Продукція > IPP

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IPP048N04N GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N04NGInfineon TechnologiesDescription: IPP048N04 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 40V 70A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.98 грн
10+95.27 грн
100+66.13 грн
250+60.82 грн
500+53.36 грн
1000+52.33 грн
2500+51.91 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+66.02 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+75.70 грн
500+74.95 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N04NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 40V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+75.34 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N04NGXKSA1
Код товару: 202354
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N06L GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N06LGinfineon08+
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 120V 100A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+277.06 грн
10+157.19 грн
100+126.33 грн
500+110.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+340.68 грн
10+312.80 грн
25+309.08 грн
50+286.48 грн
100+241.23 грн
250+213.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+318.37 грн
49+292.31 грн
50+288.84 грн
52+267.72 грн
100+225.42 грн
250+199.14 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+264.60 грн
57+250.05 грн
59+235.56 грн
100+204.95 грн
Мінімальне замовлення: 54 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12000 pF @ 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 230µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.42 грн
50+159.00 грн
100+144.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+289.94 грн
10+235.16 грн
50+157.88 грн
100+141.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 24500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+218.37 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+264.60 грн
10+251.28 грн
25+250.05 грн
50+235.56 грн
100+204.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+532.70 грн
30+475.54 грн
31+464.73 грн
50+437.81 грн
100+339.60 грн
500+260.54 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP048N12N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 120 V, 100 A, 4100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 120V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4100µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+308.47 грн
10+177.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 120V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP04CN10NGInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP04CN10NGINFINEON07+ DIP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP04CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MV POWER MOS
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP04CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesMOSFET N-Ch 100V 100A TO220-3
на замовлення 501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+433.30 грн
10+383.45 грн
100+273.38 грн
500+222.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP04CN10NGXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+333.11 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP04N03LAInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 80A TO220-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3877 pF @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 60µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP04N03LAINFINEON09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP04N03LB GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5203 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP04N03LBGINF07+;
на замовлення 17600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N03LF2SAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 65W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 65W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4.95mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta), 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.95mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-U05
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 15 V
на замовлення 986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.56 грн
10+44.95 грн
100+29.41 грн
500+21.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N03LF2SAKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+48.27 грн
100+27.48 грн
500+21.26 грн
1000+19.19 грн
2000+17.88 грн
5000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N03LF2SAKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP050N03LF2SAKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 53 A, 4950 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.35V
Verlustleistung: 65W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4950µohm
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.28 грн
17+48.97 грн
100+32.05 грн
500+22.81 грн
1000+18.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N06N GInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 167 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >80 - 100V
на замовлення 1957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.51 грн
10+111.14 грн
100+86.98 грн
500+70.41 грн
1000+64.13 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP050N10NF2SAKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 110 A, 4500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET 2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.38 грн
10+108.73 грн
100+92.62 грн
500+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+85.09 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1
Код товару: 188954
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.4A (Ta), 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 84µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.13 грн
50+103.10 грн
100+92.99 грн
500+70.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+84.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N10NF2SAKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 100V 19.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+145.29 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5Infineon TechnologiesN-канальний ПТ, Udss, В = 150, Id = 120 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7800 @ 75, Qg, нКл = 83, Rds = 5,1 мОм, Ugs(th) = 20, Опис N-канальний ПТ, Р, Вт = 300, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: PG-TO 220-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
50+139.56 грн
100+119.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1
Код товару: 197743
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Power Dissipation (Max): 300mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH >=100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1InfineonMOSFET N-CH 150V 120A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 150V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP051N15N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 0.004 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 120
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 300
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: OptiMOS 5
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.004
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™ 5
Pulsed drain current: 480A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP051N15N5XKSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP051N15N5XKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 120 A, 5100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.6V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+417.20 грн
10+240.81 грн
100+203.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 120A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+338.27 грн
10+204.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH >=100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.6V @ 264µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7800 pF @ 75 V
на замовлення 3471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.03 грн
50+180.98 грн
100+165.17 грн
500+129.02 грн
1000+127.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesIPP051N15N5XKSA1
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+324.75 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs IFX FET >100-150V
на замовлення 1789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+467.94 грн
10+252.46 грн
100+193.30 грн
500+165.68 грн
1000+146.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.45 грн
10+104.00 грн
100+71.80 грн
250+66.27 грн
500+60.34 грн
1000+52.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GInfineon technologies
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GHKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+128.36 грн
131+108.84 грн
500+76.26 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+150.98 грн
10+127.55 грн
100+108.16 грн
500+73.07 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 60V 80A TO220-3 OptiMOS 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1
Код товару: 202355
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP052N06L3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 115W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.19 грн
10+113.56 грн
100+77.56 грн
500+57.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8400 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 58µA
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N08N5Infineon TechnologiesMOSFETs TRENCH 40<-<100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N08N5Infineon
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N08N5AKSA1InfineonMOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N08N5AKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP052N08N5AKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 A, 4600 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 5
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+212.62 грн
10+137.72 грн
100+101.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 66µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3770 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
130+109.33 грн
Мінімальне замовлення: 130 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N08N5AKSA1Infineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 80V 80A TO220-3
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.17 грн
10+91.30 грн
100+65.51 грн
500+61.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3 GInfineon TechnologiesDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3 GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 75V 80A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.06 грн
10+184.98 грн
25+154.64 грн
100+112.53 грн
500+91.82 грн
1000+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GInfineon TechnologiesDescription: IPP052NE7 - 12V-300V N-CHANNEL P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GInfineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GHKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - IPP052NE7N3GXKSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 80 A, 5200 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: OptiMOS 3 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5200µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.45 грн
10+180.41 грн
100+135.31 грн
500+97.97 грн
1000+79.39 грн
5000+74.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.38 грн
500+144.11 грн
1000+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+215.67 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 3328 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.38 грн
500+144.11 грн
1000+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
233+152.38 грн
500+144.11 грн
1000+137.02 грн
Мінімальне замовлення: 233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+93.90 грн
10+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 91µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 37.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+216.58 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP054NE8NGHKSA2Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 85V 100A TO220-3
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12100 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03L GInfineon TechnologiesMOSFETs N-Ch 30V 50A TO220-3 OptiMOS 3
на замовлення 385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.36 грн
10+88.92 грн
100+50.67 грн
500+40.11 грн
1000+35.69 грн
2500+32.58 грн
5000+31.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 14 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]