Продукція > IPT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPT60R125CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 21A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 127W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 340µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 400 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 20A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 6.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 320µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1080 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R125G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 20A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R145CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.01 грн
10+165.37 грн
100+116.24 грн
500+89.39 грн
1000+83.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R145CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R145CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 19A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 300µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1199 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 17A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902 pF @ 400 V
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+269.63 грн
10+170.73 грн
100+120.12 грн
500+92.45 грн
1000+85.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R150G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.129 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 600V 17A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 902 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 17A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER NEW
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R150G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60R150G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 17 A, 0.129 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 106W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS G7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.129ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R160CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R160CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT60R160CM8XTMA1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.23 грн
10+144.84 грн
50+111.32 грн
100+94.33 грн
500+76.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R160CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT60R160CM8XTMA1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT60R180CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT60R180CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 140µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 743 pF @ 400 V
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.63 грн
10+113.75 грн
100+78.14 грн
500+59.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R180CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 600VCoolMOSCM8PowerTransistor
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin HSOF EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin HSOF EP T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+623.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin HSOF EP T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+603.46 грн
10+569.61 грн
25+502.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60T022S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 23 A, 0.022 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 390W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 23A, 12V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.43mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5640 pF @ 300 V
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+872.39 грн
10+584.66 грн
50+475.44 грн
100+440.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T022S7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 600V 23A 9-Pin HSOF EP T/R
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+603.46 грн
25+569.61 грн
29+502.47 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T040S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 780µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 300 V
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.15 грн
10+338.14 грн
100+253.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T040S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T040S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60T040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.04 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T040S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 13A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 780µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 12 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3128 pF @ 300 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T040S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60T040S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.04 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 245W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T065S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.64 грн
10+286.21 грн
100+206.38 грн
500+161.77 грн
1000+161.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T065S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60T065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.065 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T065S7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 12 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 12V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 470µA
Power Dissipation (Max): 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 8A, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T065S7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60T065S7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT60T065S7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.065 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS SJ S7 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.065ohm
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT64Hammond ManufacturingRacks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 600 x 400
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65Hammond ManufacturingRacks & Rack Cabinet Accessories Vented Pagoda 600 x 500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R018CM8XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 134A; 694W; PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Power dissipation: 694W
Gate charge: 173nC
Technology: CoolMOS™
Drain current: 134A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 18mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R018CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT65R018CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1052.66 грн
10+710.63 грн
50+589.18 грн
500+521.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R018CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 1494 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R018CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT65R018CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 134A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 55.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 1.48mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 173 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8290 pF @ 400 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+471.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R025CM8XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT65R025CM8XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 101 A, 0.025 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.7V
Verlustleistung: 543W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CM8 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R025CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R025CM8XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 101A; 543W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 101A
Power dissipation: 543W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 124nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R033G7Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R033G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT65R033G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.029 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R033G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 69A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R033G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R033G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 69A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 28.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R033G7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT65R033G7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 69 A, 0.029 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 69A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 391W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS C7 Gold Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R033G7XTMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 650V 69A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1418.59 грн
12+1262.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R033G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 69A 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 28.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.44mA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R040CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+274.31 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R040CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 347W
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R040CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+599.62 грн
10+394.98 грн
100+314.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R040CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT65R040CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 63 A, 0.034 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 347W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
на замовлення 1448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R040CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 3968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R040CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT65R040CM8XTMA1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R040CM8XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
на замовлення 834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R040CM8XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 67A; 390W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 67A
Power dissipation: 390W
Case: PG-HSOF-8
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R040CM8XTMA1Infineon TechnologiesDescription: IPT65R040CM8XTMA1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.7V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3796 pF @ 400 V
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.48 грн
10+332.03 грн
100+251.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R060CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R060CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.91 грн
10+332.33 грн
100+245.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R060CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R060CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT65R060CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43 A, 0.051 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R060CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT65R060CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 43 A, 0.051 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R080CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R080CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+433.45 грн
10+281.16 грн
100+203.32 грн
500+186.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R080CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R080CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+177.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R080CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT65R080CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.067 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 201W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R099CFD7XTMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R099CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R099CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R099CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.88 грн
10+258.29 грн
100+185.08 грн
500+157.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R099CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R099CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT65R099CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 28 A, 0.087 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.087ohm
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R105G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R105G7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 24A 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 440µA
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R105G7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET HIGH POWER_NEW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R125CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R125CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+112.11 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R125CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFETs HIGH POWER_NEW
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R125CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT65R125CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 23 A, 0.107 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.107ohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R125CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.90 грн
10+194.43 грн
100+137.87 грн
500+118.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R155CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+280.61 грн
10+176.92 грн
100+124.14 грн
500+103.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R155CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT65R155CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.13 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R155CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: HIGH POWER_NEW
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+93.82 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R155CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT65R155CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 19 A, 0.13 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 122W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R155CFD7XTMA1Infineon TechnologiesMOSFET
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R190CFD7XTMA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 650V 8HSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-2
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.52 грн
10+179.64 грн
100+126.00 грн
500+98.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT65R190CFD7XTMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPT65R190CFD7XTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 16 A, 0.161 ohm, HSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 106W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: HSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: CoolMOS CFD7 SJ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.161ohm
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.