Продукція > IXF

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFX110N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 110A 650V X3 PLU
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N20IXYSMOSFETs 200V 120A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N20IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 120A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N20Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH Si 200V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+778.34 грн
10+761.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N25IXYSMOSFETs 120 Amps 250V 0.022 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N25IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 400 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N25PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1429.46 грн
120+1331.95 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N25PIXYSMOSFETs 120 Amps 250 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N25PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 120A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+823.01 грн
30+678.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N25PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N30P3Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8630 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1243.91 грн
30+784.70 грн
120+723.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N30P3MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N30TIXYSMOSFETs 120V 300V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N30TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N60X3LittelfuseMOSFETs PLUS247 600V 120A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N60X3IXYSDescription: DISCRETE MOSFET 120A 600V X3 PLU
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2209.38 грн
10+1962.67 грн
120+1716.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N65X2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFX120N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 120 A, 0.024 ohm, PLUS247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 1.25kW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PLUS247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N65X2IXYSMOSFETs MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N65X2MOSFET N-CH 650V 120A TO-247-3 (PLUS247) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N65X2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1413.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2039.49 грн
30+1272.89 грн
60+1190.82 грн
120+1069.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX120N65X2 транзистор
Код товару: 202881
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX12N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 12A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX130N65X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 130A 650V X3 PLU
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX130N65X3LittelfuseMOSFETs PLUS247 650V 130A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX130N65X3LittelfuseLittelfuse MOSFET 130A 650V X3 PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX140N25TТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX140N25TIXYSMOSFETs 140A 250V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX140N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 140A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX140N30PIXYSMOSFETs 140 Amps 300V 0.024 Ohm Rds
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX140N30PIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 140A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14800 pF @ 25 V
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1917.21 грн
30+1187.83 грн
120+1047.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX140N30PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 140A; 1040W; PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 24mΩ
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Drain current: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PLUS247™
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 1.04kW
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX140N30PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 140A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX140N60X3LittelfuseMOSFETs PLUS247 600V 140A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX140N60X3Littelfuse Inc.Description: DISCRETE MOSFET 140A 600V X3 PLU
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX14N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 14A PLUS247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX150N15
на замовлення 1123 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX150N15IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 150A PLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 360 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX150N15IXYSMOSFETs 150 Amps 150V 0.0125 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX150N30P3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 150A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX150N30P3TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX150N30P3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 150A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 1300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX150N30P3IXYSMOSFETs N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
на замовлення 646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX15N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 15A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX160N30TIXYSMOSFETs 160A 300V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX160N30TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX160N30TIXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 160A PLUS247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX160N30TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 160A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX160N30TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160A; 1390W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 160A
Power dissipation: 1390W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 376nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX170N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 170A PLUS247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX170N20PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX170N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 Tube
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1477.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX170N20PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247 Tube
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1477.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX170N20PIXYSMOSFETs Polar HiperFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX170N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 170A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX170N20TIXYSMOSFETs 170A 200V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX170N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 170A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N07IXYSMOSFET 70V 180A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N07IXYSDescription: MOSFET N-CH 70V 180A PLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 420 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 70 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 568W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N07PLUS247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N085IXYSMOSFETs 180 Amps 85V 0.007 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N085IXYSDescription: MOSFET N-CH 85V 180A PLUS247-3
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N10IXYSMOSFETs 100V 180A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N10IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 180A PLUS247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 390 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N10
Код товару: 124793
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N10LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N15PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N15PIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 150V 180A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N15PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N15PIXYSMOSFETs 180 Amps 150V 0.011 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N15PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 150V 180A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1244.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 180A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N25TIXYSMOSFETs 180A 250V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 180A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.9mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1390W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 345 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28000 pF @ 25 V
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1230.59 грн
30+787.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX180N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 180A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1329.91 грн
30+1087.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX200N10PIXYSMOSFETs 200 Amps 100V 0.0075 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX200N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 235 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX200N10PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 830W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 830W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX20N120IXYSMOSFET 20 Amps 1200 V 0.75W Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX20N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX20N120PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 20A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 570mΩ
Reverse recovery time: 300ns
Polarisation: unipolar
Drain current: 20A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX20N120PIXYSMOSFETs 26 Amps 1200V 1 Rds
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX20N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 193 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 570mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2258.17 грн
30+1419.37 грн
60+1329.73 грн
120+1208.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX20N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 20A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX20N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 20A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX210N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 170V 210A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 285 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX210N30X3LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXFX210N30X3 - MOSFET, N-CH, 300V, 210A, PLUS247
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 300
Dauer-Drainstrom Id: 210
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: PLUS247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: X3-Class HiPerFET Series
Wandlerpolarität: N Channel
Kanaltyp: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043
SVHC: To Be Advised
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX210N30X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 300V 210A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 105A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24200 pF @ 25 V
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2184.49 грн
30+1381.03 грн
120+1355.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX210N30X3MOSFETs PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX210N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX210N30X3IXYSMOSFETs PLUS247 300V 210A N-CH X3CLASS
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX210N30X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 300V 210A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX21N100FIXYSRF MOSFET Transistors IXFX21N100F F-Class HiPerRF Capable MOSFET IXFX21N100F IXYS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX21N100Q
Код товару: 219644
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX21N100QIXYSMOSFETs 21 Amps 1000V 0.5 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX21N100QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 21A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1257.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.