Продукція > NTM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTMFSC2D6N08XTWGonsemiDescription: MOSFET - POWERTRENCH T10, SINGLE
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC2D9N08HonsemiDescription: T8 80V DFN8 5X6 DUAL COOL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 40 V
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.63 грн
10+162.81 грн
100+113.65 грн
500+86.96 грн
1000+80.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC2D9N08HonsemiDescription: T8 80V DFN8 5X6 DUAL COOL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 154A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 166W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4380 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC2D9N08HonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, DUAL COOLTM, DFN8 5x6. 15, 80V, 2.9m, 154A MOSFET - Power, Single, N-Channel, DUAL COOLTM, DFN8 5x6. 15, 80V, 2.9m, 154A
на замовлення 2357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC2D9N08HONN
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+226.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+419.43 грн
50+273.12 грн
100+213.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.6A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.9W (Ta), 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2856 pF @ 50 V
на замовлення 3158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+316.66 грн
10+201.53 грн
100+143.03 грн
500+125.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.89 грн
10+165.20 грн
25+164.16 грн
100+157.84 грн
250+145.81 грн
500+139.58 грн
1000+139.17 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MConsemiMOSFETs 100V PTNG IN 5X6 DUAL COOL
на замовлення 1576 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+176.89 грн
86+165.20 грн
87+164.16 грн
100+157.84 грн
250+145.81 грн
500+139.58 грн
1000+139.17 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MConsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.6A (Ta), 116A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.9W (Ta), 122W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6.15)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2856 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+113.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 29.6A 8-Pin DFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSC4D2N10MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFSC4D2N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 116 A, 4300 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 116A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 122W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: DUAL COOL
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 331 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+213.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSCH0D4N04XMTWGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single N-Channel, DUAL COOL, DFN8 5x6, 40 V, 0.40 mohm, 529 A
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 386-395 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSCH0D4N04XMTWGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 529A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9143 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSCH0D4N04XMTWGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9143 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 350µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 529A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSCH1D4N08XTWGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 263A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6303 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 348µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSCH1D4N08XTWGonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single N-Channel, DUAL COOL, DFN8 5x6, 80 V, 1.4 mohm, 263 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSCH1D4N08XTWGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLEN-CHANNEL,
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6303 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 348µA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 263A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSS0D9N03P8onsemiMOSFETs 30V PT8 IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE
на замовлення 2838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSS1D3N06CLonsemiMOSFETs 60V T6 MAX DIE IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFSS1D5N06CLonsemiMOSFETs 60V T6 DIE IN 5X6 SOURCE DOWN PACKAGE
на замовлення 2812 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1GonsemiMOSFETs MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 1.43mohm, 253 A MOSFET - Power, Single, N-Channel, STD Gate. SO8FL-HEFET, 80V, 1.43mohm, 253 A
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1GonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+79.80 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.24 грн
10+194.27 грн
100+141.44 грн
500+107.18 грн
1000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1GonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 253A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 194W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5880 pF @ 40 V
на замовлення 2961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.85 грн
10+151.33 грн
100+105.75 грн
500+86.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMFWS1D5N08XT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 253 A, 0.00143 ohm, DFNW-EP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 253A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: DFNW-EP
Anzahl der Pins: 4Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00143ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+139.00 грн
500+121.52 грн
1000+90.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMFWS1D5N08XT1GONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 253A; Idm: 1071A; 194W; DFNW5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 121nC
On-state resistance: 1.43mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 194W
Drain current: 253A
Pulsed drain current: 1071A
Case: DFNW5
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS0D8N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 56A/368A 8LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS0D8N04CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMJS0D8N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 368 A, 600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 368A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.74 грн
10+241.41 грн
100+221.09 грн
500+186.43 грн
1000+154.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS0D8N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 56A/368A 8LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS0D8N04CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMJS0D8N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 368 A, 600 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 368A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+221.09 грн
500+186.43 грн
1000+154.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS0D8N04CLTWGonsemiMOSFET T6 40V LL LFPAK
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS0D9N04CLTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 330A; Idm: 900A; 83W; LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 330A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 83W
Case: LFPAK8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 820µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 143nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS0D9N04CTWGonsemiMOSFET T6 40V SL LFPAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D0N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D0N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 46A/300A 8LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D0N04CTWGonsemiMOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 1778-1787 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D15N03CGTWGON SemiconductorMOSFET WIDE SOA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D15N03CGTWGonsemiDescription: WIDE SOA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta), 257A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 160µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 125W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D2N04CLTWGonsemiMOSFET T6 40V LL LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D2N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.63 грн
10+113.60 грн
100+78.01 грн
500+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D2N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/237A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 237A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 170µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.69 грн
6000+51.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D2N04CLTWGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 41A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D3N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 41A/235A 8LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 262A; Idm: 900A; 90W; LFPAK8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 262A
Pulsed drain current: 900A
Power dissipation: 90W
Case: LFPAK8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 103nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+112.99 грн
500+99.63 грн
1000+86.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWGONN
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWGonsemiMOSFETs T6 60V LL LFPAK
на замовлення 1476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMJS1D4N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 262 A, 1070 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 262A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1070µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+218.66 грн
10+146.31 грн
100+112.99 грн
500+99.63 грн
1000+86.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D4N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 39A/262A 8LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7430 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103 nC @ 10 V
Packaging: Cut Tape (CT)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 280µA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 262A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.31 грн
10+142.05 грн
100+98.48 грн
500+74.93 грн
1000+73.02 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D5N04CLTWGonsemiMOSFETs 40V 1.55 mOhm 185A Single N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D5N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.60 грн
6000+46.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D5N04CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+192.64 грн
10+124.37 грн
100+85.35 грн
500+63.18 грн
1000+56.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D5N04CLTWGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+85.35 грн
500+63.18 грн
1000+56.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D5N04CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 38A/200A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 130µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 20 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.74 грн
10+104.08 грн
100+71.18 грн
500+53.56 грн
1000+52.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D6N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D6N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 8LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D6N06CLTWGonsemiMOSFETs T6 60V LL LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D7N04CTWGonsemiMOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS1D7N04CTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 35A/185A 8LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS2D5N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS2D5N06CLTWGonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1205, 8-LFPAK56
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 164A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 135µA
Supplier Device Package: 8-LFPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.85 грн
10+151.11 грн
100+105.39 грн
500+80.53 грн
1000+74.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJS2D5N06CLTWGonsemiMOSFETs 60V 2.5mOhms 150A Single N-Channel
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJST1D4N06CLTXGonsemiDescription: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V
на замовлення 11813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.28 грн
10+130.65 грн
100+90.12 грн
500+68.32 грн
1000+65.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJST1D4N06CLTXGonsemiDescription: TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Ta), 198A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.49mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6555 pF @ 25 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJST1D4N06CLTXGonsemiMOSFETs TRENCH 6 60V LFPAK 5X7
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJST2D6N08HTXGonsemiMOSFETs TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJST2D6N08HTXGonsemiDescription: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V
на замовлення 14845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+243.77 грн
10+153.30 грн
100+107.03 грн
500+87.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJST2D6N08HTXGonsemiDescription: TRENCH 8 80V LFPAK 5X7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-PowerLSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 131.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.3W (Ta), 116W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-TCPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+79.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMJST2D6N08HTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 131.5A; Idm: 900A; 58W; TCPAK10
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TCPAK10
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 2.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 58W
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 131.5A
Pulsed drain current: 900A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMKB4895NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 15A/66A 4ICEPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-ICEPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 66A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-ICEPAK - B1 PAD (4.8x3.8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1644 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMKE4890NT1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMKE4890NT1GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+55.96 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMKE4891NT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 26.7A 4ICEPAK
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4360 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 29A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26.7A (Ta), 151A (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-ICEPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMKE4892NT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 126A ICEPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMM04AA
на замовлення 350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02ON07+ SO-8
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02G
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2
на замовлення 171 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2onsemiMOSFET 20V 10A P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2
Код товару: 106240
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS10P02R2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 8.8 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 880mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.87 грн
10+100.79 грн
100+72.75 грн
500+55.78 грн
1000+47.86 грн
5000+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 33448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.95 грн
10+101.22 грн
100+75.37 грн
500+56.63 грн
1000+52.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2GONN
на замовлення 3644 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2GonsemiMOSFETs 20V 10A P-Channel
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 8.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3640 pF @ 16 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 10A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.22 грн
5000+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS10P02R2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+97.83 грн
10+93.12 грн
25+87.38 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS3P03ON07+ SO-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS3P03R2ON04+/03
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS3P03R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS3P03R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4101PR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 6.9A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]