Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD83325LTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 8A 6-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH 12V 8A 6-Pin PicoStar T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 12V 6PICOSTAR
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-PicoStar
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.9nC @ 4.5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+42.07 грн
500+38.86 грн
750+38.03 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD83325LTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD83325LT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 8 A, 0.0099 ohm, PICOSTAR, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 4.5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.3
Bauform - Transistor: PICOSTAR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0099
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 950
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2Texas InstrumentsMOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2Texas InstrumentsMOSFETs CSD85301Q2 Dual N- C hannel Power MOSFET A 595-CSD85301Q2T
на замовлення 4380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Part Status: Active
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+31.40 грн
100+20.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2Texas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2G4Texas InstrumentsMOSFETs 20-V N channel NexF ET power MOSFET dua
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD85301Q2T - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.023 ohm, WSON, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 2.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900
Bauform - Transistor: WSON
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.023
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+44.59 грн
500+37.43 грн
750+35.75 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTEXAS INSTRUMENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5A; Idm: 26A; 2.3W; WSON6
Mounting: SMD
Case: WSON6
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 99mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 26A
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTexas InstrumentsMOSFETs Dual N-Channel NexFE T Pwr MOSFET A 595- A 595-CSD85301Q2
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTexas InstrumentsTrans MOSFET N-CH Si 20V 5A 6-Pin WSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85301Q2TTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-WSON (2x2)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 469pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 2.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+75.63 грн
100+42.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.35 грн
10+36.08 грн
50+26.48 грн
100+21.92 грн
500+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTexas InstrumentsMOSFETs 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302LT A A 595-CSD85302LT
на замовлення 5331 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.69 грн
20+39.38 грн
25+38.72 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTTexas InstrumentsMOSFETs 20V Dual N ch MOSFET A 595-CSD85302L A 5 A 595-CSD85302L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTTEXAS INSTRUMENTSCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 1.7W; PICOSTAR4; ESD
Mounting: SMD
Semiconductor structure: common drain
Case: PICOSTAR4
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 1.7W
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Technology: NexFET™
Type of transistor: N-MOSFET x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 3934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.25 грн
10+81.21 грн
50+60.90 грн
100+48.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+22.92 грн
34+22.38 грн
35+22.05 грн
100+19.69 грн
250+18.02 грн
500+16.94 грн
1000+16.58 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 4PICOSTAR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-XFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8nC @ 4.5V
Supplier Device Package: 4-Picostar (1.31x1.31)
Part Status: Active
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+49.08 грн
750+40.63 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85302LTTexas Instruments20V, N ch NexFET MOSFET dual common source SON3x3, 14mOhm
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85312Q3ETexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 6458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 456 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85312Q3ETexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 6904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.19 грн
10+77.29 грн
100+51.77 грн
500+38.32 грн
1000+35.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85312Q3ETexas InstrumentsMOSFETs Dual 20V N-CH Pwr MO SFETs
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD85312Q3ETexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 20V 39A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2390pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 10A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.80 грн
5000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86311W1723Texas InstrumentsPower Block 12-Pin Wafer T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.94 грн
15+52.49 грн
25+51.96 грн
100+43.93 грн
250+40.44 грн
500+34.98 грн
1000+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86311W1723Texas InstrumentsMOSFETs Dual N-Channel Nex F ET Pwr MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86311W1723Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-DSBGA
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+55.02 грн
100+38.27 грн
500+28.86 грн
1000+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86311W1723Texas InstrumentsPower Block 12-Pin Wafer T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86311W1723Texas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-UFBGA, DSBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 2A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 12-DSBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86311W1723Texas InstrumentsPower Block 12-Pin Wafer T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86311W1723TI BGA 1127+
на замовлення 1639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86311W1723Texas InstrumentsPower Block 12-Pin Wafer T/R
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+52.49 грн
273+51.96 грн
311+45.56 грн
313+43.67 грн
500+36.44 грн
1000+32.32 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330EVM-717Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools CSD86330EVM-717
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330EVM-717Texas InstrumentsDescription: EVAL MODULE FOR CSD86330Q3D
Outputs and Type: 1, Non-Isolated
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: CSD86330, TPS53219
Board Type: Fully Populated
Regulator Topology: Buck
Frequency - Switching: 500kHz
Current - Output: 5A
Voltage - Input: 9V ~ 13.2V
Voltage - Output: 1.2V
Packaging: Box
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4256.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.28 грн
10+130.65 грн
100+90.17 грн
500+68.36 грн
1000+65.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 20 A, 20 A, 4.6 ohm
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.59 грн
115+123.97 грн
116+122.73 грн
128+106.55 грн
250+97.67 грн
500+84.54 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTexas InstrumentsMOSFETs Sync Buck NexFET Pwr Block MOSFET
на замовлення 11627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8LSON
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 14A, 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 6W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.60 грн
5000+57.53 грн
7500+56.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTI
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+130.59 грн
10+123.97 грн
25+122.73 грн
100+106.55 грн
250+97.67 грн
500+84.54 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 20 A, 20 A, 4.6 ohm
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 4.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 4.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86330Q3DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin SON EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.46 грн
5000+81.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
на замовлення 4670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
327+61.29 грн
Мінімальне замовлення: 327 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.01 грн
10+89.52 грн
100+60.50 грн
500+45.13 грн
1000+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTexas InstrumentsMOSFETs 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86336Q3DT
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86336Q3DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+90.60 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 3 mm x 3 mm power block, 20 A 8-VSON-CLIP -55 to 150
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86336Q3DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5D
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTexas InstrumentsMOSFETs Synch Buck NexFET Pw r Block MOSFET
на замовлення 4798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 6791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.34 грн
10+173.07 грн
50+133.78 грн
100+113.69 грн
500+93.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5D Транзистор
Код товару: 222494
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
очікується: 2 шт
  • 2 шт - очікується
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DEVM-604Texas InstrumentsDescription: EVAL BOARD FOR CSD86350Q
Packaging: Box
Voltage - Output: 1.2V
Voltage - Input: 8V ~ 13V
Current - Output: 25A
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 290kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: CSD86350Q
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4208.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DEVM-604Texas InstrumentsHigh Frequency Synchronous Power Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DEVM-604Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools CSD86350Q5D Evaluati on Moule
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DG4Texas InstrumentsMOSFETs 25-V N channel sync hronous buck NexFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+136.99 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTTexas InstrumentsMOSFETs 25-V N channel sync hronous buck NexFET
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 12W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 25V
Packaging: Bulk
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+58.21 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTexas InstrumentsMOSFETs 25-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD86356Q5DT
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 12W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTTexas InstrumentsMOSFETs 25-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 5 mm x 6 mm power block, 40 A 8-VSON-CLIP -55 to 150
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86356Q5DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 12W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 12W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 25V
Packaging: Bulk
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+108.22 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86356Q5DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 12W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP
Power - Max: 12W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86360Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 50A 8LSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 12.5
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 13W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.53 грн
5000+72.15 грн
7500+71.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86360Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 50A 8LSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 12.5
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 13W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.92 грн
10+106.05 грн
25+96.73 грн
100+81.18 грн
250+76.60 грн
500+73.84 грн
1000+70.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86360Q5DTexas InstrumentsMOSFETs Synchrnus Buck NxFT Pwr Block
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312TI 12+
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312Q3E
Код товару: 166985
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]