Продукція > DMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMN6140L-7Diodes IncorporatedMOSFETs 31V to 99V N-Ch FET 60Vds 20Vgs 2.3A
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 579000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.77 грн
6000+4.90 грн
12000+4.71 грн
18000+4.50 грн
30000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-7-50Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-7-50Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140L-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 58980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
15+21.51 грн
100+10.57 грн
500+8.85 грн
1000+7.07 грн
2000+6.85 грн
5000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A
на замовлення 10933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.4W; SOT23-3
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23-3
Gate charge: 8.6nC
On-state resistance: 0.17Ω
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 4303 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.29 грн
23+19.04 грн
100+12.24 грн
500+8.97 грн
1000+7.97 грн
2000+7.04 грн
2500+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+7.03 грн
20000+6.35 грн
30000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-13-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-13-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; Idm: 10A; 0.7W; SOT23
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
On-state resistance: 0.14Ω
Power dissipation: 0.7W
Drain current: 1.2A
Pulsed drain current: 10A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.61 грн
20+21.55 грн
50+14.93 грн
100+12.66 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.84 грн
9000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.38 грн
6000+6.08 грн
9000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6140LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1036+13.65 грн
Мінімальне замовлення: 1036 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
699+13.65 грн
1000+9.22 грн
3000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 60Vdss 20Vgss 10A
на замовлення 208462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
15+20.45 грн
100+9.04 грн
500+8.17 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN6140LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.6 A, 0.092 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 700mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.092ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.87 грн
9000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6140LQ-7-52Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8L-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8L-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8L-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 370mA; 610mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.37A
Power dissipation: 0.61W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 740pC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8L-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V
на замовлення 132321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
12+26.79 грн
100+17.15 грн
500+12.20 грн
1000+10.95 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8L-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.37A; 0.39W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.37A
Power dissipation: 0.39W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8L-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss SOT23
на замовлення 1837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8L-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.04 грн
6000+8.84 грн
9000+8.41 грн
15000+7.45 грн
21000+7.19 грн
30000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8L-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.47A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 189447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
11+28.08 грн
100+19.48 грн
500+14.28 грн
1000+11.60 грн
2000+10.37 грн
5000+9.69 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
на замовлення 9955 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+10.12 грн
30000+9.52 грн
50000+9.28 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 370mA; 610mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.37A
Power dissipation: 0.61W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 740pC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.04 грн
9000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 470mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 390mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V Enh Mode FET 12Vgss 470mA 610mW
на замовлення 21311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 470mA; 610mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 470mA
Power dissipation: 0.61W
Case: SOT23
On-state resistance: 1.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 740pC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN61D8LQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 mA, 1.1 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 470mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 390mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 390mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9 pF @ 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 390mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 470mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 73050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+40.38 грн
25+33.75 грн
50+27.80 грн
100+24.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.47A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTDiodes IncorporatedMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 1.09W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 740pC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs 60V Switching Diode 1.8Ohm at 5Vgs 470mA
на замовлення 9992 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgss TSOT26
на замовлення 30338 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.63A Automotive 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN61D8LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 820mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 1.09W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 740pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN61D8LVT-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.1 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.1ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.1ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 820mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+31.32 грн
100+20.17 грн
500+14.44 грн
1000+12.99 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 1.09W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 740pC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-13
Код товару: 148365
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.58 грн
6000+8.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs N-Ch Enh Mode FET 41 to 60V Low Rdson
на замовлення 11889 шт:
термін постачання 301-310 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.63A 6-Pin TSOT-26 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.8 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 630mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12.9pF @ 12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 150mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.11 грн
12+25.66 грн
100+16.43 грн
500+11.67 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-7DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 500mA; 1.09W; TSOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.5A
Power dissipation: 1.09W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 2.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 740pC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D8LVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN61D8LVTQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 630 mA, 630 mA, 1.8 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 630mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 630mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 1.09W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.8ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.09W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9U-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9U-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.21 грн
35+21.71 грн
100+11.77 грн
250+10.79 грн
500+10.25 грн
1000+5.13 грн
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9U-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN61D9U-7 - MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 0.38A, 60V, SOT2
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9U-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9U-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.38A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1159+12.21 грн
1171+12.09 грн
1183+11.96 грн
2363+5.77 грн
Мінімальне замовлення: 1159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9U-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UDW-13Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.35A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UDW-7Diodes IncorporatedMOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2Ohms
на замовлення 360939 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.78 грн
30000+2.63 грн
50000+2.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.62 грн
9000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 370mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
21+14.57 грн
100+7.11 грн
500+5.57 грн
1000+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3062+4.62 грн
9000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3062 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.318A SOT363
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 318mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 370mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMN61D9UDWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 60 V, 318 mA, 318 mA, 1.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 318mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 318mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 440mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 440mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 0.318A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UT-13Diodes IncorporatedMOSFET 2N7002 Family SOT523 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 46  [ Наступна Сторінка >> ]