Продукція > CSD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
CSD86336Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
220+89.77 грн
Мінімальне замовлення: 220 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTTexas InstrumentsMOSFET 25-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 3 mm x 3 mm power block, 20 A 8-VSON-CLIP -55 to 150
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86336Q3DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.55 грн
500+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86336Q3DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: VSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.35 грн
14+61.21 грн
100+46.55 грн
500+43.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86336Q3DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 20A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 494pF @ 12.5V, 970pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8nC @ 45V, 7.4nC @ 45V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.49 грн
10+123.44 грн
25+123.02 грн
100+106.18 грн
250+97.14 грн
500+93.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.06 грн
10+166.63 грн
100+116.67 грн
500+90.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+131.07 грн
119+119.41 грн
120+119.06 грн
123+111.45 грн
250+100.08 грн
500+93.09 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5D
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTexas InstrumentsMOSFETs Synch Buck NexFET Pw r Block MOSFET
на замовлення 5637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.34 грн
10+167.51 грн
100+102.17 грн
500+90.43 грн
1000+86.98 грн
2500+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DEVM-604Texas InstrumentsHigh Frequency Synchronous Power Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DEVM-604Texas InstrumentsPower Management IC Development Tools CSD86350Q5D Evaluation Moule
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DEVM-604Texas InstrumentsDescription: EVAL BOARD FOR CSD86350Q
Packaging: Box
Voltage - Output: 1.2V
Voltage - Input: 8V ~ 13V
Current - Output: 25A
Contents: Board(s)
Frequency - Switching: 290kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Utilized IC / Part: CSD86350Q
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3854.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+133.75 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTTexas InstrumentsSynchronous Buck Power Stage 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTTexas InstrumentsMOSFETs 25-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 5 mm x 6 mm power block, 40 A 8-LSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.55 грн
10+194.50 грн
25+168.44 грн
100+121.50 грн
250+103.55 грн
500+98.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86350Q5DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8LSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.6V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.7nC @ 4.5V, 25nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 5V, 1.1mOhm @ 25A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870pF @ 12.5V, 4000pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 13W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.42 грн
10+203.12 грн
100+144.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 12W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 25V
Packaging: Bulk
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
387+57.68 грн
Мінімальне замовлення: 387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTexas InstrumentsMOSFETs 25-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 5 mm x 6 mm power block, 40 A 8-VSON-CLIP -55 to 150
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+178.80 грн
500+142.11 грн
1000+111.84 грн
2500+45.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 12W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86356Q5DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 12W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+264.17 грн
10+173.16 грн
100+107.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTTexas InstrumentsMOSFETs 25-V, N channel synchronous buck NexFET™ power MOSFET, SON 5 mm x 6 mm power block, 40 A 8-VSON-CLIP -55 to 150
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 12W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 25V
Packaging: Bulk
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
208+107.23 грн
Мінімальне замовлення: 208 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD86356Q5DT - Dual-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 25 V, 40 A, 40 A, 1800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 40A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1800µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: NexFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 12W
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86356Q5DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 40A 8VSON-CLIP
Power - Max: 12W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: 8-VSON-CLIP (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.9nC @ 4.5V, 19.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 5V, 0.8mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 12.5V, 2510pF @ 12.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86360Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 50A 8LSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 12.5
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 13W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.83 грн
5000+71.49 грн
7500+70.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86360Q5DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 25V 50A 8LSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 12.5
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Power - Max: 13W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.56 грн
10+105.08 грн
25+95.85 грн
100+80.44 грн
250+75.90 грн
500+73.16 грн
1000+69.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD86360Q5DTexas InstrumentsMOSFETs Synchrnus Buck NxFT Pwr Block
на замовлення 1946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.16 грн
10+115.11 грн
100+89.74 грн
250+84.91 грн
500+81.46 грн
1000+78.70 грн
2500+75.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312TI 12+
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312Q3E
Код товару: 166985
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312Q3ETexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 1349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.41 грн
10+78.83 грн
100+61.27 грн
500+48.73 грн
1000+39.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312Q3ETexas InstrumentsMOSFETs Dual 30V N-CH NexFET Pwr MOSFETs
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.94 грн
10+88.92 грн
100+52.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312Q3ETexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 35664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
484+43.25 грн
Мінімальне замовлення: 484 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312Q3ETexas InstrumentsDual 30-V N-Channel Power MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312Q3ETI QFN 12+
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312Q3ETexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 27A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 7A , 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87312Q3ETexas InstrumentsDual 30-V N-Channel Power MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87313DMSTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87313DMSTexas Instruments30-V Dual N-Channel Power MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87313DMSTexas Instruments30-V Dual N-Channel Power MOSFETs
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.76 грн
5000+56.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87313DMSTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87313DMSTexas Instruments30-V Dual N-Channel Power MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87313DMSTexas InstrumentsMOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A 595-CSD87313DMST
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.17 грн
10+120.67 грн
100+86.98 грн
500+74.56 грн
1000+64.68 грн
2500+37.76 грн
5000+35.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87313DMSTTexas Instruments30-V Dual N-Channel Power MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87313DMSTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+65.83 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87313DMSTTexas InstrumentsMOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A 595-CSD87313DMS
на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.35 грн
10+135.76 грн
100+66.48 грн
500+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87313DMSTTexas Instruments30-V Dual N-Channel Power MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87313DMSTTexas Instruments30-V Dual N-Channel Power MOSFETs
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+92.14 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87313DMSTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8WSON
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-WSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4290pF @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.7W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerWDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.28 грн
10+88.17 грн
100+70.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87313DMSTTexas Instruments30-V Dual N-Channel Power MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87330Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.17 грн
5000+45.33 грн
7500+44.80 грн
12500+41.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87330Q3DTexas InstrumentsMOSFETs 30V Sync Buck NexFET Power Block
на замовлення 50092 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.90 грн
10+67.96 грн
100+49.22 грн
500+41.77 грн
1000+37.14 грн
2500+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87330Q3DTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87330Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 20 A, 20 A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.90 грн
12+68.94 грн
100+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87330Q3DTexas InstrumentsPower Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87330Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 24132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.86 грн
10+68.50 грн
25+62.13 грн
100+51.74 грн
250+48.61 грн
500+46.72 грн
1000+44.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87330Q3DTexas InstrumentsPower Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.97 грн
25+59.96 грн
100+57.81 грн
250+53.52 грн
500+51.37 грн
1000+51.36 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87330Q3DTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87330Q3D - MOSFET, DUAL N-CH, 30V, 20A, LSON-8
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 20A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: LSON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87330Q3DTexas InstrumentsPower Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87330Q3DG4Texas InstrumentsMOSFETs 30-V, N channel synchronous buck NexFET power MOSFET, SON 3 mm x 3 mm power block, 20 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87330Q3DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8LSON
Packaging: Bulk
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Supplier Device Package: 8-LSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, 1.15V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 4.5V, 11.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.45mOhm @ 15A, 5V, 3.6mOhm @ 15A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V, 1632pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 6W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87331Q3DTexas InstrumentsPower Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+60.22 грн
14+56.65 грн
25+56.44 грн
100+49.31 грн
250+45.20 грн
500+39.94 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87331Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 518pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V, 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87331Q3DTexas InstrumentsPower Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87331Q3DTexas InstrumentsMOSFETs 30V Sync Buck NexFET Power Block
на замовлення 7146 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.56 грн
10+49.86 грн
100+35.83 грн
500+34.38 грн
1000+31.34 грн
2500+28.44 грн
5000+26.65 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87331Q3DTexas InstrumentsPower Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87331Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8LSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 518pF @ 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V, 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-LSON (5x6)
Part Status: Active
на замовлення 773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+51.98 грн
25+46.97 грн
100+38.92 грн
250+36.46 грн
500+34.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87331Q3DTexas InstrumentsPower Block 8-Pin LSON-CLIP EP T/R
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
251+56.65 грн
252+56.44 грн
278+51.13 грн
281+48.82 грн
500+41.61 грн
Мінімальне замовлення: 251 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87333Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 662pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+51.83 грн
25+46.82 грн
100+38.77 грн
250+36.31 грн
500+34.82 грн
1000+33.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87333Q3DTexas InstrumentsPower Block 8-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87333Q3DTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87333Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.0119 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.19 грн
16+50.82 грн
100+43.17 грн
500+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87333Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 662pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87333Q3DTexas InstrumentsPower Block 8-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87333Q3DTexas InstrumentsPower Block 8-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87333Q3DTexas InstrumentsMOSFETs High Duty Cycle Sync Buck NexFET A 595-C A 595-CSD87333Q3DT
на замовлення 4031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+50.25 грн
100+36.10 грн
500+34.66 грн
1000+31.96 грн
2500+29.48 грн
10000+28.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87333Q3DTEXAS INSTRUMENTSDescription: TEXAS INSTRUMENTS - CSD87333Q3D - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 15 A, 15 A, 0.0119 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 15A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0119ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: SON
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0119ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.17 грн
500+33.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87333Q3DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 662pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.64 грн
10+64.32 грн
25+58.27 грн
100+48.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87333Q3DTTexas InstrumentsPower Block 8-Pin VSON EP T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87333Q3DTTexas InstrumentsPower Block 8-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87333Q3DTTexas InstrumentsMOSFETs High Duty Cycle Sync Buck NexFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87333Q3DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 662pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+50.34 грн
500+46.57 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87333Q3DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 662pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.3mOhm @ 4A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
299+66.01 грн
Мінімальне замовлення: 299 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87333Q3DTTexas InstrumentsPower Block 8-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87334Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8VSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87334Q3DTexas InstrumentsPower Block 8-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87334Q3DTexas InstrumentsMOSFETs 30-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD87334Q3DT
на замовлення 1658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.19 грн
10+53.11 грн
100+37.69 грн
500+33.14 грн
1000+30.86 грн
2500+27.48 грн
5000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87334Q3DTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 20A 8VSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87334Q3DTexas InstrumentsPower Block 8-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87334Q3DTTexas InstrumentsPower Block 8-Pin VSON EP T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+99.78 грн
500+91.19 грн
1000+76.95 грн
2500+66.90 грн
5000+60.78 грн
10000+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87334Q3DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8VSON
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.71 грн
10+106.05 грн
25+100.06 грн
100+80.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87334Q3DTTexas InstrumentsPower Block 8-Pin VSON EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87334Q3DTTexas InstrumentsPower Block 8-Pin VSON EP T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+99.78 грн
500+91.19 грн
1000+76.95 грн
2500+66.90 грн
5000+60.78 грн
10000+57.14 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CSD87334Q3DTTexas InstrumentsDescription: MOSFET 2N-CH 30V 8VSON
Supplier Device Package: 8-VSON (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 12A, 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260pF @ 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+83.14 грн
500+70.05 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]