Продукція > WNS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
WNSC2D08650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D08650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.97 грн
12+71.94 грн
100+61.78 грн
500+57.29 грн
1000+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D08650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D08650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 8 A, 13 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.78 грн
500+57.29 грн
1000+52.81 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200-A6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D101200-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D1012006QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D1012006QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200BT26JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 10A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200CW6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200D6JWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 1200V 10A DPAK
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Part Status: Active
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 481pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200D6JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200W-A6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W-A/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D101200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D101200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQWeEn Semiconductor(Hong Kong)Co.,LimitedRectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 10A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 490pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.01 грн
10+236.10 грн
100+169.80 грн
600+133.34 грн
1200+129.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D101200WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D101200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.26 грн
10+218.66 грн
100+156.88 грн
500+142.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 7200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+81.65 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+92.66 грн
500+77.74 грн
1000+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650BJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+200.77 грн
10+129.24 грн
100+92.66 грн
500+77.74 грн
1000+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 8768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+248.47 грн
10+156.39 грн
100+109.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650BJWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D10650B/TO263/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
на замовлення 4704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.17 грн
500+80.01 грн
1000+68.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650D/TO252/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650DJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+191.02 грн
10+131.68 грн
100+99.17 грн
500+80.01 грн
1000+68.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650DJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 7081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.14 грн
10+147.64 грн
100+102.94 грн
500+78.68 грн
1000+72.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D10650/TO-220AC/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.14 грн
50+108.34 грн
100+99.06 грн
500+77.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+158.50 грн
10+99.98 грн
100+73.24 грн
500+66.95 грн
1000+60.75 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+210.53 грн
10+145.50 грн
100+108.92 грн
500+88.31 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650TJ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, DFN
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DFN
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+108.92 грн
500+88.31 грн
1000+75.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.96 грн
10+160.09 грн
100+112.15 грн
500+86.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D10650W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: NO
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.08 грн
10+109.73 грн
100+86.97 грн
500+74.42 грн
1000+62.77 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650XQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D10650XQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 10 A, 14 nC, TO-220F
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220F
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.60 грн
10+158.50 грн
100+118.68 грн
500+87.56 грн
1000+72.46 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650XQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D10650X/TO220F-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D10650XQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 310pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D12650TJWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D12650T/DFN8X8/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D12650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D12650TJWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.42 грн
10+190.21 грн
100+134.62 грн
500+104.10 грн
1000+96.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200BT26JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D151200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200WQWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D151200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 700pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
на замовлення 3739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.13 грн
30+289.18 грн
120+251.41 грн
510+212.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D151200WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D151200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 15 A, 35 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 35nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 15A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+522.66 грн
10+416.18 грн
100+309.69 грн
500+230.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CJQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D16650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CJQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.91 грн
30+169.00 грн
120+133.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D16650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D16650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 16 A, 13 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 13nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 16A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+161.76 грн
10+149.56 грн
100+137.37 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Max. forward voltage: 1.8V
Load current: 8A x2
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 48A
Max. off-state voltage: 650V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200-A6QWeEn Semiconductors WNSC2D201200-A/TO220-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D2012006QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200/SOD59A/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D2012006QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 950pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200BT26JWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200BT2/TO263-2L/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CW-A6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D201200CW-A/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CW6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/SOT429/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK,
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 20 A, 25 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+658.40 грн
5+499.09 грн
10+401.55 грн
50+354.75 грн
100+321.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200TB6JWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D201200TB/TSPAK/REEL 13" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W-A6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D201200W-A/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W-B6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200W-B6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 36 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 36nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+367.41 грн
10+223.53 грн
100+174.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W-B6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W-B/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D201200WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 20 A, 39 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 39nC
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
SVHC: To Be Advised
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
на замовлення 570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+560.05 грн
5+472.26 грн
10+384.48 грн
50+310.97 грн
100+243.85 грн
250+238.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200WQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+634.89 грн
10+419.13 грн
100+310.66 грн
600+258.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200WQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D201200W/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; SOT1293,TO3PF
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT1293; TO3PF
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D20650CJ/TO3PF/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-3PF
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-3PF
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQWeEn SemiconductorsCategory: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 50A
Kind of package: tube
Max. load current: 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D20650CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.09 грн
30+199.82 грн
120+169.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D20650CWQ - SiC-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 650 V, 20 A, 14 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 14nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 20A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.07 грн
10+203.21 грн
100+172.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D251200W6QWeEn SemiconductorsSiC Schottky Diodes WNSC2D251200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D251700W6QWeEn Semiconductors WNSC2D251700W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200CW6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARR SIC 1200V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200W6QWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D301200W6Q - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 68 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 68nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1.2kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+338.96 грн
10+296.69 грн
100+245.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301200W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301200W6QWeEn SemiconductorsDescription: DIODE SIL CARB 1200V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1407pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301400CW6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301400CW/TO247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D301400W6QWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D301400W/TO247-2L/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650CWQWeEn SemiconductorsSchottky Diodes & Rectifiers WNSC2D30650CW/TO-247/STANDARD MARKING * HORIZONTAL, RAIL PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650CWQWeEn SemiconductorsDescription: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+546.32 грн
30+305.89 грн
120+257.49 грн
510+212.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650WQWEEN SEMICONDUCTORSDescription: WEEN SEMICONDUCTORS - WNSC2D30650WQ - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 30 A, 48 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 48nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 650V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+420.24 грн
10+258.48 грн
100+200.77 грн
500+182.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6  [ Наступна Сторінка >> ]