Продукція > RX3

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RX3A-868.30-10RADIOMETRIXDescription: RADIOMETRIX - RX3A-868.30-10 - HF-Modul, Empfänger, FM, 868.30MHz, 10kB/s
Unterstützte Bausteine - HF-Empfänger: -
Anwendungen HF-Empfänger: Funkverkehr
Übertragungsrate, max.: 10
HF-Modulation: FM
Frequenz: 868.3
Versorgungsspannung, min.: 2.7
Empfindlichkeit (dBm): -107
Versorgungsstrom: 11
Produktpalette: -
Versorgungsspannung, max.: 16
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RX3CRTCDIP-16
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+361.10 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07BBGC16ROHMDescription: ROHM - RX3G07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 130 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07BBGC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.73 грн
79+179.61 грн
100+173.52 грн
250+162.25 грн
500+146.14 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+356.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07BBGC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3540 pF @ 20 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.01 грн
50+198.99 грн
100+170.57 грн
500+142.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07CGNC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
59+242.43 грн
Мінімальне замовлення: 59 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07CGNC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07CGNC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.14 грн
116+122.41 грн
250+117.49 грн
500+109.21 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07CGNC16Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO220AB
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.58 грн
10+177.45 грн
100+142.63 грн
500+109.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07CGNC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G07CGNC16ROHMDescription: ROHM - RX3G07CGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 70 A, 0.0035 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+659.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.47mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 20 V
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+560.43 грн
50+386.46 грн
100+370.24 грн
500+308.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+668.34 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+766.03 грн
25+639.44 грн
250+554.43 грн
500+394.22 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16ROHMDescription: ROHM - RX3G18BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 270 A, 1470 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 192W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1470µohm
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+155.69 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16ROHMDescription: ROHM - RX3G18BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 180 A, 1640 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1640µohm
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+467.80 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+478.65 грн
50+380.36 грн
100+348.73 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 40V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.64mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 168 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 20 V
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.44 грн
50+192.82 грн
100+185.99 грн
500+134.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3G18BGNC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+461.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 30 V
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.79 грн
50+199.73 грн
100+171.21 грн
500+142.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+187.58 грн
79+180.43 грн
100+174.31 грн
250+162.99 грн
500+146.81 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16ROHMDescription: ROHM - RX3L07BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 105 A, 4600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 89W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BBGC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BGNC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.82 грн
100+149.82 грн
250+143.80 грн
500+133.67 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BGNC16ROHMDescription: ROHM - RX3L07BGNC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 96W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BGNC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 70A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L07BGNC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 70A, TO-220AB, POWER MOS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 30 V
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.90 грн
10+161.75 грн
100+126.16 грн
500+96.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L18BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+661.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L18BBGC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 60V(Vdss), 180A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L18BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+669.86 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L18BBGC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 60V 180A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.84mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11000 pF @ 30 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+540.05 грн
50+415.33 грн
100+371.61 грн
500+307.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L18BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+156.60 грн
Мінімальне замовлення: 91 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L18BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L18BBGC16ROHMDescription: ROHM - RX3L18BBGC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 240 A, 1840 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 192W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1840µohm
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3L18BBGC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 240A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+530.40 грн
28+519.31 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N07BBHC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 80V 100A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3280 pF @ 40 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.01 грн
50+127.88 грн
100+115.91 грн
500+89.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N07BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+322.64 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N07BBHC16ROHMDescription: ROHM - RX3N07BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 5100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N07BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N07BBHC16ROHM SemiconductorMOSFETs TO220 N-CH 80V 100A
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N07BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N10BBHC16ROHMDescription: ROHM - RX3N10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 225 A, 2200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N10BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 225A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+709.66 грн
50+381.15 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N10BBHC16ROHM SemiconductorMOSFETs TO220 N-CH 80V 225A
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N10BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 225A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+620.11 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N10BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 225A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+611.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3N10BBHC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 80V 225A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11800 pF @ 40 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+474.99 грн
50+245.61 грн
100+225.20 грн
500+177.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+369.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07BBHC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 50 V
на замовлення 808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.90 грн
10+193.98 грн
100+137.53 грн
500+106.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+374.86 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07BBHC16ROHMDescription: ROHM - RX3P07BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+304.01 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07BBHC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16ROHMDescription: ROHM - RX3P07CBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 120 A, 5200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+97.76 грн
Мінімальне замовлення: 145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+468.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 70A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+424.14 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+474.78 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P07CBHC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 70A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 50 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+404.45 грн
10+260.93 грн
100+188.27 грн
500+147.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P10BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+512.84 грн
50+460.34 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P10BBHC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 100V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1809 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P10BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+682.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P10BBHC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 100V 100A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 189W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 50 V
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.37 грн
10+224.32 грн
100+160.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P10BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+692.11 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P10BBHC16ROHMDescription: ROHM - RX3P10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 170 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 170A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 189W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P12BATC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+603.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P12BATC16Rohm SemiconductorDescription: PCH -100V -120A POWER MOSFET: RX
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 201W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 385 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16600 pF @ 50 V
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+558.86 грн
10+364.71 грн
50+290.59 грн
100+250.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P12BATC16ROHMDescription: ROHM - RX3P12BATC16 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 120 A, 0.0123 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 201W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P12BATC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+611.71 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P12BATC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Pch, -100V(Vdss), -120A(Id), (4.5V, 6.0V Drive)
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3P12BATC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 100V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+479.58 грн
31+469.41 грн
50+406.85 грн
100+360.15 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16ROHMDescription: ROHM - RX3R05BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 50 A, 0.029 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+372.98 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 50A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+453.70 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 150V 50A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2150 pF @ 75 V
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.50 грн
10+207.34 грн
100+147.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R05BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+368.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+706.63 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+697.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16Rohm SemiconductorDescription: NCH 150V 105A, TO-220AB, POWER M
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7550 pF @ 75 V
на замовлення 978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+578.46 грн
10+380.49 грн
100+280.70 грн
500+230.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+807.61 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 105A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+464.17 грн
32+444.23 грн
50+427.30 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16ROHMDescription: ROHM - RX3R10BBHC16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 105 A, 8800 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 181W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8800µohm
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3R10BBHC16ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 150V(Vdss), 105A(Id), (6.0V, 10V Drive)
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RX3Z
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.