Продукція > IPT

Description: IPT60R160CM8XTMA1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT60R180CM8XTMA1

Description: IPT60R180CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V

на замовлення 1532 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.63 грн
10+	113.75 грн
100+	78.14 грн
500+	59.48 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT60R180CM8XTMA1

Description: IPT60R180CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT60R180CM8XTMA1

MOSFETs 600VCoolMOSCM8PowerTransistor

на замовлення 2570 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT60T022S7XTMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin HSOF EP T/R

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	603.46 грн
25+	569.61 грн
29+	502.47 грн

Мінімальне замовлення: 24 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT60T022S7XTMA1

Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm

на замовлення 1917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT60T022S7XTMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin HSOF EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT60T022S7XTMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 2110 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT60T022S7XTMA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V

на замовлення 1481 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	891.20 грн
10+	597.19 грн
50+	485.60 грн
100+	450.25 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT60T022S7XTMA1

Description: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm

на замовлення 1917 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT60T022S7XTMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin HSOF EP T/R

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	623.47 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT60T022S7XTMA1

Trans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin HSOF EP T/R

на замовлення 47 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	603.46 грн
10+	569.61 грн
25+	502.47 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT60T022S7XTMA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT60T040S7XTMA1

Description: INFINEON - IPT60T040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.04 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT60T040S7XTMA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 780µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 300 V

на замовлення 2198 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	496.15 грн
10+	338.14 грн
100+	253.43 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT60T040S7XTMA1

Description: INFINEON - IPT60T040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.04 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT60T040S7XTMA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT60T040S7XTMA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 780µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 300 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT60T065S7XTMA1

Description: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT60T065S7XTMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 228 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT60T065S7XTMA1

на замовлення 1930 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	443.64 грн
10+	286.21 грн
100+	206.38 грн
500+	161.77 грн
1000+	161.65 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT64

Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 600 x 400

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT65

Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 600 x 500

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT65R018CM8XTMA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 1494 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT65R018CM8XTMA1

Description: IPT65R018CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 400 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R018CM8XTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 134A; 694W; PG-HSOF-8
Transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 134A
Power dissipation: 694W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R018CM8XTMA1

Description: IPT65R018CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 400 V

на замовлення 335 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	1075.39 грн
10+	725.80 грн
50+	601.77 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT65R025CM8XTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 101A; 543W; PG-HSOF-8
Transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 101A
Power dissipation: 543W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R025CM8XTMA1

Description: INFINEON - IPT65R025CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 101 A, 0.025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 543W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm

на замовлення 1958 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT65R025CM8XTMA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 1380 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT65R033G7

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT65R033G7XTMA1

Infineon

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT65R033G7XTMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 69A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R033G7XTMA1

Description: INFINEON - IPT65R033G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.029 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT65R033G7XTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 69A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 28.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT65R033G7XTMA1

Trans MOSFET N-CH 650V 69A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	1418.59 грн
12+	1262.31 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R033G7XTMA1

на замовлення 2 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R033G7XTMA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT65R033G7XTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 69A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 28.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT65R040CFD7XTMA1

Description: INFINEON - IPT65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 1939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R040CFD7XTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 4096 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	599.62 грн
10+	394.98 грн
100+	314.22 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT65R040CFD7XTMA1

на замовлення 1939 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT65R040CFD7XTMA1

MOSFET

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT65R040CFD7XTMA1

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	274.31 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R040CM8XTMA1

MOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

на замовлення 1690 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT65R040CM8XTMA1

Description: IPT65R040CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V

на замовлення 1660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	509.48 грн
10+	332.03 грн
100+	251.82 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT65R040CM8XTMA1

Description: IPT65R040CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R040CM8XTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 67A; 390W; PG-HSOF-8
Transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 67A
Power dissipation: 390W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R060CFD7XTMA1

Description: INFINEON - IPT65R060CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43 A, 0.051 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm

на замовлення 497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT65R060CFD7XTMA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V

на замовлення 1988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	507.91 грн
10+	332.33 грн
100+	245.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT65R060CFD7XTMA1

Description: INFINEON - IPT65R060CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43 A, 0.051 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm

на замовлення 497 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R060CFD7XTMA1

MOSFET

на замовлення 19 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT65R060CFD7XTMA1

Description: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R080CFD7XTMA1

Description: HIGH POWER_NEW
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	177.13 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R080CFD7XTMA1

MOSFET

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT65R080CFD7XTMA1

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	433.45 грн
10+	281.16 грн
100+	203.32 грн
500+	186.64 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT65R099CFD7XTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R099CFD7XTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R099CFD7XTMA1

Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT65R099CFD7XTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V

на замовлення 1988 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	402.88 грн
10+	258.29 грн
100+	185.08 грн
500+	157.08 грн

В кошику од. на суму грн.

IPT65R099CFD7XTMA1

Description: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

на замовлення 1709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R099CFD7XTMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R105G7XTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT65R105G7XTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT65R105G7XTMA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT65R125CFD7XTMA1

Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm

на замовлення 1965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT65R125CFD7XTMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 1999 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT65R125CFD7XTMA1

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	304.90 грн
10+	194.43 грн
100+	137.87 грн
500+	118.08 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R125CFD7XTMA1

Description: HIGH POWER_NEW
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	112.11 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R125CFD7XTMA1

Description: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm

на замовлення 1965 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R155CFD7XTMA1

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	280.61 грн
10+	176.92 грн
100+	124.14 грн
500+	103.77 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R155CFD7XTMA1

MOSFET

на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT65R155CFD7XTMA1

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2000+	93.82 грн

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R190CFD7XTMA1

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Transistor: N-MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R190CFD7XTMA1

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R190CFD7XTMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R190CFD7XTMA1

на замовлення 1140 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	284.52 грн
10+	179.64 грн
100+	126.00 грн
500+	98.40 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R195G7XTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT65R195G7XTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V

на замовлення 172664 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

148+	147.49 грн

Мінімальне замовлення: 148 шт

В кошику од. на суму грн.

IPT65R195G7XTMA1

Description: MOSFET N-CH 650V 14A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 97W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 996 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT65R195G7XTMA1

MOSFET HIGH POWER_NEW

на замовлення 1788 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT66

Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 600 x 600

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT68

Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 600 x 800

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT72V211L15PFI

LATTICE

на замовлення 100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT72V245L15TF

01+ QFP

на замовлення 34 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT72V3640L15PF

на замовлення 82 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPT84

Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 800 x 400

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT85

Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 800 x 500

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT86

Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 800 x 600

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPT88

Racks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 800 x 800

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPTA60R180CM8XTMA1

Description: IPTA60R180CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2000 шт

В кошику од. на суму грн.

IPTA60R180CM8XTMA1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

на замовлення 1541 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

IPTA60R180CM8XTMA1

Description: INFINEON - IPTA60R180CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.18 ohm, LHSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 119W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LHSOF
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm

на замовлення 2260 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

IPTA60R180CM8XTMA1

Description: IPTA60R180CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerLSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-LHSOF-4-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

IPTA60R180CM8XTMA1