Продукція > DMN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMN6075SQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6075SQ-7 | Diodes Zetex | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6075SQ-7 | Diodes Zetex | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6075SQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6075SQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.069 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 800mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.069ohm | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6075SQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.2A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 606 pF @ 20 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6075SQ-7 | Diodes Zetex | 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN60H080DS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100Ohm @ 60mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | на замовлення 530000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN60H080DS-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.08A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN60H080DS-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100Ohm @ 60mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | на замовлення 536060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN60H080DS-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFETBVDSS: 501V-650V | на замовлення 16356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN60H080DS-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100Ohm @ 60mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN60H080DS-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.08A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN60H080DS-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 501V-650V | на замовлення 25704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN60H080DS-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 0.08A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN60H080DS-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100Ohm @ 60mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V | на замовлення 83459 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN60H3D5SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN60H3D5SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 2.8A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN60H3D5SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN60H4D5SK3-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 600V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN60H4D5SK3-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFETBVDSS: 501V-650V | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN60H4D5SK3-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 2.5A TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN60H80DHFF-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS, 501V to 650V SOT23F 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN60H80DHFF-7 | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN60H80DHFF-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 257 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A | на замовлення 335960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 257 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23 Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.7W Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V | на замовлення 1405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 509980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140L-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6140L-13 - MOSFET, N-KANAL, 60V, 1.6A, SOT23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 6049 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 509980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140L-13-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L-13-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6140L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 56354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes | MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 122 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6140L-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.14 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 26630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 579000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V | на замовлення 81000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 609000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V | на замовлення 82465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A | на замовлення 73 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L-7-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L-7-50 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140L-7-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140LQ | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A | на замовлення 10933 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140LQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140LQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.4W; SOT23-3 Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23-3 Gate charge: 8.6nC On-state resistance: 0.17Ω Power dissipation: 0.4W Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar | на замовлення 4303 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140LQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 58980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140LQ-13-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140LQ-13-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6140LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 700mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN6140LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A | на замовлення 208462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140LQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23 Kind of package: 7 inch reel; tape Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 On-state resistance: 0.14Ω Power dissipation: 0.7W Drain current: 1.2A Pulsed drain current: 10A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 60V Polarisation: unipolar | на замовлення 128 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| DMN6140LQ-7-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN6140LQ-7-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8L | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8L-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 370mA; 610mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.37A Power dissipation: 0.61W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 740pC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8L-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8L-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8L-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.37A; 0.39W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.37A Power dissipation: 0.39W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23 | на замовлення 380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8LQ | Diodes Incorporated | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8LQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 370mA; 610mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.37A Power dissipation: 0.61W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 2.4Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 740pC Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V Power Dissipation (Max): 390mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW | на замовлення 9955 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8LQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8LQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 470mA; 610mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 470mA Power dissipation: 0.61W Case: SOT23 On-state resistance: 1.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 740pC Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW | на замовлення 15115 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMN61D8LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 470mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 390mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 390mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 14405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |