Продукція > DMT

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60

на замовлення 2136 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LK3-13

Description: MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 19305 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	121.49 грн
10+	74.57 грн
100+	50.02 грн
500+	37.04 грн
1000+	33.86 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LK3-13

на замовлення 17500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.93 грн
5000+	30.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LK3Q-13

Trans MOSFET N-CH 60V 14.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 57500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	44.93 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 60W (Tc)

на замовлення 62500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	35.77 грн
5000+	33.17 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LK3Q-13

Description: DIODES INC. - DMTH6009LK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 59 A, 0.0083 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0083ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)

на замовлення 2218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.40 грн
500+	47.63 грн
1000+	42.15 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LK3Q-13

Trans MOSFET N-CH 60V 14.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LK3Q-13

Trans MOSFET N-CH 60V 14.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 182500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.92 грн
5000+	43.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LK3Q-13

на замовлення 2218 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	95.10 грн
11+	76.00 грн
100+	53.40 грн
500+	47.63 грн
1000+	42.15 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LK3Q-13

Trans MOSFET N-CH 60V 14.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 182500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	43.92 грн
5000+	43.58 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LK3Q-13

MOSFETs N-Ch Enh Mode Fet 60Vdss 20Vgss 60W

на замовлення 10861 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 60V 14.2A/59A TO252
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.2A (Ta), 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 63979 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	90.14 грн
10+	69.59 грн
100+	48.86 грн
500+	38.74 грн
1000+	35.49 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LPS-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 4736 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LPS-13

Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 320000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	22.88 грн
5000+	20.34 грн
7500+	19.48 грн
12500+	17.80 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 2309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	37.07 грн
500+	27.63 грн
1000+	23.34 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LPS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 320000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	24.75 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LPS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LPS-13

Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 2299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	74.38 грн
17+	48.53 грн
100+	33.33 грн
500+	22.95 грн
1000+	19.30 грн

Мінімальне замовлення: 11 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LPS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 1562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

364+	38.93 грн
367+	38.56 грн
452+	31.31 грн
457+	29.90 грн
500+	26.15 грн
1000+	21.76 грн

Мінімальне замовлення: 364 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LPS-13

Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.76A (Ta), 89.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 320177 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.57 грн
10+	53.29 грн
100+	35.11 грн
500+	25.61 грн
1000+	23.24 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LPS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 11.76A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 1562 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

17+	46.05 грн
20+	38.93 грн
25+	38.56 грн
100+	30.20 грн
250+	27.68 грн
500+	25.10 грн
1000+	21.76 грн

Мінімальне замовлення: 17 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009LPSQ-13

Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6009SPS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LK3-13

Description: MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V

на замовлення 110000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.35 грн
5000+	28.15 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LK3-13

MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF

на замовлення 2498 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LK3-13

Description: MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.8A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V

на замовлення 112494 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	116.93 грн
10+	71.52 грн
100+	47.98 грн
500+	35.55 грн
1000+	32.51 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LK3-13

Diodes

Trans MOSFET N-CH 60V 14.8A DPAK Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 60V 14.8A TO252

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LK3Q-13

MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 70A

на замовлення 1502 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPD-13

Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	32.54 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPD-13

Description: DIODES INC. - DMTH6010LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47.6A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	59.34 грн
500+	44.00 грн
1000+	39.99 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPD-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 166 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPD-13

Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R

на замовлення 120 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	100.98 грн
10+	86.54 грн
25+	85.78 грн
100+	63.22 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPD-13

Description: DIODES INC. - DMTH6010LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.0085 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0085ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0085ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 1796 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	117.86 грн
10+	82.10 грн
100+	59.34 грн
500+	44.00 грн
1000+	39.99 грн

Мінімальне замовлення: 7 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPD-13

Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 8518 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	120.71 грн
10+	73.89 грн
100+	49.66 грн
500+	36.85 грн
1000+	33.78 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPDQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPDQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH6010LPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	91.04 грн
13+	66.57 грн
100+	64.05 грн
500+	57.14 грн
1000+	50.58 грн

Мінімальне замовлення: 9 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPDQ-13

на замовлення 5206 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.65 грн
10+	69.36 грн
100+	46.40 грн
500+	34.31 грн
1000+	31.34 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPDQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 1418 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPDQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPDQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 1307500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	54.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPDQ-13

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.19 грн
5000+	27.02 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPDQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH6010LPDQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.011 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 47.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 2.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.011ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.8W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

на замовлення 2299 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	64.05 грн
500+	57.14 грн
1000+	50.58 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPDQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 13.1A 8-Pin PowerDI EP T/R Automotive AEC-Q101

на замовлення 145 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	77.26 грн
12+	67.64 грн
25+	66.96 грн
100+	56.38 грн

Мінімальне замовлення: 10 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPDW-13

Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPDWQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 60V 13.1A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.8W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2615pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPS-13

Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin PowerDI 5060 T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPS-13

Diodes

Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A Automotive 8-Pin PowerDI 5060 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPS-13

Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPS-13

Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A 8-Pin PowerDI 5060 T/R

на замовлення 7500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	41.47 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPS-13

MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 20Vgss 2.6W 2090pF

на замовлення 2488 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPS-13

Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPSQ-13

Diodes

Trans MOSFET N-CH 60V 13.5A Automotive 8-Pin PowerDI 5060 Транзистори

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPSQ-13

Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 22184 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	135.60 грн
10+	83.25 грн
100+	56.26 грн
500+	41.97 грн
1000+	39.57 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 6400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 2324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	60.56 грн
500+	41.82 грн
1000+	37.97 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPSQ-13

MOSFETs 60V 175c N-Ch FET 8mOhm 10Vgs 100A

на замовлення 2745 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPSQ-13

Description: MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 20000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	37.26 грн
5000+	34.45 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPSQ-13

Description: DIODES INC. - DMTH6010LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 6400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)

на замовлення 2324 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	113.80 грн
10+	89.41 грн
100+	60.56 грн
500+	41.82 грн
1000+	37.97 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPSW-13

Description: MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPSW-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPSWQ-13

Description: MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 169637 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	96.67 грн
10+	58.75 грн
100+	39.03 грн
500+	28.68 грн
1000+	26.12 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPSWQ-13

Description: MOSFET N-CH 60V 15.5A/80A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.5A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 167500 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	25.07 грн
5000+	22.37 грн
7500+	21.63 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010LPSWQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010SCT

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 6 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010SCT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 50 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010SCT

Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3

на замовлення 4 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	136.38 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010SCT

Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube

на замовлення 5450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

254+	55.69 грн

Мінімальне замовлення: 254 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010SK3-13

Description: DIODES INC. - DMTH6010SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 5400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.1W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)

на замовлення 1194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	56.41 грн
500+	41.29 грн
1000+	37.07 грн

Мінімальне замовлення: 100 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010SK3-13

Description: MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 30 V

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	30.15 грн
5000+	26.99 грн
7500+	26.89 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010SK3-13

на замовлення 1194 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	108.92 грн
11+	75.84 грн
100+	56.41 грн
500+	41.29 грн
1000+	37.07 грн

Мінімальне замовлення: 8 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010SK3-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60

на замовлення 3115 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010SK3-13

Description: MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 30 V

на замовлення 11951 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	112.87 грн
10+	69.06 грн
100+	46.28 грн
500+	34.24 грн
1000+	31.29 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010SK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 277156 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	117.57 грн
10+	71.86 грн
100+	48.19 грн
500+	35.71 грн
1000+	32.65 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010SK3Q-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V

на замовлення 1856 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010SK3Q-13

Description: MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2841 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 275000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	31.49 грн
5000+	28.30 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010SPS-13

Description: MOSFET N-CH 60V PWRDI5060

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6010SPS-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6012LPSW-13

60V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	19.94 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6012LPSW-13

Description: MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53.6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2500+	17.01 грн
5000+	15.08 грн
7500+	14.41 грн
12500+	12.83 грн

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6012LPSW-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH6012LPSW-13

60V +175 Degrees N-Channel Enhancement Mode MOSFET

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6012LPSWQ-13

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K

на замовлення 2154 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6012LPSWQ-13

Description: MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 1030 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.46 грн
10+	45.06 грн
100+	29.56 грн
500+	21.49 грн
1000+	19.47 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6012LPSWQ-13

Description: MOSFET N-CH 60V 11.5/50.5A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Ta), 50.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 53.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6015LDVWQ-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K

на замовлення 2000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6015LPDWQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.4A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 39.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 36.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 2500 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6015LPDWQ-13

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.4A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 39.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 36.3A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 628 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.36 грн
10+	55.42 грн
100+	36.71 грн
500+	26.91 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFDFW-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V~60V U-DFN2020-6 T&R 10K

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFDFW-7

Description: MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.06W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	18.07 грн
6000+	16.07 грн
9000+	15.39 грн

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFDFW-7

Description: MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.06W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 14818 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	74.46 грн
10+	44.91 грн
100+	29.44 грн
500+	21.39 грн
1000+	19.38 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFDFW-7

MOSFETs MOSFET BVDSS: 41V-60V U-DFN2020-6 T&R 3K

на замовлення 6496 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFDFWQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 9.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R

на замовлення 30000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10000+	25.31 грн

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFDFWQ-13

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFDFWQ-13

Trans MOSFET N-CH 60V 9.4A Automotive AEC-Q101 6-Pin UDFN EP T/R

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 10000 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFDFWQ-7

MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFDFWQ-7R

Description: MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.06W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 925 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101

на замовлення 4264 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.52 грн
10+	49.51 грн
100+	32.63 грн
500+	23.81 грн
1000+	21.61 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

DMTH6016LFDFWQ-7R