Продукція > DMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN3024LK3-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3024LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 14.4 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 4.1W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3024LSD-13 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.8A; 1.3W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 5.8A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 568 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3024LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3024LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3024LSD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V DUAL N-CHANNEL | на замовлення 44461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3024LSD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3024LSD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.8A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3024LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3024LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs ENHANCE MODE MOSFET 30V N-CHANNEL | на замовлення 1965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3024LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 17026 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3024SFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch ENH Mode PowerDI 7.5A - 6.3A | на замовлення 858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3024SFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3024SFG-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W Case: PowerDI3333-8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 10.5nC On-state resistance: 33mΩ Power dissipation: 1.4W Drain current: 8.5A Gate-source voltage: ±25V Drain-source voltage: 30V Pulsed drain current: 60A Kind of package: 13 inch reel; tape | на замовлення 1413 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3024SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3024SFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 PowerD3333-8,2K | на замовлення 3576 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3024SFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 | на замовлення 1521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3025LFDF-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3025LFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V | на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3025LFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3025LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.0205 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3025LFDF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V | на замовлення 179882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3025LFDF-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3025LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.0205 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 660mW Bauform - Transistor: UDFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3025LFDF-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K | на замовлення 1807 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3025LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3025LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 30V N-CH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3025LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 249949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3025LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 248000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3025LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-CH MOSFET | на замовлення 2229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3025LFV-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3025LFV-13 | Diodes | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3025LFV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V | на замовлення 2655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3025LFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V | на замовлення 20837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3025LFV-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3025LFV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3025LFV-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3025LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3025LFV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 19000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V | на замовлення 162500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-CH MOSFET | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3025LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V | на замовлення 164826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TSOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) | на замовлення 3489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3026LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3026LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.6 A, 0.019 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3026LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 261 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3026LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgss 1.2W 643pF | на замовлення 4541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3026LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: TSOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3026LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3026LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.6 A, 0.019 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3026LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3026LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 261 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3026LVTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3026LVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3026LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 | на замовлення 300018000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3026LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 | на замовлення 300018000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3026LVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | на замовлення 2967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3026LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26 | на замовлення 300018000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3027LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3027LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3027LFG-7 | Diodes INC. | N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 580 @ 15, Qg, нКл = 11,3 @ 10 В, Rds = 18,6 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerDI3333-8 Од. вим: шт кількість в упаковці: 2000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3027LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3027LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 18854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3027LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3027LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3027LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A | на замовлення 3972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3028L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3028L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3028L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3028L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3028LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3028LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3028LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K | на замовлення 8655 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3028LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R, Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 46659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3028LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 860mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3028LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3028LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 860mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 5470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3029LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3029LFG-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 30V 25Vgss 1.0W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3029LFG-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3029LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3029LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 30V 25Vgss 1.0W | на замовлення 2068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3030LFG-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3030LFG-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin PowerDI EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3030LFG-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET N-CH 30V VDSS 25V VGSS | на замовлення 7980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3030LSS | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3030LSS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 9A | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3030LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3030LSS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3030LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3030LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0157 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3030LSS-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.75A; Idm: 40A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.75A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 25nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3030LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741 pF @ 15 V | на замовлення 3002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3030LSS-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN3030LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0157 ohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.7W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3031LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3031LSS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3032L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 481 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3032L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3032L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 481 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3032L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3032LE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V | на замовлення 87500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3032LE-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V | на замовлення 89699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3032LE-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC | на замовлення 17605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3032LFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN3032LFDB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN3032LFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 497-506 дні (днів) |
|