Продукція > NGT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NGTB20N60L2TF1GonsemiDescription: IGBT 600V 40A TO-3PF-3
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
Power - Max: 64 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Gate Charge: 84 nC
Test Condition: 300V, 20A, 30Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/193ns
Supplier Device Package: TO-3PF-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N60L2TF1GON SemiconductorIGBT Transistors 600V 20A IGBT TO-3PF
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB20N60L2TF1GON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 40A 64000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.50 грн
10+133.23 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WAGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120FL2WAG - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+434.06 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WAGonsemiDescription: IGBT FS 1200V 100A TO-247-4L
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 8762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
104+194.06 грн
Мінімальне замовлення: 104 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WAGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 385000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+532.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WAGonsemiDescription: IGBT FS 1200V 100A TO-247-4L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 66518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+465.56 грн
100+441.98 грн
500+419.59 грн
1000+381.87 грн
10000+332.54 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 192W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 192W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode; Kelvin terminal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
на замовлення 66548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+331.72 грн
Мінімальне замовлення: 61 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120FL2WG - IGBT, Field Stop II, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50A
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+612.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 385W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WGonsemiDescription: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+574.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL2WGonsemiIGBTs 1200V/25 FAST IGBT FSII T
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 291570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+304.07 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120FL3WG - IGBT, 100 A, 1.7 V, 349 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 349
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Betriebstemperatur, max.: 175
Kollektorstrom: 100
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WGonsemiIGBTs IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/UPS
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 100A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 136nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FL3WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns
Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 91ns/228ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120FLWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120FLWG - IGBT, 50 A, 2 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 192
Anzahl der Pins: 3
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Kollektorstrom: 50
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120IHLWGonsemiIGBTs IGBT 1200V 25A FS1 Induction Heating
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120IHLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 50A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
Switching Energy: 800µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120IHLWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120IHLWG - IGBT, 50 A, 1.85 V, 192 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 192
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85
Betriebstemperatur, max.: 150
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120IHLWGONS/FAIIGBT 1200V 50A TO247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120LWGonsemiIGBT Transistors 1200/25A IGBT LPT TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120LWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 89ns/235ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB25N120SWG - IGBT, 50 A, 2 V, 385 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
Verlustleistung: 385
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 50
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 1200V 50A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB25N120SWGON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120FL2WGonsemiIGBT Transistors 1200V/30A FAST IGBT FSII
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N120FL2WG - TRANSISTOR, IGBT, 2V, 60A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+443.81 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH/FS 1200V 60A TO247
Power - Max: 452 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 220 nC
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 2.6mJ (on), 700µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 98ns/210ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 240 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHLWGON Semiconductor
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHLWGonsemiDescription: IGBT 1200V 30A TO247
Power - Max: 260 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 420 nC
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/360ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHLWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 1200V 30A FS1 Induction Heating
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHRonsemionsemi 1200V/30A RC IGBT FSII TO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHRWGonsemiIGBT Transistors 1200V/30A RC IGBT FSII
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHRWGonsemiDescription: IGBT 1200V 60A 384W TO247
Power - Max: 384 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 225 nC
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 700µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/230ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHSWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N120IHSWG - IGBT, 1200V, 30A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+162.57 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHSWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/210ns
Switching Energy: 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 192 W
на замовлення 5342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+151.64 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHSWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 1200V 30A FS1 Induction Heating
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120IHSWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/210ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 192 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 220 nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120L2WGON SemiconductorIGBT Transistors 1200V/30A LOW VCE SAT FSII
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 468mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120L2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1200V 60A 468mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+371.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120L2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N120L2WG - TRANSISTOR, IGBT, 1.7V, 60A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120L2WGonsemiDescription: IGBT 1200V 60A 534W TO247
Part Status: Active
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120LWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 136ns/360ns
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 420 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 560 W
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+255.17 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120LWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1200V 60A TO-247
Power - Max: 560 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 420 nC
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 4.4mJ (on), 1mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 136ns/360ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N120LWGON SemiconductorIGBT Transistors IGBT 1200V 30A FS1 Gen Mkt
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHRonsemionsemi 1350V/30A IGBT FSII TO-24
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHR1WGON SemiconductorIGBT Transistors 1350V/30A IGBT FSII
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHR1WG
Код товару: 129042
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHR1WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/200ns
Switching Energy: 630µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHRWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 1350V 60A TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.65V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/250ns
Switching Energy: 850µJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 234 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 394 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHRWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N135IHRWG - IGBT, 60 A, 2.3 V, 394 W, 1.35 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 394W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.35kV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+227.60 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHRWGonsemiIGBT Transistors 1350V/30A IGBT FSII TO-24
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHRWGON Semiconductor
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N135IHRWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 1350V 60A 394mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+365.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N140IHR3WGonsemionsemi 1400V, 30A, IGBT with Monolithic Free Wheeling Diode IGBT - 1400 V 30 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N140IHR3WGonsemiDescription: IGBT TRENCH 1400V 60A TO-247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Switching Energy: 1.05mJ (off)
Test Condition: 600V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 163 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1400 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 357 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FLWGON Semiconductor
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FLWGON SemiconductorDescription: IGBT 600V 60A 250W TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FLWGonsemiIGBT Transistors 600V/30A IGBT LPT TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N60FWG - IGBT, 600V, 30A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+230.85 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns
Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 167 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FWGonsemiDescription: IGBT TRENCH 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns
Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 7834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+202.52 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60FWGON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60IHLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+179.96 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60IHLWGON SemiconductorIGBT Transistors 600V/30A IGBT FS1 IH TO-2
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60IHLWGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 600V 60A 250mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 210 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60IHLWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N60IHLWG - IGBT, 600V, 30A, TO-247-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+202.40 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60IHLWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60L2WGonsemiDescription: IGBT 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/390ns
Switching Energy: 310µJ (on), 1.14mJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 225 W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.31 грн
30+198.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60L2WGonsemiDescription: IGBT 600V 30A TO247
Test Condition: 300V, 30A, 30Ohm, 15V
Switching Energy: 310µJ (on), 1.14mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/390ns
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 225 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Gate Charge: 166 nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60L2WGON SemiconductorIGBT Transistors 600V 30A IGBT TO-247
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60SWGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N60SWG - 600V-30A IGBT FSI TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+195.90 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/109ns
Switching Energy: 750µJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 189 W
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+179.20 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60SWGON Semiconductor
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60SWGonsemiIGBT Transistors 600V/30A IGBT FSI TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N60SWGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/109ns
Switching Energy: 750µJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 189 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N65IHL2WGonsemiIGBT Transistors 650V/30A FAST IGBT FSII T
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N65IHL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 430 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N65IHL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB30N65IHL2WG - IGBT, 650V 30A FS2 INDUCTION HEATING
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB30N65IHL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 60A TO-247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 430 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: -/145ns
Switching Energy: 200µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+265.09 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N60FL2onsemionsemi 600V/35A FAST IGBT FSII T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N60FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 600V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N60FL2WGON Semiconductor
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N60FL2WGonsemiIGBT Transistors 600V/35A FAST IGBT FSII T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N60FL2WGONSEMIDescription: ONSEMI - NGTB35N60FL2WG - IGBT, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Verlustleistung: 300
Anzahl der Pins: 3
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 70
Bauform - Transistor: TO-247
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7
Betriebstemperatur, max.: 175
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+265.79 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WGONSEMICategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 150W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 35A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 650V
Gate charge: 125nC
Power dissipation: 150W
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+442.55 грн
10+333.78 грн
20+279.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WGonsemiDescription: IGBT TRENCH FS 650V 70A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WGON SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+279.93 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NGTB35N65FL2WGON Semiconductor
на замовлення 2408 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]