Продукція > DMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN6140LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 58980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A | на замовлення 10933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-13-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-13-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23 Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.7W Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar | на замовлення 128 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6140LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A | на замовлення 208462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6140LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 700mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-7-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN6140LQ-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8L-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2784 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 65 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 216000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23 | на замовлення 4748 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V | на замовлення 132321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LQ | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V | на замовлення 180000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW | на замовлення 15411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 189447 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 130961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 470mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 390mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 390mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 14405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW | на замовлення 20490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 470mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 390mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 390mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 14405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 | на замовлення 1091 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA | на замовлення 7198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss TSOT26 | на замовлення 3795 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 820mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 740pC Power dissipation: 1.09W Drain current: 0.5A On-state resistance: 2.4Ω Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 60V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: TSOT26 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET | на замовлення 2612 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 820mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: TSOT-26 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-13 Код товару: 148365
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active | на замовлення 6870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson | на замовлення 6323 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D8LVTQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D9U-7 - MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 0.38A, 60V, SOT2 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Surface Mount Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 370mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 370mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 320mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2Ohms | на замовлення 360939 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UDWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 370mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 370mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UDWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D9UDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 318 mA, 318 mA, 1.4 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 318mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 318mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 440mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 440mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UDWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-363 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Power - Max: 370mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMN61D9UT-13 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 10K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UT-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family SOT523 T&R 10K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UT-7 | Diodes Incorporated | Description: 2N7002 FAMILY SOT523 T&R 3K Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-523 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UT-7 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N7002 Family SOT523 T&R 3K | на замовлення 128900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UV-13 | Diodes Incorporated | Description: DMN61D9UV-13 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UV-7 | Diodes Incorporated | Description: DMN61D9UV-7 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UW | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMN61D9UW-13 | Diodes Zetex | N-Channel Enhancement Mode Mosfet | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |