Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN3024SFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.9A; Idm: 40A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 13.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.3W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.9A; Idm: 40A; 1.3W
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 13.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 179882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3025LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.0205 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9.9A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.5mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 177000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3025LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8.3 A, 0.0205 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0205ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFG-13Diodes IncorporatedMOSFET 30V N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFG-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 60A; 1.3W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 11.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-CH MOSFET
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 249949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
12+27.32 грн
100+18.98 грн
500+13.90 грн
1000+11.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFG-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.8A; Idm: 60A; 1.3W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 1.3W
Gate charge: 11.6nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 605 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 248000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.18 грн
6000+10.22 грн
10000+9.49 грн
50000+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFV-13DiodesMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 20837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+24.00 грн
100+15.33 грн
500+10.86 грн
1000+9.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.89 грн
6000+7.81 грн
9000+7.42 грн
15000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFV-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 55A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 55A
Power dissipation: 2.2W
Gate charge: 9.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+8.80 грн
6000+8.12 грн
10000+7.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFV-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 55A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 55A
Power dissipation: 2.2W
Gate charge: 9.8nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 19000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
13+24.38 грн
100+14.61 грн
500+12.70 грн
1000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.7A; Idm: 40A; 1.1W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.1W
Gate charge: 13.2nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.7A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 162500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+8.02 грн
5000+7.33 грн
7500+7.05 грн
12500+6.47 грн
17500+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N CH 30V 7.2A 8-SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 641 pF @ 15 V
на замовлення 164826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
13+23.78 грн
100+15.16 грн
500+10.74 грн
1000+9.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-CH MOSFET
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3026LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
на замовлення 3489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.91 грн
100+13.28 грн
500+9.37 грн
1000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3026LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3026LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+7.54 грн
Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3026LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3026LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.6 A, 0.019 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3026LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 643 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 6.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3026LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N-Ch Enh Mode 20Vgss 1.2W 643pF
на замовлення 4541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3026LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 261 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3026LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 6.6A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3026LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3026LVT-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.6 A, 0.019 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3026LVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3026LVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3026LVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
на замовлення 300018000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3026LVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
на замовлення 300018000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3026LVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3026LVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
на замовлення 300018000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3027LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3027LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3027LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3027LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.0135 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3027LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 18854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
10+40.83 грн
100+28.26 грн
500+22.16 грн
1000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3027LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3027LFG-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3027LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.3 A, 0.0135 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm
на замовлення 1241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3027LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 580 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.59 грн
6000+16.96 грн
10000+15.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3027LFG-7Diodes INC.N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 5,3 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 580 @ 15, Qg, нКл = 11,3 @ 10 В, Rds = 18,6 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 1,8 В @ 250 мкА, Р, Вт = 1 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: PowerDI3333-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3027LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 30Vdss 25Vgss 70A
на замовлення 3972 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3027LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3028L-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3028L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3028L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3028L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3028LQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3028LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3028LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 46659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
13+23.93 грн
100+16.22 грн
500+11.92 грн
1000+10.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3028LQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 25V-30V SOT23 T&R 3K
на замовлення 8655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3028LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3028LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3028LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 6.2 A, 0.016 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 860mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3028LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 40A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1.4W
Gate charge: 10.9nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 4.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3029LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3029LFG-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3029LFG-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 30V 25Vgss 1.0W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3029LFG-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 30V 25Vgss 1.0W
на замовлення 2068 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3029LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI333-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3030LFG-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3030LFG-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.3A PWRDI3333-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 751 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3030LFG-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET N-CH 30V VDSS 25V VGSS
на замовлення 7980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3030LSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3030LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3030LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 9A
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3030LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3030LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0157 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3030LSS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.75A; Idm: 40A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.75A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3030LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3030LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 741 pF @ 15 V
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.59 грн
100+21.65 грн
500+15.49 грн
1000+13.93 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3030LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3030LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 9 A, 0.0157 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0157ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3031LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3031LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 481 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032L-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 481 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032L-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.64 грн
5000+13.81 грн
7500+13.17 грн
12500+11.69 грн
17500+11.30 грн
25000+10.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 498 pF @ 15 V
на замовлення 107089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.27 грн
10+38.12 грн
100+24.72 грн
500+17.78 грн
1000+16.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LE-13Diodes IncorporatedMOSFETs FET BVDSS 25V 30V N-Ch 498pF 4.1nC
на замовлення 17605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3032LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 9918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.43 грн
10+33.29 грн
25+27.72 грн
50+22.77 грн
100+20.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDB-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 497-506 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN3032LFDB-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6.2 A, 6.2 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.7W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.7W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.88 грн
9000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28 32 36 40 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]