Продукція > DMT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMT10H052LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2977 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H052LFDF-7Diodes Zetex100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI3333-8 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-7Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N-CH 100V 12A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 4.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UXC)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+25.31 грн
4000+22.67 грн
6000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI3333-8 T&R 2K
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-13Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H072LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4 A, 0.047 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 800mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.74 грн
500+19.17 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.60 грн
10+46.80 грн
100+30.61 грн
500+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 291000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 266 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H072LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4 A, 0.047 ohm, UDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: UDFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.94 грн
22+38.28 грн
100+26.74 грн
500+19.17 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDF-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 800mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4A 6-Pin UDFN EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V 4A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 23496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.65 грн
10+40.38 грн
100+26.23 грн
500+18.91 грн
1000+17.08 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFDFQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 11725 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.02 грн
6000+13.43 грн
9000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+12.67 грн
4000+11.14 грн
6000+10.60 грн
10000+9.37 грн
14000+9.03 грн
20000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 61V-100V
на замовлення 2781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.78 грн
24+34.95 грн
100+21.78 грн
500+15.77 грн
1000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 278000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 182000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta), 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 24949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.52 грн
10+31.32 грн
100+20.23 грн
500+14.48 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N-CH 100V 4.7A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H072LFV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H072LFV-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0506 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0506ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.78 грн
500+15.77 грн
1000+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H075LE-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V SOT223 T&
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 228 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.42 грн
5000+13.73 грн
7500+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H075LE-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SOT223 T&R 2.5K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H075LE-13Diodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H075LE-13DiodesPower MOSFET, N Channel, 100 V, 4 A, 65 Milliohms, SOT-223, 4 Pins Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M5LPS-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 400A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M5LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M5LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4843 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.70 грн
5000+64.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M9LPSW-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M9SPSW-13Diodes ZetexDMT10H4M9SPSW-13
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M9SPSW-13Diodes ZetexDMT10H4M9SPSW-13
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M9SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LCTDiodes ZetexDMT10H9M9LCT
на замовлення 7300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+47.19 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H9M9LCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 101 A, 6700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6700µohm
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.26 грн
10+117.05 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2309 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LCTDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO220AB TUBE 50PCS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LCTDiodes ZetexN-Channel Enhancement MODE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LK3-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V TO252 T&R 2.5K
на замовлення 87500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.16 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LK3-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LPSW-13Diodes ZetexDMT10H9M9LPSW-13
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LSS-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9LSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SCTDiodes ZetexN-Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 4700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+47.19 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SCTDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB TUBE 50PCS
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SCTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT10H9M9SCT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 99 A, 7200 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
Verlustleistung: 156W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.40 грн
10+116.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SCTDiodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO220AB T
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 99A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SH3Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 61V 100V TO251 TUBE 75PCS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SH3Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 61V~100V TO251 TUB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2085 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-251
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 84A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 75 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SK3-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SK3-13Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 61V100V TO252 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SPSW-13Diodes ZetexDMT10H9M9SPSW-13
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SSS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V-100V SO-8 T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H9M9SSS-13Diodes ZetexDMT10H9M9SSS-13
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H007LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT12H007LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 90 A, 7800 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+89.41 грн
500+66.27 грн
1000+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H007LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 60 V
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H007LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT12H007LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 90 A, 7800 µohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.9W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+205.65 грн
50+131.68 грн
100+89.41 грн
500+66.27 грн
1000+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H007LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3224 pF @ 60 V
на замовлення 112116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.57 грн
10+87.10 грн
100+60.72 грн
500+47.55 грн
1000+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H007LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 16874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H060LCA9-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V X4-DSN15
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Vgs (Max): ±5.5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Supplier Device Package: X2-DSN1515-9
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-SMD, No Lead
Packaging: Bulk
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H060LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H060LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 50 V
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.38 грн
10+47.17 грн
100+30.92 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H060LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 61V~100V U-DFN2020-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT12H065LFDF-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 115 V, 4.3 A, 0.043 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 115V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 8177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+206.46 грн
10+117.86 грн
100+67.30 грн
500+49.89 грн
1000+40.27 грн
5000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT12H065LFDF-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 115 V, 4.3 A, 0.043 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 115V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
на замовлення 8177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.30 грн
500+49.89 грн
1000+40.27 грн
5000+33.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-13DIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 115V; 3.4A; Idm: 25A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 115V
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 1.2W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 5.5nC
Pulsed drain current: 25A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 2303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 50 V
на замовлення 249449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.49 грн
10+56.23 грн
100+37.23 грн
500+27.29 грн
1000+24.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H065LFDF-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 115V 4.3A 6UDFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 252 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 249000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.29 грн
6000+20.80 грн
9000+20.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H090LFDF4-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V X2-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H090LFDF4-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 251 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 115 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3V, 10V
Supplier Device Package: X2-DFN2020-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-PowerXDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+23.00 грн
30000+21.93 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H090LFDF4-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V X2-DFN2020-6 T&R 3K
на замовлення 1717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H090LFDF4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT12H7M9SPSW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 2192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT15H017LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 58 A, 0.0175 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+87.79 грн
500+66.50 грн
1000+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3369 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.65 грн
10+93.37 грн
100+64.05 грн
500+47.55 грн
1000+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT15H017LPS-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMT15H017LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 58 A, 0.0175 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 58A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.20 грн
50+123.55 грн
100+87.79 грн
500+66.50 грн
1000+58.66 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 12 14 16 18 20 22 24 26  [ Наступна Сторінка >> ]