Продукція > IXT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTP1R4N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9Ohm @ 700mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R4N60PIXYSMOSFET 1.4 Amps 600 V 8 Ohm Rds
на замовлення 255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.79 грн
10+234.16 грн
50+183.42 грн
100+156.81 грн
500+129.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2IXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 1,6 A, Qg, нКл = 27 @ 5 В, Rds = 10 Ом @ 0,8 A, 0 В, Р, Вт = 100, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 10 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Gate charge: 645nC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+275.62 грн
10+224.36 грн
50+163.70 грн
100+145.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N50D2IXYSMOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N50D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.79 грн
10+234.16 грн
50+183.42 грн
100+156.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N50D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N50D2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP1R6N50D2. - MOSFET, N-CH, 500V, 1.6A, TO-220
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.3ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N50PIXYSMOSFET 1.6 Amps 500 V 6 Ohm Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP200N055T2IXYSMOSFETs 200 Amps 55V 0.0042 Rds
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP200N055T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 200A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP200N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 200A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6800 pF @ 25 V
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+315.31 грн
10+272.75 грн
100+223.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP200N055T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 55V 200A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP200N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 200A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP200N085TIXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 200A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP200N085TIXYSMOSFET MOSFET Id200 BVdass85
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65XIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65XIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
On-state resistance: 0.21Ω
Reverse recovery time: 0.35µs
Gate charge: 35nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65XIXYSMOSFETs 650V/9A Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 290W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
On-state resistance: 0.185Ω
Reverse recovery time: 0.35µs
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X2IXYSMOSFETs TO220 650V 20A N-CH X3CLASS
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.65 грн
10+300.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 36W; TO220FP; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 36W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 650V
On-state resistance: 0.185Ω
Reverse recovery time: 0.35µs
Gate charge: 27nC
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65X2MIXYSMOSFETs TO220 650V 20A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65XMIXYSMOSFETs 650V/9A Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP20N65XMIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP220N04T2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+412.78 грн
50+308.26 грн
100+301.64 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP220N04T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 220A; 360W; TO220AB; 45ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 220A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 45ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 267 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+316.79 грн
10+167.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP220N04T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 40V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP220N04T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 220A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6820 pF @ 25 V
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.30 грн
10+258.31 грн
50+202.99 грн
100+173.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP220N04T2IXYSMOSFETs 220 Amps 40V 0.0035 Rds
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP220N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 220A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP220N075TIXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 220A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 220A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 230A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 340W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N04T4IXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N04T4IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 230A; 340W; TO220AB; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 230A
Power dissipation: 340W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 32ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N04T4MIXYSMOSFETs Disc MSFT NChTrenchGate-Gen4 TO-220AB/FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N04T4MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 230A; 40W; TO220FP; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 230A
Power dissipation: 40W
Case: TO220FP
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.14µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 32ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N04T4MIXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 230A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 115A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N075T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+504.81 грн
50+262.53 грн
100+240.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N075T2IXYSMOSFETs 230 Amps 75V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N075T2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 75V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+563.60 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP240N055TIXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 240A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 24A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+437.91 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+535.88 грн
10+349.93 грн
50+278.70 грн
100+240.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Gate charge: 36nC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+508.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2MIXYSMOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2MClareMOSFET X2-Class полевой 650V; 24A; 37W; TO220FP Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2MIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP24N65X2M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2MIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+325.46 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2MIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Gate charge: 36nC
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+412.54 грн
10+258.43 грн
50+226.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2MLittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2MIXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+479.18 грн
10+310.14 грн
50+245.18 грн
100+210.48 грн
500+176.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24P085TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 85V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24P085TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -85V; -24A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -85V
Drain current: -24A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 41nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 40ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24P085TIXYSDescription: MOSFET P-CH 85V 24A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 25 V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.68 грн
10+183.08 грн
50+141.71 грн
100+120.49 грн
500+98.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24P085TIXYSMOSFETs 24 Amps 85V 0.065 Rds
на замовлення 577 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP260N055T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 55V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.90 грн
10+390.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP260N055T2IXYSMOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP260N055T2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 260A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.3mΩ
Reverse recovery time: 60ns
Mounting: THT
Power dissipation: 480W
Gate charge: 0.14µC
Polarisation: unipolar
на замовлення 308 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+400.01 грн
3+348.17 грн
10+299.98 грн
50+289.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P10TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -26A; 150W; 70ns
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -26A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 70ns
Gate charge: 52nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+223.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P10TIXYSMOSFETs MOSFET P-CH 200V 26A TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20PIXYSDescription: MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.13 грн
10+440.57 грн
50+354.21 грн
100+306.37 грн
500+260.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20PIXYSMOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
на замовлення 2909 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20PIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Drain current: -26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+587.05 грн
5+481.96 грн
10+440.41 грн
50+349.01 грн
100+321.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20PMOSFET P-CH 200V 26A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP270N04T4IXYSMOSFET 40V/270A TrenchT4 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP270N04T4IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 270A; 375W; TO220AB; 48ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 48ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+251.46 грн
3+210.23 грн
10+186.14 грн
50+170.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP270N04T4IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 270A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9140 pF @ 25 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.10 грн
50+166.55 грн
100+153.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP27N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 27A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP27N20TIXYSMOSFETs 27 Amps 200V 100 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP28N15PIXYSDescription: MOSFET N-CH TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP28P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.26 грн
10+207.17 грн
25+187.34 грн
50+178.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP28P065TIXYSMOSFETs 28 Amps 65V 0.045 Rds
на замовлення 1083 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP28P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
75+190.51 грн
Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP28P065TIXYSDescription: MOSFET P-CH 65V 28A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP28P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 28A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+229.79 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP28P065T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP28P065T. - MOSFET, P-CH, 65V, 28A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+415.50 грн
10+359.20 грн
100+294.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N100IXYSMOSFET 2 Amps 1000V 7 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N100LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+265.97 грн
300+255.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N100PIXYSMOSFETs 2 Amps 1000V 7.5 Rds
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N60PIXYSMOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N60PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N60PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.26 грн
50+152.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Gate charge: 4.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N65X2IXYSMOSFETs TO220 650V 2A N-CH X2CLASS
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N80IXYSMOSFETs 2 Amps 800V 6.2 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.