Продукція > NTM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTMS4503NRON
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NR2ON09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NR2GON09+ DIP
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 28V 9A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NR2G-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4503NR2G-001 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 28 V, 14 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 28V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 108679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NRZ
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NSR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 28V 14A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4700NR
на замовлення 842 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4700NR2ON07+ SO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4700NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4700NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4700NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4704NR2
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4704NR2GON02 05
на замовлення 507 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4705NON09+
на замовлення 508 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4705NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.4A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4705NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4705NR2GON Semicondu2005
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4706N
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4706NG
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4706NR2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4706NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4706NR2GONSOP8 0733+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4706NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4706NT2G
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4800NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4800NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
на замовлення 24036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 1665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4801NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4801NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4801NR2GON SemiconductorMOSFET NFET SO8 30V 9.9A 12.5mOhm
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4802NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
520+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4802NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807Nonsemi NFET SO8 30V 14.8A 0.061R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807NR2GonsemiMOSFETs NFET SO8 30V 14.8A 0.061R
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 8SOIC
на замовлення 1978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+73.37 грн
100+49.26 грн
500+36.54 грн
1000+33.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+61.51 грн
1000+56.72 грн
10000+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+61.51 грн
1000+56.72 грн
10000+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+61.51 грн
1000+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2933 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+61.51 грн
1000+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+61.51 грн
1000+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4807NR2G - MOSFET, N-CH, 30V, 14.8A, 150DEG C, 2.3W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+61.51 грн
1000+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.2A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
575+61.51 грн
1000+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816Nonsemionsemi NFET SO8 30V 11A 0.030R T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+37.40 грн
380+37.24 грн
425+33.35 грн
429+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2GON SemiconductorMOSFET NFET SO8 30V 11A NCH 0.030R
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.93 грн
21+37.50 грн
25+37.40 грн
50+35.91 грн
100+29.78 грн
250+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4816NR2G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 9A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 106224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2G.ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4816NR2G. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.04W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.04W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2G.ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4816NR2G. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.04W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4840NR2G
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4840NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4872NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A/10.2A 8SOIC
на замовлення 194350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4873NFR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4873NFR2G - NTMS4873NFR2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 66286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4873NFR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8SOIC
на замовлення 66286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4873NFR2GOn SemiconductorN-Channel, 30 V, 11.5A, SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4873NFR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4884NR2G
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4916NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 8SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4916NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 8SOIC
на замовлення 22436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4916NR2GON SemiconductorMOSFET NFET SO8 30V 11.4A 9MOHM
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4917NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4920NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
на замовлення 8435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
872+27.77 грн
Мінімальне замовлення: 872 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4920NR2GonsemiMOSFET 30V 136A 4.3 mOhm Single N-Chan SO-8
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4920NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4920NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.1A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4920NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10.6A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4935NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3639 pF @ 25 V
на замовлення 198360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+67.68 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4935NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3639 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4937NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2563 pF @ 25 V
на замовлення 191045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 419 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4937NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2563 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4937NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 810mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2563 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4937NR2GON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 112A 6.5 mOhm Single
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4939NR2GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
на замовлення 199308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+32.03 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4939NR2GON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 30V 100A 8.4 mOhm Single
на замовлення 946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4939NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4N01ON07+ SO-8
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4N01R2ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4N01R2 - NTMS4N01R2, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4N01R2onsemiDescription: MOSFET PWR N-CHAN 4.2A 20V 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs (Max): ±10V
на замовлення 17191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1285+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 1285 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4N01R2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4N01R2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 3.3A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 770mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 10 V
на замовлення 4168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
950+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 950 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4P01R2onsemiMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4P01R2onsemiDescription: MOSFET P-CH 12V 3.4A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5835NLR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5835NLR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2115 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5838NLR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 5.8A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 20 V
на замовлення 22538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 1665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5N02MOT09+ SO-8
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5N03MOT09+ SO-8
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02ON07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
760+29.25 грн
Мінімальне замовлення: 760 шт
В кошику  од. на суму  грн.