Продукція > SIA

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIA906EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA906EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.037 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.037ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.037ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.80 грн
20+40.75 грн
100+26.50 грн
500+19.07 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 71347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.91 грн
10+37.69 грн
100+24.46 грн
500+17.60 грн
1000+15.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 47417 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.97 грн
10+37.55 грн
100+21.19 грн
500+16.29 грн
1000+14.64 грн
3000+10.70 грн
6000+10.42 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T1-GE3 SIA923EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA906EDJ-T5-GE3Vishay SiliconixDescription: DUAL N-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3.9A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJ-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs Thin PowerPAK SC-70
на замовлення 110643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.09 грн
10+83.36 грн
100+48.39 грн
500+38.24 грн
1000+35.00 грн
3000+32.86 грн
6000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.6A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
10+31.56 грн
100+21.97 грн
500+16.10 грн
1000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET -20V 57mOhm@4.5V 4.5A P-Ch G-III Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA907EDJT-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
на замовлення 1747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.54 грн
32+23.75 грн
100+20.64 грн
250+18.92 грн
500+16.92 грн
1000+15.99 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 12V 4.5A 6-Pin PowerPAK SC-70 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 170024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.83 грн
11+30.01 грн
100+18.64 грн
500+17.60 грн
1000+15.88 грн
3000+15.19 грн
6000+13.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA910EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 12 V, 12 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 50423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.63 грн
19+44.06 грн
100+28.67 грн
500+19.30 грн
1000+16.15 грн
5000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA910EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.57 грн
10+40.76 грн
100+26.51 грн
500+19.14 грн
1000+17.29 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA911ADJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 20V 4.5A 6.5W
на замовлення 4131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.14 грн
10+34.38 грн
100+19.40 грн
500+14.84 грн
1000+13.39 грн
3000+11.39 грн
6000+10.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA911ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 345pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 6.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA911DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA911DJ-T1-E3
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiA911DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA911DJ-T1-GE3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA911DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.8nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 2.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 6.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA911DJ-T5-GE3
на замовлення 200000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA911EDJ-T1-GE3
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA911EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA911EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 101mOhm @ 2.7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA912DJ
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA912DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA912DJ-T1-GE3
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA912DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 12V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 6.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.80 грн
6000+12.32 грн
9000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.6A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590pF @ 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 6.5W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
10+30.96 грн
100+21.15 грн
500+15.64 грн
1000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913ADJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 12V 4.5A 6.5W 61mohm @ 4.5V
на замовлення 5149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.97 грн
10+37.55 грн
100+21.19 грн
500+16.29 грн
1000+14.64 грн
3000+12.56 грн
6000+12.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913DJ-T1-E3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913DJ-T1-GE3
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA913DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 6.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
на замовлення 8352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914ADJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 20V 43mOhom@4.5V 4.5A Dual N-CH
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914ADJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6L
на замовлення 8352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA914DJ-T1-GE3CT
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA915DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SC-70-6L
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA917DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA917DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA917DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiA918EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 4259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.10 грн
13+25.25 грн
100+15.05 грн
500+13.25 грн
1000+11.74 грн
3000+10.36 грн
6000+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA918EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA918EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.046 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.046ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.046ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.04 грн
24+33.67 грн
100+21.67 грн
500+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA918EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.28 грн
10+30.66 грн
100+22.87 грн
500+16.86 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA918EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V POWERPAK SC70-6
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 7.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA920DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 8V 4.5A SC-70
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA920DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 4064 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 28761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+44.05 грн
100+28.85 грн
500+20.94 грн
1000+18.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 64927 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+59.68 грн
10+41.44 грн
100+24.58 грн
500+20.23 грн
1000+17.47 грн
3000+14.77 грн
6000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.66 грн
500+19.59 грн
1000+17.12 грн
5000+16.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3.6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.21 грн
6000+16.19 грн
9000+15.51 грн
15000+13.83 грн
21000+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA921EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.059 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.059ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.059ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.84 грн
14+59.84 грн
100+39.22 грн
500+28.12 грн
1000+23.61 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA921EDJ-T4-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.67 грн
10+39.85 грн
100+23.68 грн
500+19.74 грн
1000+16.84 грн
3000+14.98 грн
6000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA922EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 5651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA922EDJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA922EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA922EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 5651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V .054ohm@-4.5V -4.5A P-CH
на замовлення 6556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.71 грн
10+38.90 грн
100+22.02 грн
500+16.91 грн
1000+15.26 грн
3000+13.12 грн
6000+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.64 грн
6000+13.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923AEDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 6917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+38.74 грн
100+25.19 грн
500+18.15 грн
1000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA923EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 35527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.54 грн
500+25.35 грн
1500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 25342 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.79 грн
10+46.92 грн
25+40.73 грн
100+26.51 грн
500+20.43 грн
1000+18.57 грн
3000+15.12 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA923EDJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.044 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.044ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.044ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 35527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.69 грн
50+49.53 грн
100+32.54 грн
500+25.35 грн
1500+20.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 3123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.67 грн
10+42.48 грн
100+27.75 грн
500+20.07 грн
1000+18.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T4-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.20 грн
10+40.09 грн
100+23.68 грн
500+19.74 грн
1000+16.84 грн
3000+14.91 грн
6000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA923EDJ-T4-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.9W (Ta), 7.8W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta), 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 54mOhm @ 3.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA928DJ-T1-GE3VISHAYCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 30A
Case: PowerPAK® SC70
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 7.8W
Pulsed drain current: 30A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10nC
On-state resistance: 33mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA928DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
11+29.32 грн
100+18.89 грн
500+13.50 грн
1000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA928DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiA928DJ-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs Dual N-Ch 30V Vds 3nC Qg Typ
на замовлення 8618 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.97 грн
10+37.47 грн
100+21.12 грн
500+16.15 грн
1000+14.57 грн
3000+12.50 грн
6000+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA929DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.95 грн
500+34.25 грн
1000+27.82 грн
5000+24.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 24578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.62 грн
10+56.29 грн
100+32.17 грн
500+25.27 грн
1000+22.23 грн
3000+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+45.77 грн
100+30.02 грн
500+21.83 грн
1000+19.78 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -15A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 5W
Case: PowerPAK® SC70
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA929DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA929DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 8436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.70 грн
13+65.96 грн
100+43.41 грн
500+31.26 грн
1000+27.13 грн
5000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
на замовлення 261096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.06 грн
11+29.45 грн
100+19.61 грн
500+15.81 грн
1000+12.36 грн
3000+11.25 грн
6000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 30V 4.5A PPAK8X8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SC-70-6 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 7.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 445pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-70-6 Dual
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.19 грн
6000+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIA931DJ-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIA931DJ-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.5 A, 4.5 A, 0.052 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.052ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 7.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.052ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 7.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 253055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.07 грн
500+14.51 грн
1000+11.94 грн
5000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7  [ Наступна Сторінка >> ]