Продукція > PSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PSMN3R0-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 1932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
500+177.97 грн
1000+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127NEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 824A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+275.46 грн
3+236.50 грн
10+228.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 7600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+312.34 грн
500+295.83 грн
1000+279.33 грн
Мінімальне замовлення: 114 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8079 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
500+177.97 грн
1000+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
500+177.97 грн
1000+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R0-60PS,127 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 306W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
190+186.22 грн
500+177.97 грн
1000+168.54 грн
Мінімальне замовлення: 190 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R2-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R2-25YLC,115NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 25V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1781 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R2-30YLC,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2081 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.95V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R2-40YLBXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R2-40YLBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3300 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R2-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN3R2-40YLB/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+62.19 грн
100+41.36 грн
500+30.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R2-40YLBXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R2-40YLBXNexperia USA Inc.Description: PSMN3R2-40YLB/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4211 pF @ 20 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R2-40YLBXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R2-40YLBX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 3300 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.05V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R2-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4103 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+44.85 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R2-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R2-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 0.0029 ohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 115W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: SOT-669
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0029ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R2-40YLDXNexperiaMOSFETs SOT669 N-CH 40V 120A
на замовлення 11899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R2-40YLDXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R2-40YLDX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2900 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
Verlustleistung: 115W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R2-40YLDXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 120A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4103 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.05V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+80.38 грн
100+62.55 грн
500+49.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R2-40YLDXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 120A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-100SSFNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-100SSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 3300 µohm, LFPAK88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 341W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK88
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-100SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 180A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-100SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-100SSFJNexperiaTrans MOSFET N-CH 100V 180A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-100SSFJNexperia USA Inc.Description: NEXTPOWER 80/100V MOSFETS
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 341W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 671 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.20 грн
10+209.83 грн
50+163.61 грн
100+139.58 грн
500+115.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-100SSFJNexperiaMOSFETs PSMN3R3-100SSF/SOT1235/LFPAK88
на замовлення 1015 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3794 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: LFPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
на замовлення 1051 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.49 грн
10+74.20 грн
50+55.64 грн
100+46.61 грн
500+36.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 118A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MLHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3794 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MLHXNexperiaMOSFETs PSMN3R3-40MLH/SOT1210/mLFPAK
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 118A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MLHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 118A 8-Pin LFPAK EP T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.65 грн
500+116.68 грн
1000+107.61 грн
10000+92.51 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MLHXNEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 40V; 84A; Idm: 475A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 84A
Pulsed drain current: 475A
Power dissipation: 101W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 54nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MSHXNexperiaMOSFETs PSMN3R3-40MSH/SOT1210/mLFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3063 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MSHXNexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 118A 8-Pin LFPAK EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40MSHXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 118A LFPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 101W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3063 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.93 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 117W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2754 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+47.75 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 546A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 546A
Power dissipation: 117W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115NexperiaMOSFET PSMN3R3-40YS/SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2754 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 100A 5-Pin(4+Tab) LFPAK T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-40YS,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 2600 µohm, SOT-669, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 117W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-669
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2600µohm
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS/2XNexperiaMOSFET MOSFET-LOW VOLT SOT669/LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-40YS/2XNexperia USA Inc.Description: PSMN3R3-40YS/SOT669/LFPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2754 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 117W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-100, SOT-669
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-60PLNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-60PLQNEXPERIACategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 793A; 293W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 793A
Power dissipation: 293W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 175nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-60PLQNexperiaMOSFET PSMN3R3-60PL/SOT78/SIL3P
на замовлення 6718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-60PLQNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 130A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10115 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 293W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-60PLQNexperiaTrans MOSFET N-CH 60V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BSNexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+101.20 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BS,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BS,118NexperiaMOSFETs PSMN3R3-80BS/SOT404/D2PAK
на замовлення 5138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BS,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 760A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 760A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 111nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BS,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8161 pF @ 40 V
на замовлення 3318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.50 грн
10+168.02 грн
50+129.85 грн
100+110.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80BS,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+280.51 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80ES,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+360.66 грн
104+342.98 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80ES,127NexperiaMOSFET N-Ch 80V 3.3 m std level MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80ES,127Nexperia USA Inc.Description: ELEMENT, NCHANNEL, SILICON, MOSF
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+282.49 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80ES,127NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) I2PAK Rail
на замовлення 1365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+360.66 грн
104+342.98 грн
500+324.12 грн
1000+295.50 грн
Мінімальне замовлення: 99 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80ES,127NEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-80ES,127 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 248 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80ES,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+460.84 грн
100+437.27 грн
500+414.88 грн
1000+377.33 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80PS,127Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 139 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9961 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80PS,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
на замовлення 6750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+460.84 грн
100+437.27 грн
500+414.88 грн
1000+377.33 грн
Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80PS,127NexperiaMOSFETs PSMN3R3-80PS/SOT78/SIL3P
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80YSFNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-80YSF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3100 µohm, LFPAK56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: LFPAK56
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+62.35 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerSO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: NextPower Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+172.08 грн
500+154.40 грн
1000+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80YSFXNexperiaMOSFETs PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80YSFXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PSMN3R3-80YSFX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 160 A, 3100 µohm, PowerSO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 254W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80YSFXNexperia USA Inc.Description: PSMN3R3-80YSF/SOT669/LFPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-100, SOT-669
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6986 pF @ 40 V
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+197.52 грн
10+122.80 грн
50+93.76 грн
100+79.21 грн
500+63.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R3-80YSFXNexperiaTrans MOSFET N-CH 80V 160A 5-Pin(4+Tab) LFPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BL,118NexperiaMOSFET Std N-chanMOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BL,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; Idm: 465A; 103W
Case: D2PAK; SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 465A
Drain current: 80A
Drain-source voltage: 30V
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 41.5nC
On-state resistance: 7.8mΩ
Power dissipation: 103W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3907 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BL,118NXPDescription: NXP - PSMN3R4-30BL,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 594 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BL,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3907 pF @ 15 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.36 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BL,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
240+147.33 грн
500+133.18 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BLENexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BLE,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4682 pF @ 15 V
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.68 грн
10+136.47 грн
50+104.66 грн
100+88.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BLE,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 30V 120A
на замовлення 4600 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BLE,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.15V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4682 pF @ 15 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+75.16 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30BLE,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 120A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30PLNXPMOSFET N-CH 30V TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30PLNexperiaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30PL,127
Код товару: 103007
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R4-30PL,127NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Rail
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 45 50  [ Наступна Сторінка >> ]