Продукція > IXF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 32 33 34 35 36 37 38 39  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXFX240N25X3IXYSMOSFETs PLUS247 250V 240A N-CH X3CLASS
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2253.50 грн
30+1747.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX240N25X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 240A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100IXYSMOSFETs 24 Amps 1000V 0.39 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS 247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100FIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100FIXYSMOSFET IXFX24N100F 24A 1000V F-Class HiPerRF MOSFET
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 24A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/24A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2389.62 грн
10+1927.57 грн
120+1480.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 24A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7200 pF @ 25 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1905.86 грн
30+1189.66 грн
120+1140.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N90QIXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 24A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX24N90QIXYSMOSFETs 24 Amps 900V 0.45 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX250N10PIXYSMOSFETs Polar3 HiPerFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX250N10PIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 250A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 205 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX25N90IXYSMOSFETs 25 Amps 900V 0.33 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX25N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 25A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX260N17TIXYSDescription: MOSFET N-CH 170V 260A PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N100PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 26A; 780W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 26A
Power dissipation: 780W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 390mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 197nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N100PIXYSMOSFETs 26 Amps 1000V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 26A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N120PIXYSMOSFETs 32 Amps 1200V 0.46 Rds
на замовлення 267 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2557.94 грн
10+2098.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N120PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 26A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N120PIXYS/LittelfuseN-канальний ПТ, Udss, В = 1 200, Id = 26 А, Ptot, Вт = 960, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 16000 @ 25, Qg, нКл = 225 @ 10 В, Rds = 500 мОм @ 13 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 6,5 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
30+2059.15 грн
120+1764.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N120PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.2KV 26A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N120PТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N60QIXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 26A PLUS247-3
Packaging: Box
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 26A PLUS 247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX26N90IXYSMOSFETs 26 Amps 900V 0.3 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80QIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2598.37 грн
10+2426.38 грн
30+2353.62 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80QIXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 27A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 25 V
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1800.24 грн
30+1120.13 грн
120+1066.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80QLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 27A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80QIXYSMOSFETs 27 Amps 800V 0.32 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80QIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 27A; 481W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 27A
Power dissipation: 481W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.32Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 170nC
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1480.14 грн
30+1368.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX27N80Q
Код товару: 56425
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX300N20X3IXYSMOSFETs N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2283.30 грн
10+1747.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX300N20X3Ixys CorporationTrans MOSFET N-CH 200V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+4097.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX300N20X3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 300A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX300N20X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 300A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 150A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 375 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23800 pF @ 25 V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2175.35 грн
30+1594.43 грн
120+1538.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX30N100Q2IXYS08+ QFN
на замовлення 265 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX30N100Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 186 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX30N100Q2IXYSMOSFET 30 Amps 1000V 0.35 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX30N100Q2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 30A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX30N110PIXYSDescription: MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX30N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX320N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 170V 320A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX320N17T2Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 640 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45000 pF @ 25 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1554.04 грн
30+1357.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX320N17T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX320N17T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 170V 320A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N100PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14200 pF @ 25 V
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1658.89 грн
30+1021.49 грн
120+952.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N100PIXYSMOSFETs 32 Amps 1000V 0.32 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N100Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9940 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N100Q3IXYSMOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2560.36 грн
10+2327.69 грн
30+1932.95 грн
120+1727.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N100Q3LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 32A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N50IXYSMOSFETs 32 Amps 500V 0.16 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N50IXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 416W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N50QIXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 32A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1335.13 грн
12+1271.65 грн
25+1236.86 грн
100+1163.41 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80PIXYSMOSFETs 32 Amps 800V 0.27 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 800V 32A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1380.33 грн
10+1314.69 грн
25+1278.73 грн
100+1202.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80Q3IXYSMOSFETs Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2719.02 грн
10+2187.17 грн
120+1657.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N80Q3IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 4mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6940 pF @ 25 V
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2066.62 грн
30+1301.47 грн
120+1268.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N90PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 215 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N90PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 32A; 960W; PLUS247™
Polarisation: unipolar
Gate charge: 215nC
On-state resistance: 0.3Ω
Drain current: 32A
Power dissipation: 960W
Drain-source voltage: 900V
Case: PLUS247™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX32N90PIXYSMOSFETs Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX34N80IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 34A; 568W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 34A
Power dissipation: 568W
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX34N80Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX34N80IXYSMOSFETs 800V 34A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX34N80IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 560W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 100V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1525.42 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 525 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 33000 pF @ 25 V
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+973.90 грн
30+578.38 грн
120+549.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N10TIXYSMOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 360A
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1100.98 грн
10+745.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N15T2IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 715 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47500 pF @ 25 V
на замовлення 1292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2030.90 грн
30+1277.41 грн
120+1241.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N15T2IXYSMOSFETs GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
на замовлення 409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2144.77 грн
10+1622.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX360N15T2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 150V 360A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX38N80Q2IXYSMOSFETs 38 Amps 800V 0.22 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX38N80Q2IXYSDescription: MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8340 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Power Dissipation (Max): 735W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 19A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX400N15X3LittelfusePower MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX400N15X3IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 400A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 365 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX400N15X3IXYSMOSFETs PLUS247 150V 400A N-CH X3CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX40N90PIXYSMOSFETs Polar HiperFET Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX40N90PLittelfuseTrans MOSFET N-CH 900V 40A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX40N90PLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 900V 40A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 1mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14000 pF @ 25 V
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1979.64 грн
30+1449.42 грн
120+1381.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX420N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 420A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX420N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 420A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 420A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1670W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 670 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 47000 pF @ 25 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1356.00 грн
30+823.18 грн
120+744.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX420N10TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 420A; 1670W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 420A
Power dissipation: 1.67kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 670nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX420N10TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 420A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1548.02 грн
30+1177.78 грн
120+1128.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX420N10TIXYSMOSFETs TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 100V 420A
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1711.47 грн
10+1118.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N50FIXYSDescription: MOSFET N-CH 44A PLUS247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N50QIXYSMOSFETs 44 Amps 500V 0.12 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N50QIXYSDescription: MOSFET N-CH 500V 44A PLUS247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 4mA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 22A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3 Variant
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N55QIXYSMOSFET 44 Amps 550V 0.11 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N55QIXYSDescription: MOSFET N-CH 550V 44A PLUS247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N60IXYSMOSFETs 600V 44A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N60IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 44A PLUS247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N60PLUS247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80PIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 44A; 1040W; PLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 44A
Power dissipation: 1.04kW
Case: PLUS247™
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXFX44N80PIXYSMOSFETs 44 Amps 800V
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1843.56 грн
10+1230.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 24 27 30 32 33 34 35 36 37 38 39  [ Наступна Сторінка >> ]