Продукція > MSC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 24  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MSC010SDA170BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC010SDA170B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.7 kV, 10 A, 84 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 84nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.7kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+622.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC010SDA170BMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky SiC 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1085.42 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC010SDA170BMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC010SDA170BMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 31A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io): 31A
Capacitance @ Vr, F: 820pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+621.57 грн
25+551.84 грн
100+447.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC010SDA170BMicrochip TechnologyRectifier Diode Schottky SiC 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+810.89 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC012SMC120B4NMicrochip Technology MOSFET SIC 1200 V 12 mOhm TO-247-4 Notch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC012SMC120B4NMicrochip TechnologyMSC012SMC120B4N
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SDA120BMicrosemiMSC015SDA120B
на замовлення 468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+636.46 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SDA120BMicrochip TechnologyDescription: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 15 A
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+500.86 грн
25+444.36 грн
100+392.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SDA120BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SDA120BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC015SDA120B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 73 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 73nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+473.89 грн
25+464.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SDA120BMicrochip TechnologySiC Schottky Diodes UNRLS, FG, GEN2 SIC SBD
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SDA120BMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+830.62 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 140A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4286.65 грн
5+4050.47 грн
10+3652.07 грн
20+3359.15 грн
50+3079.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070BMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070BMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 700V 140A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070BMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 700V 131A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 131A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1200.80 грн
25+1066.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070B4Microchip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+5611.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070B4MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC015SMA070B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 140 A, 700 V, 0.015 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 455W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2198.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070B4Microchip TechnologyDescription: TRANS SJT N-CH 700V 140A TO247-4
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1308.97 грн
25+1161.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070B4Microchip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070B4NMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 15 MOHM TO-247-
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1426.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-247-4 Notch
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070D/TMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm DIE TAPE & REEL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070D/TMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 15 MOHM DIE TAP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 15 MOHM SOT-227
Packaging: Box
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2752.76 грн
25+2444.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070JMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm SOT-227
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070SMicrochip TechnologySiC MOSFETs Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070SMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-268
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070SMicrochip TechnologySiC MOSFETs Automotive AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4320.82 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070SMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 700V 126A D3PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D3Pak
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 4mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 126A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1261.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070SMicrosemiSiC MOSFETs
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3446.30 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070SDT/RMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 15 MOHM TO-263-
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070SDT/RMicrochip Technology MOSFET SIC 700 V 15 mOhm TO-263-7 XL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070SDT/RMMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 700 V 35 MOHM TO-263-
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC015SMA070SDT/RMMicrochip Technology MOSFET SIC 700 V 35 mOhm TO-263-7L-XL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120BMicrochip TechnologyMOSFETs MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120BMicrochip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4107.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120BMicrochip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4107.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120BMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3649.44 грн
25+3240.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120BMicrochip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+5479.83 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120BMicrochip TechnologySilicon Carbide N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120B4Microchip TechnologyMSC017SMA120B4
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3891.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120B4Microchip TechnologyMSC017SMA120B4
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+7509.98 грн
3+7270.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120B4Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM TO-247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 455W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3556.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120B4Microchip TechnologyMSC017SMA120B4
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120B4Microchip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247-4
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120B4Microchip TechnologyMSC017SMA120B4
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4379.77 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-247-4 Notch
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120JMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 1200V 17 MOHM SOT-227
Packaging: Bulk
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 4.5mA (Typ)
Supplier Device Package: SOT-227
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 249 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 1000 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4920.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120JMicrochip TechnologyDiscrete Semiconductor Modules MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm SOT-227
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC017SMA120SMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 17 mOhm TO-268
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC020SDA120BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC020SDA120B - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 91 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 91nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+781.14 грн
25+765.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC020SDA120BMicrosemiRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 43A Tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1041.90 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC020SDA120BMicrochip TechnologySchottky Diodes & Rectifiers 1200 V, 20 A SiC SBD
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC020SDA120BMicrochip TechnologyDiode Schottky SiC 1.2KV 43A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC020SDA120BMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 49A TO247
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 1130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+819.87 грн
25+728.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC020SDA120BMicrochip TechnologyDiode Schottky SiC 1.2KV 43A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1361.80 грн
60+1268.91 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC020SDA120KMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 49A TO220-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 1130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+837.11 грн
25+743.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC020SDA120KMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC020SDA120KMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC020SDA120K - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 91 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 91nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+651.09 грн
25+638.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC020SDA120KMicrochip TechnologyZero Recovery Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC020SDA120SMicrochip TechnologyDescription: DIODE SIL CARB 1200V 49A D3PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: D3Pak
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 1130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Bulk
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+804.19 грн
25+714.51 грн
100+621.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC020SMB120B4NMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC020SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 97 A, 1.2 kV, 0.027 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 97A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 416W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1151.80 грн
25+1107.09 грн
100+1061.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC020SMB120B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 20 mOhm TO-247-4 Notch
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120BMicrosemiSiC MOSFETs
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3776.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120BMicrochip TechnologySiC MOSFETs Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120BMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1.2KV 103A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2680.65 грн
25+2380.86 грн
100+1945.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120BMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120BMicrochip TechnologySiC MOSFETs Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120BMicrosemiSilicon Carbide MOSFET 1200V 25MOHM TO-247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120BMicrochip TechnologySiC MOSFETs Automotive AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4725.51 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120BMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC025SMA120B - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3113.20 грн
25+3050.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4108.22 грн
10+3913.04 грн
25+3511.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3879.09 грн
10+3840.43 грн
25+3132.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4MICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC025SMA120B4 - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 103 A, 1.2 kV, 0.025 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 500W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2717.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4867.29 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4365.71 грн
5+3927.04 грн
10+3668.32 грн
20+3374.10 грн
50+3110.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4Microchip Technology1200V Silicon Carbide (SiC) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4Microchip TechnologyDescription: TRANS SJT N-CH 1200V 103A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 3mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 103A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4Microchip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120JMicrochip TechnologyMOSFET Modules MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm SOT-227
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120JMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 77A Automotive 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120JMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1.2KV 77A SOT227
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 232 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-227 (ISOTOP®)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3809.34 грн
25+3382.61 грн
100+2764.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120JMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH 1.2KV 77A Automotive 4-Pin SOT-227 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120SMicrosemiTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3865.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120SMicrochip TechnologyDescription: SICFET N-CH 1.2KV 100A D3PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Supplier Device Package: D3Pak
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2779.41 грн
25+2468.15 грн
100+2004.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120SMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120SMicrochip TechnologyTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 89A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D3PAK Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+4835.63 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120SMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-268
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA120SDT/RMicrochip Technology MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-263-7 XL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA330B4Microchip TechnologyDescription: MOSFET SIC 3300 V 25 MOHM TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 104A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 410 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8720 pF @ 2640 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA330B4NMicrochip TechnologyDescription: MOSFET SIC 3300V 25 MOHM TO-247-
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 40A, 20V
Power Dissipation (Max): 800W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 7mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V, 20V
Vgs (Max): +23V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 410 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080 pF @ 2400 V
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13204.93 грн
25+11726.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMA330B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 3300V 25 mOhm TO-247-4L-Notch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMB120B4NMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-247-4 Notch
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMB120B4NMICROCHIPDescription: MICROCHIP - MSC025SMB120B4N - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 81 A, 1.2 kV, 0.033 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 357W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+950.22 грн
25+931.52 грн
100+912.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MSC025SMB120SDT/RMicrochip TechnologySiC MOSFETs MOSFET SIC 1200 V 25 mOhm TO-263-7 XL Full Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 22 24  [ Наступна Сторінка >> ]