Продукція > NXH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NXH030F120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 30M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030F120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 38A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V
FET Feature: Depletion Mode
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5222.56 грн
28+3707.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030F120M3F1PTGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 38A; PIM22; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 38A
Case: PIM22
Topology: H-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 68.2mΩ
Pulsed drain current: 115A
Power dissipation: 100W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -10...22V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 42A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2271pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4817.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030S120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 30M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK MODULE
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030S120M3F1PTGonsemiDescription: 30M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5317.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6144.32 грн
28+4801.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 30A; PIM22; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Case: PIM22
Topology: H-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 61mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 113W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6239.16 грн
28+4890.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PTGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 30A; PIM22; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Case: PIM22
Topology: H-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 61mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 113W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH040F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 30A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4917.65 грн
28+3670.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 30A; PIM18; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 30A
Case: PIM18
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 61mΩ
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 113W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 30A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4917.65 грн
28+3670.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH040P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 74W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 40MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 61A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4782.84 грн
24+3310.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH100B120H3Q0PG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 186W
Verlustleistung: 186W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 61A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 61A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PTGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4782.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PTGonsemiIGBT Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN TIM)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0SGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 61A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4738.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0SGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH100B120H3Q0SG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 186W
Verlustleistung: 186W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 61A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 61A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0STGonsemiIGBT Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN TIM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0STGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4484.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100T120L3Q0S1NGonsemiDescription: 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4877 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Power - Max: 122 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Supplier Device Package: 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4383.09 грн
24+3837.07 грн
48+3709.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100T120L3Q0S1NGonsemiIGBT Modules 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLATED DBC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH1010-WB
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH10VB1000M8X15SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 10VDC; Pitch: 3.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 45mΩ
Dimensions: Ø8x15mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 1mF
Height: 15mm
Operating voltage: 10V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 8mm
Terminal pitch: 3.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 8000h
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH10VB2200M10X25SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 2200uF; 10VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 18mΩ
Dimensions: Ø10x25mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 2.2mF
Height: 25mm
Operating voltage: 10V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH16.000AC12F07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q1SGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A Solder pins
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q1SGonsemiDescription: PIM Q1 SPLIT T-TYPE NPC 160A 120
Supplier Device Package: 30-PIM (71x37.4)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 160A
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38164 pF @ 25 V
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Power - Max: 280 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
IGBT Type: Trench Field Stop
NTC Thermistor: Yes
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Half Bridge
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6049.48 грн
21+4715.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 181A 500W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 160A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 181 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38.8 nF @ 25 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8562.39 грн
12+7138.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2S1GONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; 3-level inverter SPLIT-TNPC
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 181A
Pulsed collector current: 543A
Topology: 3-level inverter SPLIT-TNPC
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: diode/transistor
Type of semiconductor module: IGBT
Case: PIM56
Electrical mounting: Press-in PCB
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2S1GonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: POWER INTEGRATED MODULE (PIM), I
Packaging: Bulk
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9396.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2SGON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBT
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9260.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH16VB1000M10X16SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 16VDC; Ø10x16mm
Type of capacitor: electrolytic
Mounting: THT
Capacitance: 1mF
Operating voltage: 16V DC
Body dimensions: Ø10x16mm
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Operating temperature: -40...105°C
Height: 16mm
Diameter: 10mm
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Impedance: 28mΩ
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
27+17.16 грн
34+12.50 грн
38+11.24 грн
50+9.98 грн
100+9.39 грн
200+9.23 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH16VB1000M5.0TP10X16SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 16VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 28mΩ
Dimensions: Ø10x16mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 1mF
Height: 16mm
Operating voltage: 16V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH16VB1000M8X20SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 16VDC; Pitch: 3.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 29mΩ
Dimensions: Ø8x20mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 1mF
Height: 20mm
Operating voltage: 16V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 8mm
Terminal pitch: 3.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 8000h
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH16VB100M2.5TP5X11SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 100uF; 16VDC; Pitch: 2.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 0.22Ω
Dimensions: Ø5x11mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 100µF
Height: 11mm
Operating voltage: 16V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 5mm
Terminal pitch: 2.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 6000h
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH16VB1500M10X20SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1500uF; 16VDC; Ø10x20mm
Type of capacitor: electrolytic
Kind of capacitor: low ESR
Capacitance: 1.5mF
Operating voltage: 16V DC
Mounting: THT
Tolerance: ±20%
Operating temperature: -40...105°C
Manufacturer series: NXH
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Service life: 10000h
Impedance: 20mΩ
Body dimensions: Ø10x20mm
Height: 20mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH16VB1800M10X25SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1800uF; 16VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 18mΩ
Dimensions: Ø10x25mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 1.8mF
Height: 25mm
Operating voltage: 16V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH16VB2200M12.5X20SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 2200uF; 16VDC; Ø12.5x20mm
Type of capacitor: electrolytic
Kind of capacitor: low ESR
Mounting: THT
Capacitance: 2.2mF
Operating voltage: 16V DC
Body dimensions: Ø12.5x20mm
Terminal pitch: 5mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Impedance: 17mΩ
Operating temperature: -40...105°C
Height: 20mm
Diameter: 12.5mm
Manufacturer series: NXH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH16VB470M8X11.5SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 470uF; 16VDC; Pitch: 3.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 56mΩ
Dimensions: Ø8x11.5mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 470µF
Height: 11.5mm
Operating voltage: 16V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 8mm
Terminal pitch: 3.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 8000h
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH16VB680M8X15SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 680uF; 16VDC; Pitch: 3.5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 45mΩ
Dimensions: Ø8x15mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 680µF
Height: 15mm
Operating voltage: 16V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 8mm
Terminal pitch: 3.5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 8000h
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2004UK/A2ZNXP SemiconductorsRF System on a Chip - SoC NXH2004UK/A2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2004UK/A2ZNXP SemiconductorsUltra-low Power Hearing Aid SoC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2004UK/A2ZNXP USA Inc.Description: NXH2004UK/A2Z
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200B100H4F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH200B100H4F2SG - IGBT-Modul, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 6 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
IGBT-Anschluss: Lötstift
Verlustleistung: 93W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200B100H4F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 100A 93W 36-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x48)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 93 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.523 nF @ 20 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9192.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200B100H4F2SGonsemiIGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200B100H4F2SG-RonsemiIGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200B100H4F2SG-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 100A 93W 36-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x48)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 93 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6523 pF @ 20 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11771.33 грн
20+10408.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2SGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 330A; PIM
Case: PIM
Collector current: 330A
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+11364.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 330A 679W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9430.86 грн
12+7554.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2SGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pins
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2STGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 330A 679W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2STGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pin and Thermal Interface Material
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2STNGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pin, Thermal Interface Material and Ni-plated DBC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2STNGonsemiDescription: IGBT MOD 650V 330A 679W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9520.21 грн
36+7554.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2STNGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; Ic: 330A; PIM
Case: PIM
Collector current: 330A
Type of semiconductor module: IGBT
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+11364.47 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2180UK,518NXP SemiconductorsDescription: MI-RADIO TRANSCEIVER WITH FLASH
Packaging: Bulk
на замовлення 161904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+1246.76 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2261UK/A1BSCZNXP USA Inc.Description: NXH2261UK - NFMI RADIO FOR WIREL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2265UK/A0BSCZNXP SemiconductorsNXP Semiconductors NXH2265UK/WLCSP40//A0BSC/REEL 7 Q1 DP CHIPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2280UK/C1012NXP SemiconductorsDescription: NXH2280UK - Power Distribution S
Packaging: Bulk
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+730.65 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2280UK/C1ZNXP SemiconductorsDescription: NXH2280 - NFMI RADIO FOR WIRELES
Packaging: Bulk
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+778.60 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH24.000AC12F07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1P1GonsemiIGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST PRESS-FIT PIN
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1P1GONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 92A; PIM32
Type of semiconductor module: IGBT
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 276A
Application: for UPS; Inverter
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-Fit
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Case: PIM32
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 92A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1P1GonsemiDescription: 150KW 110V Q1BOOST PRESS-FIT PI
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19082 pF @ 20 V
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Power - Max: 266 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6855.24 грн
21+5360.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1PGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; NTC thermistor; 158W; Field Stop,Trench
Type of semiconductor module: IGBT
Power dissipation: 158W
Technology: Field Stop; Trench
Pulsed collector current: 68A
Topology: NTC thermistor
на замовлення 378 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+7091.62 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1PGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 68A 158W 32-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6472.74 грн
21+4805.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1PGonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST 240A 1200V PRESS-FIT PINS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1PG-RonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST 240A 1200V PRESS-FIT PINS
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1PG-RonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 68A 158W 32-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9837.66 грн
21+7911.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1S1GonsemiDescription: 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19082 pF @ 20 V
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Power - Max: 266 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
NTC Thermistor: No
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Level Inverter
Input: Standard
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5565.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1S1GonsemiIGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1S1G-RonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 92A 266W 32-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 266 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19.082 nF @ 20 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9251.36 грн
21+7843.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1S1G-RonsemiIGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25.000AC20F-BT-3
на замовлення 65342 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25C120L2C2SGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 25A CIB
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG
Power - Max: 20 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 20 V
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Supplier Device Package: 26-DIP
NTC Thermistor: Yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4210.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 20 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4982.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25T120L2Q1PGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), 3-channel T-Type NPC 1200 V, 25 A IGBT, 650 V, 25 A IGBT Press-fit pins
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25T120L2Q1PGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 25A 81W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 81 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.502 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25T120L2Q1PTGonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 25A 1200V PRESS-FIT PINS TIM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25T120L2Q1PTGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 25A 81W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 81 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.502 nF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25VB1000M5.0TP10X25SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 1000uF; 25VDC; Pitch: 5mm
Operating temperature: -40...105°C
Impedance: 18mΩ
Dimensions: Ø10x25mm
Type of capacitor: electrolytic
Capacitance: 1mF
Height: 25mm
Operating voltage: 25V DC
Tolerance: ±20%
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
Mounting: THT
Manufacturer series: NXH
Kind of capacitor: low ESR
Service life: 10000h
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25VB680M10X16SAMYOUNGCategory: THT electrolytic capacitors
Description: Capacitor: electrolytic; low ESR; THT; 680uF; 25VDC; Ø10x16mm; ±20%
Type of capacitor: electrolytic
Kind of capacitor: low ESR
Mounting: THT
Capacitance: 680µF
Operating voltage: 25V DC
Body dimensions: Ø10x16mm
Tolerance: ±20%
Service life: 10000h
Impedance: 28mΩ
Operating temperature: -40...105°C
Manufacturer series: NXH
Height: 16mm
Diameter: 10mm
Terminal pitch: 5mm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH27.000AG10F-BK6
на замовлення 65397 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 1118V 73A 194W 27-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10657.53 грн
12+8727.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.