Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFR9N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V ISOPLUS247
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Supplier Device Package: ISOPLUS247™
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT100N30X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT100N30X3HVIXYSMOSFETs TO268 300V 100A N-CH X3CLASS
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT100N30X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 100A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1072.26 грн
30+635.73 грн
120+548.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT100N30X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT100N30X3HV-TRLLittelfuseMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-268AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT10N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT10N100IXYSMOSFETs 10 Amps 1000V 1.2 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N15PIXYSMOSFETs 120 Amps 150V 0.016 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+600.74 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 120A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N15PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1102.64 грн
16+908.51 грн
30+714.39 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N15PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 120A; 600W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 600W
Gate charge: 150nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; PolarHT™
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 16mΩ
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+792.07 грн
10+606.34 грн
30+476.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+600.00 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N25X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7870 pF @ 25 V
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1344.24 грн
30+804.27 грн
60+746.02 грн
120+654.15 грн
510+619.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N25X3HVIxys CorporationPower MOSFET
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1432.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N25X3HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 120A; 480W; TO268HV; 140ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 120A
Power dissipation: 480W
Case: TO268HV
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 140ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+935.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N25X3HVIXYSMOSFETs TO268 250V 120A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N25X3HVLittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFT120N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 120 A, 0.0086 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 735W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0086ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HVIXYSMOSFETs TO268 300V 120A N-CH X3CLASS
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HVIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1722.73 грн
10+1530.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 120A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 120A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1511.19 грн
30+918.52 грн
120+801.13 грн
510+731.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT120N30X3HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 120A; 735W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 735W
Gate charge: 170nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Reverse recovery time: 145ns
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1185.85 грн
10+939.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT12N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT12N100IXYSMOSFETs 12 Amps 1000V 1.05 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT12N100FIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT12N100FIXYSMOSFET IXFT12N100F 1000V 12A HIPERFET F-Class HiPerRF Capable MOSFETs
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT12N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT12N90QIXYSMOSFETs 12 Amps 900V 0.9 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT12N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 12A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT13N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT13N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 13A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT13N80QIXYSMOSFETs 13 Amps 800V 0.8 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N10PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N10PIXYSMOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N10PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO268
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+258.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N10P-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 140A; 600W; D3PAK,TO268; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: D3PAK; TO268
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 155nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Technology: HiPerFET™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N10P-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 140A TO268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N10P-TRLIXYSMOSFETs TO268 100V 140A N-CH POLAR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N10PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N10PTRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N20X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 140A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 520W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 127 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N20X3HVIXYSMOSFETs TO268 200V 140A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N20X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N20X3HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 200V; 140A; 520W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 140A
Power dissipation: 520W
Case: TO268
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 127nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 90ns
Technology: HiPerFET™; X3-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT140N20X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 140A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT14N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A TO268
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT14N80PIXYSMOSFETs 14 Amps 800V 0.72 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT14N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 14A 3-Pin(2+Tab) TO-268
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT14N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 14A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 720mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N17T2IXYSMOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N17T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 175V 150A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 880W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 175 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 233 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N20TIXYSMOSFETs Trench HiperFETs Power MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N20TIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 150A; 890W; TO268; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 150A
Power dissipation: 890W
Case: TO268
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 177nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 100ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1443.58 грн
10+1306.86 грн
25+1265.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 150A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 177 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268AA
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1443.58 грн
11+1306.86 грн
25+1265.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N25X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 150A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 154 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10400 pF @ 25 V
на замовлення 1024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2187.63 грн
30+1373.81 грн
60+1286.82 грн
120+1168.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N25X3HVIXYSMOSFETs TO268 250V 150A N-CH X3CLASS
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N25X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HVIXYSMOSFETs TO268 300V 150A N-CH X3CLASS
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HVIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 150A TO268HV
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1921.91 грн
30+1186.80 грн
60+1107.99 грн
120+977.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HVIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2056.63 грн
10+1858.07 грн
30+1829.23 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HVLITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFT150N30X3HV - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 150 A, 0.0066 ohm, TO-268HV, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 890W
Bauform - Transistor: TO-268HV
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe X3-Class HiPerFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0066ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HVIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X3-Class; unipolar; 300V; 150A; 890W; TO268
Mounting: SMD
Power dissipation: 890W
Gate charge: 254nC
Polarisation: unipolar
Technology: HiPerFET™; X3-Class
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO268
On-state resistance: 8.3mΩ
Reverse recovery time: 167ns
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1463.12 грн
3+1278.10 грн
5+1221.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV-TRLLittelfuseMOSFETs DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-268AA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT150N30X3HV-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 300V; 150A; 890W; D3PAK,TO268; 167ns
Mounting: SMD
Power dissipation: 890W
Gate charge: 177nC
Technology: HiPerFET™
Drain current: 150A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: 20V
Case: D3PAK; TO268
On-state resistance: 8.3mΩ
Reverse recovery time: 167ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT15N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT15N100QIXYSMOSFETs 15 Amps 1000V 0.725 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT15N100Q3IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 15A; 690W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: TO268
On-state resistance: 1.05Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT15N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT15N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT15N100Q3-TRLLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 15A 3-Pin(2+Tab) TO-268 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT15N100Q3-TRLIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A TO268
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 690W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT15N100Q3-TRLIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 1kV; 15A; 690W; D3PAK,TO268; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 15A
Power dissipation: 690W
Case: D3PAK; TO268
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 1.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 250ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT15N100Q3-TRLIXYSMOSFETs MOSFET Discretes
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT15N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 15A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT15N80QIXYSMOSFETs 15 Amps 800V 0.6 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT16N120PIXYSMOSFETs 16 Amps 1200V 1 Rds
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT16N120PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 660W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1432.03 грн
30+964.69 грн
120+889.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT16N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 16A 3-Pin(2+Tab) D3PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT16N120P-TRLIXYSMOSFETs MOSFET Discretes
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT16N80PIXYSMOSFETs 16 Amps 800V 0.6 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT16N80PIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT16N80PIXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 16A; 460W; TO268
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 16A
Power dissipation: 460W
Case: TO268
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT16N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 16A TO268
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT170N25X3HVLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 170A TO268HV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 85A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268HV (IXFT)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT170N25X3HVIXYSMOSFETs 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT17N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 17A TO268
Packaging: Box
Package / Case: TO-268-3, D3PAK (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-268AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT180N20X3HVLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT180N20X3HVIXYSMOSFETs TO268 200V 180A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFT180N20X3HVIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 180A 3-Pin(2+Tab) TO-268HV
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1493.11 грн
11+1348.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.