Продукція > DMT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMT10H015LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 4140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPSDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+92.54 грн
155+91.63 грн
200+70.85 грн
250+67.64 грн
500+51.43 грн
1000+38.75 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
на замовлення 108220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+61.82 грн
100+43.60 грн
500+34.45 грн
1000+32.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.48 грн
500+39.02 грн
1000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.3A PWRDI5060
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.49 грн
5000+28.94 грн
7500+28.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.011 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 46W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+126.80 грн
10+81.28 грн
100+50.48 грн
500+39.02 грн
1000+35.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 10A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.49 грн
500+39.63 грн
1000+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.43 грн
25+41.76 грн
100+39.63 грн
250+36.10 грн
500+34.09 грн
1000+33.52 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 58894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.79 грн
10+70.87 грн
100+46.40 грн
500+35.01 грн
1000+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
362+39.10 грн
Мінімальне замовлення: 362 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H015LSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+71.12 грн
15+57.87 грн
100+43.49 грн
500+39.63 грн
1000+35.81 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.74 грн
5000+28.40 грн
7500+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 54A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2343 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+59.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 54A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 46W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.3A (Ta), 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1871 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.86 грн
5000+23.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H015SPS-13Diodes Zetex100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 54.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 54.7 A, 54.7 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.62 грн
10+107.30 грн
100+78.93 грн
500+62.12 грн
1000+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 54.7A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.7A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1986pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.4mOhm @ 17A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.25 грн
10+100.91 грн
100+68.61 грн
500+51.41 грн
1000+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H017LPD-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 V, 54.7 A, 54.7 A, 0.0137 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 100V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 54.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0137ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 78W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0137ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 78W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.93 грн
500+62.12 грн
1000+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H017LPD-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.22 грн
10+51.85 грн
100+34.10 грн
500+24.85 грн
1000+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.2 A, 0.0171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.80 грн
500+25.51 грн
1000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 47.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 47.2A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1477 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025LK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.2 A, 0.0171 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0171ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.86 грн
15+55.60 грн
100+37.80 грн
500+25.51 грн
1000+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 47.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LSS-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1639 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 12.9W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.82 грн
5000+19.39 грн
7500+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41.2 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.23 грн
500+21.13 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 41.2 A, 0.0178 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 41.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0178ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.18 грн
19+43.73 грн
100+27.23 грн
500+21.13 грн
1000+18.32 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 4725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 41.2A TO252 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+51.10 грн
100+33.58 грн
500+24.45 грн
1000+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SK3-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 41.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSSDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 4772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
10+36.00 грн
100+24.72 грн
500+19.35 грн
1000+17.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin SO T/R
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1544 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.4 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.23 грн
500+24.15 грн
1000+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 7.4A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H025SSS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7.4 A, 0.017 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.9W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+52.18 грн
19+43.73 грн
100+27.23 грн
500+24.15 грн
1000+21.25 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H025SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V
на замовлення 7193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 18A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDV-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) (Type UXD)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LDVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 6.9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) (Type UXD)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+77.71 грн
17+50.40 грн
100+45.36 грн
500+40.76 грн
1000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 4260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.87 грн
10+50.57 грн
100+33.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H032LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 6 A, 0.024 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.36 грн
500+40.76 грн
1000+19.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFDF-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.10 грн
14+58.44 грн
100+43.89 грн
500+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7Diodes ZetexDMT10H032LFVW-7
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+30.58 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+24.64 грн
4000+22.37 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LFVW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H032LFVW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.022 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.89 грн
500+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LK3-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LK3-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LK3-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LSS-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032LSS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SO-8 T&R
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 683 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SDVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVWDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.26 грн
6000+13.52 грн
9000+12.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-13Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
на замовлення 3874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+37.51 грн
100+24.69 грн
500+17.81 грн
1000+16.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 544 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode Mosfet
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+17.33 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H032SFVW-7
Код товару: 211752
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LDVW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8/SWP T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]