Продукція > IXF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFR34N80Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR34N80IXYSMOSFETs 800V 28A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR34N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR36N50PIXYSMOSFETs 500V 36A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR36N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 19A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR36N60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR36N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.2 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 208W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1224.20 грн
5+989.83 грн
10+755.46 грн
50+682.80 грн
100+613.02 грн
250+595.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR36N60PIXYSMOSFETs 600V 20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR36N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 102nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR36N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 20A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1080.30 грн
30+641.60 грн
120+554.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR38N80Q2IXYSMOSFETs 38 Amps 800V 0.24 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR38N80Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 28A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR40N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 29A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR40N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 900V 21A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR40N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 21A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 21A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR40N90PIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 21A ISOPLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR40N90PIXYSMOSFETs PolarHV HiPerFETs 500V-1.2Kv Red Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N50PIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 24A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5440 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1088.06 грн
30+646.38 грн
120+558.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N50PIXYSMOSFETs 500V 24A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N50P
Код товару: 188328
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 24A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N50QIXYSMOSFETs 34 Amps 500V 0.12 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 34A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N50Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; 300W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 25A
Gate charge: 93nC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N50Q3
Код товару: 62272
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 25A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/25A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 38A ISOPLUS247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N60IXYSMOSFET 600V 38A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 800V 25A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 26A; 360W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 26A
Power dissipation: 360W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR44N80PIXYSMOSFETs DIODE Id26 BVdass800
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 40A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N50QIXYS05+ TO92
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60PIXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXFR48N60P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 32 A, 0.15 ohm, ISOPLUS-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: ISOPLUS-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHV HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 300W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Power dissipation: 300W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1322.64 грн
3+1140.92 грн
5+1073.61 грн
10+967.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60PIXYSMOSFETs 600V 48A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60P
Код товару: 209609
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8860 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1615.40 грн
30+988.28 грн
120+864.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 600V 32A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/32A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 32A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 154mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR48N60Q3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 500W; ISOPLUS247™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Gate charge: 0.14µC
On-state resistance: 154mΩ
Power dissipation: 500W
Case: ISOPLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR4N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 3.5A ISOPLS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR4N100QIXYSMOSFETs 3.5 Amps 1000V 3 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR50N50HiperFET 500 В 43 А 100 мОм 120 нсек ISOPLUS247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR50N50IXYSMOSFETs 43 Amps 500V 0.1 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR50N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 43A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR52N30QIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V ISOPLUS247
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR55N50LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 48A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR55N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 48A ISOPLUS247
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 27.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR55N50IXYSMOSFET 48 Amps 500V 0.08 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR58N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 50A ISOPLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR58N20IXYSMOSFET HiPerFET Power MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR58N20Q
Код товару: 92070
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR64N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 35A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1387.84 грн
30+841.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR64N50PIXYSMOSFETs 500V 64A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR64N50Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR64N50Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/45A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR64N60PIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 36A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 25 V
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1631.71 грн
30+999.20 грн
120+874.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR64N60PIXYSMOSFETs DIODE Id36 BVdass600
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR64N60Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 42A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9930 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR64N60Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/42A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR66N50Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR70N15IXYSMOSFETs 67 Amps 150V 0.028 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR70N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 67A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 67A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR75N10QIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V ISOPLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N10QIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 76A ISOPLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N15QIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 75A ISOPLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 71A ISOPLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N50PIXYSMOSFETs 500V 80A
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1789.59 грн
10+1440.91 грн
120+1107.31 грн
510+1098.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N50PLittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 500V 45A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N50PIXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 500, Id = 45 А, Ptot, Вт = 360, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 12700 @ 25, Qg, нКл = 197 @ 10 В, Rds = 72 мОм @ 40 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 5 В @ 8 мA,... Транзистори Корпус: ISOPLUS-247 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N50PMOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 45A ISOPLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N50Q3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 50A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 570W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1794.80 грн
30+1576.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N50Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/50A
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2056.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N60P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 48A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 76mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N60P3IXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR80N60P3IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 540W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 540W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR90N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR90N20IXYSMOSFETs 90 Amps 200V 0.025 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR90N20QIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V ISOPLUS247
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR90N20QIXYSMOSFETs 90 Amps 200V 0.025 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR90N30LittelfuseTrans MOSFET N-CH Si 300V 75A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR90N30IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 75A ISOPLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR90N30IXYSMOSFET 75 Amps 300V 0.033 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR9N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V ISOPLUS247
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFR9N80QIXYSMOSFETs 9 Amps 800V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT100N30X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1062.43 грн
30+629.91 грн
120+543.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT100N30X3HVIXYSMOSFETs TO268 300V 100A N-CH X3CLASS
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1096.95 грн
10+704.98 грн
120+600.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT100N30X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT100N30X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT100N30X3HV-TRLLittelfuseMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-268AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT10N100IXYSMOSFETs 10 Amps 1000V 1.2 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT10N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-268AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N15PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO268
Polarisation: unipolar
Reverse recovery time: 200ns
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 16mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 150V
Power dissipation: 600W
Kind of package: tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+784.82 грн
10+600.79 грн
30+471.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+601.33 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 39  [ Наступна Сторінка >> ]