Продукція > RX3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RX3G07BBGC16ROHM SemiconductorMOSFETs RX3G07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power small mold package, suitable for switching.
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+331.82 грн
10+302.47 грн
25+158.09 грн
100+143.59 грн
500+118.74 грн
1000+113.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+460.69 грн
36+394.54 грн
52+272.87 грн
100+239.20 грн
500+175.08 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07CGNC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+178.74 грн
100+145.40 грн
250+141.69 грн
500+117.88 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07CGNC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.54 грн
10+146.87 грн
100+93.89 грн
500+78.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07CGNC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+209.08 грн
127+112.46 грн
150+94.62 грн
200+86.23 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07CGNC16Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO220AB
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.70 грн
10+175.82 грн
100+141.32 грн
500+108.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07CGNC16ROHMDescription: ROHM - RX3G07CGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+142.56 грн
10+118.39 грн
25+105.51 грн
100+85.26 грн
500+67.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+832.78 грн
20+713.48 грн
50+538.65 грн
100+477.27 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.47mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 20 V
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.29 грн
50+382.92 грн
100+366.84 грн
500+305.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16ROHMDescription: ROHM - RX3G18BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 270 A, 1470 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 192W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+575.05 грн
10+405.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+583.44 грн
27+528.80 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+539.62 грн
10+445.37 грн
100+323.08 грн
500+285.11 грн
1000+256.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+378.00 грн
42+340.20 грн
64+223.26 грн
100+197.06 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16ROHMDescription: ROHM - RX3G18BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1640 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1640µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+335.05 грн
10+199.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+302.83 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.96 грн
10+210.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.64mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+314.54 грн
50+191.05 грн
100+184.29 грн
500+133.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16ROHM SemiconductorMOSFETs RX3L07BBG is a power MOSFET with low on-resistance and High power package, suitable for switching.
на замовлення 1965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+332.63 грн
10+303.27 грн
25+158.78 грн
100+144.28 грн
500+119.43 грн
1000+118.74 грн
2000+113.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+461.87 грн
36+395.72 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.40 грн
50+197.90 грн
100+169.64 грн
500+141.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+173.76 грн
85+167.14 грн
100+161.46 грн
250+150.98 грн
500+136.00 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16ROHMDescription: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+310.08 грн
10+160.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BGNC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.90 грн
10+160.27 грн
100+125.01 грн
500+95.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BGNC16ROHMDescription: ROHM - RX3L07BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.0052 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0052ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.44 грн
10+128.86 грн
100+103.09 грн
500+86.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BGNC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.73 грн
10+169.10 грн
100+115.29 грн
500+96.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BGNC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
95+149.55 грн
99+143.85 грн
102+138.97 грн
250+129.94 грн
500+117.04 грн
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L18BBGC16ROHM SemiconductorMOSFETs RX3L18BBG is a power MOSFET with low on-resistance and High power package, suitable for switching.
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.19 грн
10+477.92 грн
25+376.93 грн
100+346.55 грн
250+325.84 грн
500+313.41 грн
1000+265.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L18BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+791.44 грн
20+718.20 грн
50+435.88 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L18BBGC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.84mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+535.10 грн
50+411.52 грн
100+368.21 грн
500+304.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L18BBGC16ROHMDescription: ROHM - RX3L18BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 0.00141 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 192W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00141ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+604.05 грн
10+430.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L18BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+646.42 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N07BBHC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 80V 100A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 40 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.62 грн
50+126.70 грн
100+114.85 грн
500+88.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N07BBHC16ROHMDescription: ROHM - RX3N07BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.27 грн
10+202.96 грн
100+149.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N07BBHC16ROHM SemiconductorMOSFETs TO220 N-CH 80V 100A
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+292.36 грн
10+146.87 грн
100+115.98 грн
500+95.27 грн
1000+91.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N10BBHC16ROHM SemiconductorMOSFETs TO220 N-CH 80V 225A
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.56 грн
10+281.83 грн
100+225.05 грн
500+201.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N10BBHC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 80V 225A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 40 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.64 грн
50+243.36 грн
100+223.13 грн
500+176.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07BBHC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+341.49 грн
10+216.73 грн
100+137.38 грн
500+113.22 грн
1000+111.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+545.74 грн
41+347.29 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07BBHC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.11 грн
10+192.20 грн
100+136.27 грн
500+105.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+285.24 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07BBHC16ROHMDescription: ROHM - RX3P07BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.38 грн
10+222.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.74 грн
10+258.54 грн
100+186.54 грн
500+146.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+414.89 грн
50+386.18 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16ROHMDescription: ROHM - RX3P07CBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+403.50 грн
10+325.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.83 грн
10+280.24 грн
100+176.04 грн
500+162.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+618.98 грн
34+416.98 грн
50+336.66 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P10BBHC16ROHMDescription: ROHM - RX3P10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+536.39 грн
10+367.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P10BBHC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+631.43 грн
10+425.53 грн
100+272.68 грн
1000+253.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P10BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+592.70 грн
50+557.51 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P10BBHC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 100A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 50 V
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.16 грн
10+222.27 грн
100+158.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P10BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+479.59 грн
45+318.94 грн
53+271.69 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P12BATC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+819.79 грн
20+735.92 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P12BATC16Rohm SemiconductorDescription: PCH -100V -120A POWER MOSFET: RX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 385 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16600 pF @ 50 V
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.91 грн
50+270.58 грн
100+257.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P12BATC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+590.85 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P12BATC16ROHMDescription: ROHM - RX3P12BATC16 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0123 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+461.49 грн
10+331.82 грн
100+302.02 грн
500+234.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P12BATC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -120A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.27 грн
10+324.70 грн
100+256.81 грн
500+234.03 грн
1000+218.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+298.20 грн
250+263.94 грн
500+177.42 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16ROHMDescription: ROHM - RX3R05BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+235.98 грн
10+182.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 50A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+339.88 грн
10+222.29 грн
100+138.07 грн
500+131.86 грн
1000+130.47 грн
5000+118.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 150V 50A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 75 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+321.53 грн
10+205.44 грн
100+146.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+433.52 грн
39+363.82 грн
84+170.10 грн
100+152.63 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.66 грн
10+408.06 грн
100+261.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+725.14 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 150V 105A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7550 pF @ 75 V
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.16 грн
10+377.00 грн
100+278.13 грн
500+228.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+850.50 грн
25+583.54 грн
50+464.23 грн
100+428.29 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16ROHMDescription: ROHM - RX3R10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 181W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+450.22 грн
5+409.14 грн
10+368.07 грн
50+335.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3Z
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2