Продукція > SIR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIR1-15-S-S-K-TRSAMTECDescription: SAMTEC - SIR1-15-S-S-K-TR - 2.54MM PITCH ONE PIECE INTERFACE
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1-15-S-S-K-TRSamtecBoard to Board & Mezzanine Connectors .100 Right-Angle One-Piece Interface
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1-15-S-S-K-TRSamtec Inc.Description: .100" RIGHT-ANGLE ONE-PIECE INTE
Number of Rows: 1
Number of Contacts: 15
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Pitch: 0.100" (2.54mm)
Material: Phosphor Bronze
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Contact Finish: Gold
Connector Type: Compression Contact, Non-Gendered
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104ADP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.60 грн
10+108.09 грн
100+77.31 грн
500+59.77 грн
1000+55.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.71 грн
10+134.61 грн
100+80.82 грн
500+67.72 грн
3000+62.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.12 грн
10+156.24 грн
100+110.78 грн
500+94.06 грн
1000+87.79 грн
3000+82.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 18.3A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+105.94 грн
10+102.70 грн
25+102.46 грн
50+97.77 грн
100+89.76 грн
250+85.44 грн
500+84.72 грн
1000+83.98 грн
3000+83.25 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.3A/79A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4230 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+115.01 грн
12+65.39 грн
25+64.74 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR104LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 8833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.16 грн
500+64.08 грн
1500+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V
на замовлення 8411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+94.50 грн
100+64.25 грн
500+48.16 грн
1000+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104LDP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 81A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104LDP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100 V
на замовлення 18827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+190.21 грн
10+118.58 грн
100+73.85 грн
500+59.15 грн
1000+55.18 грн
3000+54.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR104LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 81 A, 6100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 81A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 100W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 8833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+185.33 грн
50+121.11 грн
100+86.16 грн
500+64.08 грн
1500+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104LDP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 18.8A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR104LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 18.8A/81A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.8A (Ta), 81A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4870 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.48 грн
6000+40.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+48.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106ADP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 100V PowerPAK SO-8
на замовлення 25427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.70 грн
10+116.98 грн
100+69.53 грн
500+55.53 грн
1000+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR106ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.85 грн
500+58.04 грн
1500+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106ADP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.1A/65.8 PPAK
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8 (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
на замовлення 6653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.52 грн
10+105.90 грн
100+72.07 грн
500+54.05 грн
1000+49.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106ADP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR106ADP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.19 грн
50+105.67 грн
100+78.85 грн
500+58.04 грн
1500+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.21 грн
10+130.06 грн
100+87.79 грн
500+68.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+57.42 грн
6000+53.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.87 грн
11+73.66 грн
25+73.21 грн
50+69.87 грн
100+62.14 грн
250+59.64 грн
500+59.63 грн
1000+59.61 грн
3000+59.60 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR106DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 65.8 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.79 грн
500+68.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 1240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.00 грн
10+104.16 грн
100+66.54 грн
500+53.23 грн
1000+50.02 грн
3000+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 16.1A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 65.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+101.90 грн
100+81.08 грн
500+64.38 грн
1000+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR106DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR108DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+43.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR108DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.39 грн
10+120.99 грн
100+71.76 грн
500+57.55 грн
1000+50.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR108DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 12.4A/45A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.06 грн
10+93.82 грн
100+63.79 грн
500+47.79 грн
1000+46.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR112DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 8304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+170.70 грн
10+106.56 грн
100+62.91 грн
500+50.72 грн
1000+45.50 грн
3000+42.43 грн
6000+42.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR112DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 37.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR112DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 133A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 133A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
On-state resistance: 2.65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 89nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR112DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.96mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.6A (Ta), 133A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR112DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 37.6A/133A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4270 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.96mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.6A (Ta), 133A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR12-21C/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 65MA 1208
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Type: Infrared (IR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 160°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
11+28.00 грн
100+20.28 грн
500+15.78 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR12-21C/TR8EverlightInfrared Emitters Infrared LED
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR12-21C/TR8EVERLIGHTCategory: IR LEDs
Description: IR transmitter; transparent; 160°; 875nm; SMD; 20mA; 0.5mW/sr; 1.3V
Mounting: SMD
Type of diode: IR transmitter
LED lens: transparent
Wavelength of peak sensitivity: 875nm
radiant intensity: 0.5mW/sr
LED current: 20mA
Operating voltage: 1.3V
Viewing angle: 160°
Case - inch: 1208
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR12-21C/TR8Everlight Electronics Co LtdDescription: EMITTER IR 875NM 65MA 1208
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-SMD, No Lead
Wavelength: 875nm
Mounting Type: Surface Mount, Right Angle
Type: Infrared (IR)
Orientation: Side View
Operating Temperature: -25°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 1.3V
Viewing Angle: 160°
Current - DC Forward (If) (Max): 65mA
Radiant Intensity (Ie) Min @ If: 0.5mW/sr @ 20mA
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1786 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 24.7A
на замовлення 4065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.58 грн
10+119.38 грн
100+72.46 грн
500+58.11 грн
1000+54.34 грн
3000+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.88 грн
10+95.92 грн
100+75.43 грн
500+56.08 грн
1000+48.42 грн
5000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 106A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 106A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 100W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 94nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24.7A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.55mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4150 pF @ 40 V
на замовлення 1786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.76 грн
10+115.56 грн
100+79.22 грн
500+59.76 грн
1000+55.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 24.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.43 грн
500+56.08 грн
1000+48.42 грн
5000+42.36 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12554 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+53.97 грн
100+41.99 грн
500+33.40 грн
1000+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 16.7A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR122DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.6 A, 7400 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
Verlustleistung: 65.7W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 50°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7400µohm
на замовлення 32922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.68 грн
12+68.12 грн
100+48.53 грн
500+39.70 грн
1000+33.51 грн
5000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 80V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 34325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.68 грн
10+67.14 грн
100+41.59 грн
500+34.56 грн
1000+32.05 грн
3000+30.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 16.7A/59.6A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.7A (Ta), 59.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.34 грн
6000+25.99 грн
9000+24.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 59.6A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 59.6A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 62.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.33 грн
10+78.95 грн
100+52.96 грн
500+39.25 грн
1000+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.21 грн
500+55.02 грн
1000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3VishayMOSFETs PPAKSO8 N-CH 80V 17.2A
на замовлення 6545 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+147.12 грн
10+92.94 грн
100+54.21 грн
500+42.99 грн
1000+39.43 грн
3000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2380 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.35mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta), 62.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 62.3A; Idm: 150A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 62.3A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 65.7W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 52nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.95 грн
10+111.36 грн
100+74.21 грн
500+55.02 грн
1000+46.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 56.8A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 56.8A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 62.5W
Case: PowerPAK® SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V
на замовлення 7453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.71 грн
10+61.06 грн
100+43.01 грн
500+36.04 грн
1000+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+47.98 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 80V 16.1A/56.8A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1666 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.97 грн
6000+28.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 80V 16.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+48.43 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR124DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 80V Vds; 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 8783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+122.74 грн
10+77.16 грн
100+44.52 грн
500+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR1309DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 65.7 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65.7
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+82.10 грн
12+68.69 грн
100+48.61 грн
500+35.70 грн
1000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 19.1A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+54.50 грн
100+37.48 грн
500+28.05 грн
1000+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs PPAKSO8 P-CH 30V 19.1A
на замовлення 5192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+83.72 грн
10+57.61 грн
100+33.16 грн
500+25.92 грн
1000+23.55 грн
3000+20.55 грн
6000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 30 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.1A (Ta), 65.7A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR1309DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 65.7 A, 0.006 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 65.7
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 56.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.61 грн
500+35.70 грн
1000+28.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR1309DP-T1-GE3Vishay SiliconixP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 19,1 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3250 @ 15, Qg, нКл = 87 @ 10 В, Ugs(th) = 2,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 4,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: PowerPAK® SO-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+76.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 25V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 4187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.45 грн
10+132.20 грн
100+86.39 грн
500+69.53 грн
1000+65.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR140DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 100 A, 540 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 540µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.08 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 25V 71.9A/100A PPAK
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8150 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.67mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71.9A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 11305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.71 грн
10+119.94 грн
100+95.47 грн
500+75.81 грн
1000+64.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR140DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 25V 71.9A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.72 грн
10+96.76 грн
25+96.69 грн
50+92.44 грн
100+80.37 грн
250+76.30 грн
500+75.12 грн
1000+73.93 грн
3000+72.75 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR15-21C
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR150DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.71mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR150DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 2710 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00225ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2710µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 10952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.97 грн
500+32.00 грн
1000+26.89 грн
5000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR150DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 45V 110A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR150DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR150DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 110 A, 2710 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2710µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 10952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.86 грн
13+66.00 грн
100+43.97 грн
500+32.00 грн
1000+26.89 грн
5000+26.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR150DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs 45-V (D-S) MOSFET N-CHANNEL PowerPAK
на замовлення 9914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+82.10 грн
10+54.08 грн
100+35.67 грн
500+30.03 грн
1000+24.59 грн
3000+22.78 грн
6000+22.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR150DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 45V 30.9A/110A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): +20V, -16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.71mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30.9A (Ta), 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+55.70 грн
100+39.63 грн
500+29.64 грн
1000+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.89 грн
10+116.18 грн
100+70.37 грн
500+55.95 грн
1000+54.62 грн
3000+47.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+50.98 грн
6000+48.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR158DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.10 грн
500+60.91 грн
1000+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 60A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+72.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-GE3
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR158DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.70 грн
10+119.49 грн
100+82.10 грн
500+60.91 грн
1000+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 10 12 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]