Продукція > DMT

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMTH6005LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.41 грн
10+94.80 грн
25+80.46 грн
50+67.15 грн
100+60.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6005LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.09 грн
10+104.69 грн
25+89.00 грн
50+74.38 грн
100+66.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6005LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
на замовлення 2335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V 175c N-Ch FET 5.5mOhm 10Vgs 100A
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UX)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2962 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6006LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6006LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 17.2A/100A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.88W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2162 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6006LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 17.2A/100A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.88W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2162 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.04 грн
5000+29.39 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6006SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 17.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6006SPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 17.8A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6006SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 19305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+74.57 грн
100+50.02 грн
500+37.04 грн
1000+33.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.93 грн
5000+30.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60
на замовлення 2136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 14.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 63979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+69.59 грн
100+48.86 грн
500+38.74 грн
1000+35.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 14.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 182500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.92 грн
5000+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6009LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W
на замовлення 8641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 14.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 182500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.92 грн
5000+43.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.77 грн
5000+33.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6009LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LK3Q-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 14.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 4736 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 320177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.57 грн
10+53.29 грн
100+35.11 грн
500+25.61 грн
1000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+38.93 грн
367+38.56 грн
452+31.31 грн
457+29.90 грн
500+26.15 грн
1000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+46.05 грн
20+38.93 грн
25+38.56 грн
100+30.20 грн
250+27.68 грн
500+25.10 грн
1000+21.76 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.88 грн
5000+20.34 грн
7500+19.48 грн
12500+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 112494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.93 грн
10+71.52 грн
100+47.98 грн
500+35.55 грн
1000+32.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.35 грн
5000+28.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LK3-13DiodesTrans MOSFET N-CH 60V 14.8A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 70A
на замовлення 1242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6010LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.71 грн
10+73.89 грн
100+49.66 грн
500+36.85 грн
1000+33.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.98 грн
10+86.54 грн
25+85.78 грн
100+63.22 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6010LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 152 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6010LPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 7288 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.65 грн
5000+32.84 грн
7500+31.60 грн
12500+28.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6010LPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1307500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.68 грн
10+80.84 грн
100+54.29 грн
500+40.27 грн
1000+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+77.26 грн
12+67.64 грн
25+66.96 грн
100+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 13.5A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPS-13DiodesTrans MOSFET N-CH 60V 13.5A Automotive 8-Pin PowerDI 5060 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 13.5A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 13.5A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.60 грн
10+83.25 грн
100+56.26 грн
500+41.97 грн
1000+39.57 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 6400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPSQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPSQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.26 грн
5000+34.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPSQ-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 6400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2324 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPSQ-13DiodesTrans MOSFET N-CH 60V 13.5A Automotive 8-Pin PowerDI 5060 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 167500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.07 грн
5000+22.37 грн
7500+21.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPSWQ-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010LPSWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 169637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.67 грн
10+58.75 грн
100+39.03 грн
500+28.68 грн
1000+26.12 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010SCTDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010SCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010SCTDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
254+55.69 грн
Мінімальне замовлення: 254 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 30 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.15 грн
5000+26.99 грн
7500+26.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6010SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 5400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 30 V
на замовлення 11951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+69.06 грн
100+46.28 грн
500+34.24 грн
1000+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60
на замовлення 3115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6010SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 5400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
на замовлення 588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 275000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.49 грн
5000+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010SK3Q-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 1856 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010SK3Q-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 277156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+71.86 грн
100+48.19 грн
500+35.71 грн
1000+32.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6010SPS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6011LPDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6011LPDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6012LPSW-13Diodes Zetex60V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6012LPSW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.01 грн
5000+15.08 грн
7500+14.41 грн
12500+12.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6012LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.