Продукція > SQ2

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SQ2325ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2325ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 840 mA, 1.3 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 840mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+59.34 грн
50+41.54 грн
100+29.34 грн
500+22.64 грн
1500+18.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2325ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 0.84A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2328ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET N-Channel 100V Automotive MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.63 грн
10+52.72 грн
100+28.98 грн
500+17.98 грн
1000+14.77 грн
3000+12.47 грн
6000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 40384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.93 грн
11+29.49 грн
100+16.51 грн
500+12.54 грн
1000+10.38 грн
3000+8.78 грн
6000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.40 грн
6000+9.14 грн
9000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
12+27.10 грн
100+17.31 грн
500+12.30 грн
1000+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1"BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2337ES-T1"BE3 - MOSFET, P-CH, 80V, 2.2A, SOT-23
tariffCode: 0
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.16 грн
25+50.32 грн
50+42.51 грн
100+32.15 грн
250+26.55 грн
500+23.41 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.11 грн
10+43.25 грн
100+28.28 грн
500+20.50 грн
1000+18.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 219000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.13 грн
6000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 80V (D-S)
на замовлення 148914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.88 грн
100+21.67 грн
500+19.37 грн
1000+18.18 грн
3000+13.59 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2337ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.241 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.34 грн
500+19.78 грн
1500+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.17 грн
10+47.63 грн
100+31.17 грн
500+22.59 грн
1000+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 80V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 196304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+49.91 грн
10+41.50 грн
100+25.64 грн
500+21.46 грн
1000+18.25 грн
3000+15.12 грн
6000+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2337ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 80 V, 2.2 A, 0.241 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.241ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.06 грн
50+38.20 грн
100+29.34 грн
500+19.78 грн
1500+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2337ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 80V 2.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.62 грн
6000+17.43 грн
9000+16.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.20 грн
11+29.41 грн
100+16.44 грн
500+12.61 грн
1000+11.43 грн
3000+9.55 грн
6000+8.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.55 грн
50+29.59 грн
100+19.02 грн
500+12.38 грн
1500+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
21+14.79 грн
25+13.16 грн
100+10.64 грн
250+9.82 грн
500+9.33 грн
1000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.02 грн
500+12.38 грн
1500+10.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 30-V (D-S) 175C MOSF
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.32 грн
500+14.34 грн
1000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Automotive N-Channel 30V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.55 грн
11+29.16 грн
100+16.30 грн
500+12.40 грн
1000+11.15 грн
3000+9.48 грн
6000+8.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.46 грн
12+27.32 грн
100+17.56 грн
500+12.50 грн
1000+11.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348CES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348CES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.05 грн
26+31.70 грн
100+20.32 грн
500+14.34 грн
1000+11.84 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFET RECOMMENDED ALT 781-SQ2348ES-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.08 грн
6000+14.70 грн
9000+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 30V (D-S)
на замовлення 133034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.79 грн
10+61.78 грн
100+33.44 грн
500+23.06 грн
1000+19.86 грн
3000+16.79 грн
6000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
на замовлення 12050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.81 грн
10+39.25 грн
100+27.30 грн
500+20.00 грн
1000+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 36052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.34 грн
50+40.97 грн
100+35.03 грн
500+23.93 грн
1500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+59.15 грн
15+53.08 грн
25+52.94 грн
100+38.56 грн
250+35.34 грн
500+27.36 грн
1000+21.09 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 8A 3W AEC-Q101 Qualified
на замовлення 155225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+48.36 грн
10+41.02 грн
100+26.61 грн
500+20.90 грн
1000+16.30 грн
3000+14.49 грн
9000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 8A TO236
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2348ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 8 A, 0.024 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 3W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 36052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.03 грн
500+23.93 грн
1500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2348ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+52.94 грн
354+39.99 грн
358+39.58 грн
500+30.78 грн
1000+21.96 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 12779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.82 грн
12+28.76 грн
100+16.02 грн
500+12.12 грн
1000+10.87 грн
3000+9.20 грн
6000+8.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SQ23
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_BE3VishaySQ2351ES-T1_BE3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20V (D-S)
на замовлення 131589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.81 грн
10+36.78 грн
100+22.30 грн
500+17.35 грн
1000+14.14 грн
3000+11.91 грн
9000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2351ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.2 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 3.2
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 2
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TrenchFET
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-Channel 20V AEC-Q101 Qualified
на замовлення 100570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.25 грн
11+30.61 грн
100+20.14 грн
500+15.61 грн
1000+13.17 грн
3000+11.91 грн
9000+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.8A; 2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.8A
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.115Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
на замовлення 697 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.77 грн
20+21.30 грн
25+19.12 грн
100+16.94 грн
500+15.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8829 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
10+36.38 грн
100+27.13 грн
500+20.00 грн
1000+15.46 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 3.2A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2351ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 115mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2360EES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 4.4A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2360EES-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET 60V 4.4A 3W N-Ch Automotive Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2360EES-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET RECOMMENDED ALT 78-SQ2362ES-T1_GE3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3VishayTrans MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 10282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
10+38.72 грн
100+26.95 грн
500+19.74 грн
1000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 31801 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.03 грн
10+39.98 грн
100+22.64 грн
500+19.37 грн
1000+16.09 грн
3000+12.68 грн
6000+11.91 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.87 грн
6000+14.51 грн
9000+13.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -60V Vds +/-20V Vgs AEC-Q101 Qualified
на замовлення 79846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+55.92 грн
10+42.22 грн
100+24.59 грн
500+18.95 грн
1000+16.65 грн
3000+13.31 грн
9000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.68 грн
6000+27.12 грн
12000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 74208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.03 грн
10+38.72 грн
100+26.95 грн
500+19.74 грн
1000+16.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Grade: Automotive
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.87 грн
6000+14.51 грн
9000+13.47 грн
30000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.8A; Idm: -11A; 0.67W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Pulsed drain current: -11A
Drain current: -2.8A
Gate charge: 15nC
Power dissipation: 0.67W
On-state resistance: 315mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3 9C..VishayTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 170mOhm; 2.8A; 2W; -55°C~175°C; SQ2361AEES-T1-GE3; SQ2361AEES-T1_BE3; SQ2361AEES-T1_GE3 TSQ2361aees
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361AEES-T1_GE3 9C..VishayTransistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 170mOhm; 2.8A; 2W; -55°C~175°C; SQ2361AEES-T1-GE3; SQ2361AEES-T1_BE3; SQ2361AEES-T1_GE3 TSQ2361aees
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+34.00 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1-BE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1-GE3VishayVishay 60V P-CHANNEL (D-S)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1/GE3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CEES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.93 грн
26+32.11 грн
100+22.35 грн
500+15.93 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.55 грн
12+28.84 грн
100+16.09 грн
500+12.33 грн
1000+11.29 грн
3000+9.55 грн
6000+8.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CEES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.35 грн
500+15.93 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CEES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.81 грн
500+14.72 грн
1000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 61937 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.32 грн
11+30.77 грн
100+17.21 грн
500+13.03 грн
1000+11.70 грн
3000+9.96 грн
9000+9.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CEES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CEES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.17 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.20 грн
26+31.62 грн
100+20.81 грн
500+14.72 грн
1000+11.98 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1-GE3VishayMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1/GE3VishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
21+14.57 грн
25+12.98 грн
100+10.49 грн
250+9.69 грн
500+9.20 грн
1000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.93 грн
26+32.11 грн
100+22.35 грн
500+15.93 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361CES-T1_BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.35 грн
500+15.93 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_BE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.55 грн
12+28.92 грн
100+16.16 грн
500+12.40 грн
1000+11.36 грн
3000+9.55 грн
6000+8.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 2.8A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 40569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+28.98 грн
100+18.58 грн
500+13.23 грн
1000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET
на замовлення 54162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.32 грн
11+30.85 грн
100+17.28 грн
500+13.03 грн
1000+11.77 грн
3000+10.03 грн
6000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361CES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.23 грн
6000+9.89 грн
9000+9.41 грн
15000+8.34 грн
21000+8.04 грн
30000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361EES-T1-GE3Vishay SiliconixP-Channel MOSFET, 150 mOhm 2.5A, 60V, 2W SSOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361EES-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60V (D-S)
на замовлення 170839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.69 грн
10+40.46 грн
100+24.04 грн
500+20.14 грн
1000+17.14 грн
3000+14.56 грн
6000+14.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 89066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+44.76 грн
100+29.20 грн
500+21.12 грн
1000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.27 грн
6000+16.22 грн
9000+15.51 грн
15000+13.82 грн
21000+13.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_BE3VishayTransistor P-Channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3VISHAYDescription: VISHAY - SQ2361ES-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.177 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.177ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 16454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+63.97 грн
50+42.19 грн
100+28.53 грн
500+22.64 грн
1500+19.30 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SQ2361ES-T1_GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 60V 2.8A SSOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 177mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 142900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+44.76 грн
100+29.20 грн
500+21.12 грн
1000+19.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]