of Positions: 8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD0803101ApemDIP Switches/SIP Switches SLIDE SWITCH NK SUBMINIATURE
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.79 грн
10+145.82 грн
100+101.32 грн
500+77.22 грн
1000+71.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 650V 15A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 43 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/59ns
Switching Energy: 110µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 17 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 47 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBTs HOME APPLIANCES 14
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.5V
Verlustleistung Pd: 47W
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 15A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-parallel Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD08N65ET6ARMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD08N65ET6ARMA1 - IGBT, 15 A, 1.5 V, 47 W, 650 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 47W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP IGBT6
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RInfineon TechnologiesIGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 20A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RAATMA2Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 20A TO252-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RAATMA2Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.53 грн
10+114.18 грн
25+112.64 грн
100+92.67 грн
250+83.44 грн
500+69.52 грн
1000+56.42 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 1046 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.11 грн
10+79.71 грн
100+53.57 грн
500+39.77 грн
1000+36.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 24ns
Turn-off time: 331ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
на замовлення 2293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 18.8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 18.8A; 79W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18.8A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 250ns
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs 600 V, 10 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 4948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.96 грн
10+112.33 грн
25+111.21 грн
100+86.88 грн
250+79.09 грн
500+64.96 грн
1000+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 4784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+71.63 грн
100+47.89 грн
500+35.39 грн
1000+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RC2ATMA1 - IGBT, 18.8 A, 2 V, 79 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 79W
Verlustleistung: 79W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 18.8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 18.8A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.33 грн
128+111.21 грн
157+90.09 грн
250+85.42 грн
500+67.66 грн
1000+52.23 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFInfineon TechnologiesDescription: IKD10N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFInfineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RF
Код товару: 113379
Додати до обраних Обраний товар
InfineonТранзистори > IGBT
Корпус: TO-252-3
Напруга колектор-емітер Vces, В: 600 В
Напруга насичення Vce, В: 2,2 В
Струм колектора Ic при 25°С, А: 20 А
Струм колектора Ic при 100°С, А: 10 А
Розсіювана потужність Pd при 25°С, Вт: 150 Вт
Час вмикання/вимикання td(on)/td(off) при 100-150°С, ns: 12/168
товару немає в наявності
1+42.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1InfineonIGBT 600V 20A 150W PG-TO252-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/168ns
Switching Energy: 190µJ (on), 160µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 26Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 2339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+89.29 грн
100+60.37 грн
500+45.03 грн
1000+41.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 6301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 10A; 150W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 150W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 27ns
Turn-off time: 186ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD10N60RFATMA1 - IGBT, 20 A, 2.2 V, 150 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2V
Verlustleistung Pd: 150W
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 20A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 20A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD10N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 150W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD1204100ApemDIP Switches/SIP Switches
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RInfineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RInfineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RAInfineon TechnologiesIGBT Transistors 600V Trenchstop RC Hard SW App, IGBT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RAATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 13234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+94.27 грн
100+63.92 грн
500+47.80 грн
1000+43.88 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT w/ INTG DIODE 600V 30A
на замовлення 19400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Mounting: SMD
Pulsed collector current: 45A
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 26ns
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
Turn-off time: 319ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 250W
Gate charge: 90nC
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+149.92 грн
5+116.57 грн
10+102.32 грн
50+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 370µJ (on), 530µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.86 грн
5000+39.44 грн
7500+38.02 грн
12500+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RBTMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/183ns
Switching Energy: 900µJ
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
209+96.63 грн
Мінімальне замовлення: 209 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesIGBTs 600 V, 15 A IGBT Discrete with Reverse Conducting Drive 2-diode in TO-252 package
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 600V; 28A; 115.4W; DPAK
Mounting: SMD
Pulsed collector current: 45A
Type of transistor: IGBT
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 28A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 115.4W
Gate charge: 72nC
Technology: Field Stop; Trench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
на замовлення 562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.95 грн
10+84.61 грн
100+57.08 грн
500+42.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 115.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 28A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+100.55 грн
148+95.73 грн
150+94.77 грн
166+82.58 грн
250+74.78 грн
500+65.53 грн
1000+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 28A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 129 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/374ns
Switching Energy: 570µJ (on), 350µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 72 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 115.4 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RC2ATMA1 - IGBT, 28 A, 2 V, 115.4 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2V
Verlustleistung Pd: 115.4W
Verlustleistung: 115.4W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 600V
Dauerkollektorstrom: 28A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 28A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RC2ATMA1Infineon TechnologiesCost Effective Monolithic Integrated IGBT with Diode
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.55 грн
10+95.73 грн
25+94.77 грн
100+82.58 грн
250+74.78 грн
500+65.53 грн
1000+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFInfineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS TrenchStop RC
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFInfineon TechnologiesDescription: IKD15N60 - DISCRETE IGBT WITH AN
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3-313
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFAATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
на замовлення 4914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFAATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 240 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+99.87 грн
10+88.40 грн
25+87.51 грн
100+83.54 грн
250+76.58 грн
500+72.78 грн
1000+70.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 14306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 15A; 250W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 250W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 90nC
Kind of package: reel; tape
Pulsed collector current: 45A
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 177ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 15A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1InfineonTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A Automotive DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
142+99.87 грн
160+88.40 грн
162+87.51 грн
164+83.54 грн
250+76.58 грн
500+72.78 грн
1000+70.56 грн
Мінімальне замовлення: 142 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesIGBTs IGBT PRODUCTS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 30A 250W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1INFINEONDescription: INFINEON - IKD15N60RFATMA1 - IGBT, 30 A, 2.2 V, 250 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2V
MSL: -
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP RC
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 14306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD15N60RFATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 30A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 74 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 13ns/160ns
Switching Energy: 270µJ (on), 250µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 4882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.09 грн
10+105.67 грн
100+72.09 грн
500+54.17 грн
1000+50.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKD500S/128GBKingston TechnologyDescription: 128GB KINGSTON IRONKEY D500S FIP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24379.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IKD500S/128GBKingstonUSB Flash Drives 128GB Kingston IronKey D500S FIPS 140-3 Level 3 XTS-AES 256-bit
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD500S/16GBKingstonUSB Flash Drives 16GB Kingston IronKey D500S FIPS 140-3 Level 3 XTS-AES 256-bit
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD500S/16GBKingston TechnologyDescription: 16GB KINGSTON IRONKEY D500S FIPS
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12465.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.