Продукція > SQ2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQ2309ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 1.7A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 336mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 265 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
10+38.19 грн
100+26.58 грн
500+19.47 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2309ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 1.7A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 N CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2310CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Automotive N-Channel 20 V (D-S) 175C MOSFET SOT-23, 30 mohm a. 4.5V
на замовлення 33862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2310CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.022 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.85 грн
50+23.28 грн
100+19.25 грн
500+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.67 грн
6000+22.01 грн
9000+21.11 грн
15000+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 20V (D-S)
на замовлення 20924 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 25057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.41 грн
10+58.27 грн
100+38.47 грн
500+28.13 грн
1000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 6A 2W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 33571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+56.33 грн
255+55.61 грн
333+42.60 грн
336+40.69 грн
500+31.50 грн
1000+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 20V 6A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+56.89 грн
25+56.33 грн
50+53.63 грн
100+38.04 грн
250+36.17 грн
500+30.24 грн
1000+21.20 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2310ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2310ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 600mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+24.00 грн
100+15.31 грн
500+10.85 грн
1000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3VishayMOSFETs P-CHANNEL 12-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 4116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315ES-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.042 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 450
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: TO-236
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.042
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1/BE3VishayArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 12V (D-S)
на замовлення 312357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.00 грн
10+35.02 грн
100+22.69 грн
500+16.31 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+26.92 грн
33+22.95 грн
100+18.66 грн
250+17.18 грн
500+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 12V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 76004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.45 грн
6000+11.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
617+22.95 грн
731+19.35 грн
735+19.24 грн
911+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 617 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 26855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.39 грн
30000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.39 грн
30000+15.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 12V 5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 4 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
15+21.44 грн
100+18.61 грн
500+14.39 грн
1000+13.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 12V 5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2315ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2315ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 5 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 26855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318AES-T1"BE3 - MOSFET, N-CH, 40V, 8A, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 55137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs RECOMMENDED ALT S Q2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 260923 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.45 грн
6000+13.67 грн
9000+13.06 грн
15000+11.60 грн
21000+11.22 грн
30000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 90738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+36.64 грн
403+35.18 грн
500+33.91 грн
1000+31.63 грн
2500+28.42 грн
5000+26.55 грн
10000+25.90 грн
25000+25.32 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 48297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+38.57 грн
100+25.01 грн
500+17.98 грн
1000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16946 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+38.57 грн
100+25.01 грн
500+17.98 грн
1000+16.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318AES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.45 грн
6000+13.67 грн
9000+13.06 грн
15000+11.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318AES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.125 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.125ohm
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 276340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318AES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 40V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 101400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318BES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 8
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
Verlustleistung: 3
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.021
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 26630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.3mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318BES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318BES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 8 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 3
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1-BE3VishayMOSFETs 40V N-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 N CHAN 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2533 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
11+27.63 грн
100+17.70 грн
500+12.57 грн
1000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2318CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.031 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 4A; Idm: 28A; 1W; SOT23
Transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 13nC
Application: automotive industry
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.25 грн
16+27.09 грн
100+15.85 грн
500+11.74 грн
1000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 7.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 553 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2318ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-CHANNEL 40-V (D-S) 175C MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2319ADS-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 40V, 4.6A, SOT-23
tariffCode: 0
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 14492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.28 грн
9000+16.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.41 грн
6000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.41 грн
6000+19.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40V (D-S)
на замовлення 140943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14473 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.80 грн
50+34.60 грн
100+28.74 грн
500+22.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_BE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P Ch -40Vds 20Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 33994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.77 грн
6000+17.57 грн
9000+16.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
453+31.26 грн
454+31.18 грн
544+26.03 грн
547+24.97 грн
681+18.55 грн
Мінімальне замовлення: 453 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2319ADS-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 4.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 40V 4.6A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.58 грн
25+31.26 грн
50+30.07 грн
100+23.24 грн
250+22.19 грн
500+17.81 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.95 грн
10+48.00 грн
100+31.41 грн
500+22.77 грн
1000+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ADS-T1_GE3VishaySQ2319ADS-T1_GE3 P-CH 40V 4,6A 75mOhm SOT-23 Транзистори
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
7+124.61 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1-GE3VishayMOSFETs 40V P-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1/GE3VishayMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 14135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2319ES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325CES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-Chnl 150-V (D-S) AEC-Q101 Qualified
на замовлення 161808 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 840MA TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 840mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.77Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.25 грн
100+28.28 грн
500+20.50 грн
1000+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]