Продукція > SIS

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIS82C50A88
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS82C50B
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS82C605
на замовлення 859 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS8333B-F-B000
на замовлення 202 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS83C611
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS83C747
на замовлення 660 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85-100
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85-2R2PF
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85-3R3
на замовлення 22400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85-470
на замовлення 3466 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85-6R8
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85-6R8M
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS8513C-F-A000
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85C206SISPLCC84
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85C402SIS1993
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85C407SIS1994
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85C407QTSIS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85C420
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85C461SIS1993
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85C496PRSIS
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85C497NUSIS
на замовлення 404 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85C501SIS1995
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85C502SISQFP208
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85C502NR
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS85C503SIS1995
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862ADN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PPAK1212 N-CH 60V 15.8A
на замовлення 74881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
на замовлення 1995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.03 грн
10+63.63 грн
100+42.29 грн
500+31.08 грн
1000+28.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 15.8A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 15.8A/52A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.8A (Ta), 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DNVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+47.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 21296 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 8063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.19 грн
10+95.10 грн
100+64.13 грн
500+48.46 грн
1000+40.97 грн
5000+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.07 грн
14+56.27 грн
25+55.71 грн
100+46.34 грн
250+42.48 грн
500+38.45 грн
1000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 9374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.06 грн
10+74.95 грн
100+50.19 грн
500+37.14 грн
1000+33.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
252+56.27 грн
254+55.71 грн
295+48.06 грн
298+45.88 грн
500+40.06 грн
1000+34.98 грн
Мінімальне замовлення: 252 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 40A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.06 грн
6000+29.65 грн
9000+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS862DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 40 A, 8500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8500µohm
на замовлення 8063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.13 грн
500+48.46 грн
1000+40.97 грн
5000+35.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS862DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS888DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+40.80 грн
6000+37.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS888DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.94 грн
500+51.48 грн
1000+43.55 грн
5000+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS888DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+134.12 грн
10+91.04 грн
100+71.94 грн
500+51.48 грн
1000+43.55 грн
5000+38.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS888DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 20.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8S
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8S
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 75 V
на замовлення 7062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
10+89.06 грн
100+60.45 грн
500+45.53 грн
1000+43.34 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS888DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8S
на замовлення 4012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.81 грн
6000+23.97 грн
9000+23.02 грн
15000+20.61 грн
21000+20.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS890ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24.7 A, 0.021 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 39W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 14615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.30 грн
500+32.46 грн
1000+24.04 грн
5000+23.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.6A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs PWRPK 100V 24.7A N-CH MOSFET
на замовлення 63821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS890ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 24.7 A, 0.0255 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0255ohm
на замовлення 4156 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+117.86 грн
11+74.70 грн
100+49.66 грн
500+36.00 грн
1000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 7.6A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 7.6A/24.7A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.6A (Ta), 24.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 62280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.68 грн
10+62.27 грн
100+41.38 грн
500+30.39 грн
1000+27.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DNVishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V
на замовлення 30575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.74 грн
10+85.29 грн
100+57.48 грн
500+42.79 грн
1000+39.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 12202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+64.95 грн
500+47.85 грн
1500+40.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 34242 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 30A; Idm: 60A; 33W
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate charge: 29nC
On-state resistance: 23.5mΩ
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 30A
Power dissipation: 33W
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 100V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS890DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.0235 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0235ohm
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+171.51 грн
50+110.55 грн
100+73.56 грн
500+54.57 грн
1500+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS890DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23.5mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 802 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+38.34 грн
6000+34.48 грн
9000+33.24 грн
15000+30.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.033 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 16001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.74 грн
11+77.79 грн
100+51.86 грн
500+37.89 грн
1000+31.91 грн
5000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 18376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.00 грн
10+70.65 грн
100+47.17 грн
500+34.81 грн
1000+31.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 36384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 28A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.88 грн
6000+27.67 грн
9000+26.61 грн
15000+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 28A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+74.37 грн
25+72.88 грн
100+55.44 грн
250+50.85 грн
500+43.74 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS892ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 28 A, 0.033 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 28A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 16001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.86 грн
500+37.89 грн
1000+31.91 грн
5000+27.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS892DN-T1-GE3 - MOSFET, N CHANNEL, 100V, 30A, POWERPAK 1
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - Unlimited
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+63.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V
на замовлення 17502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+93.82 грн
100+63.58 грн
500+47.53 грн
1000+43.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
173+81.95 грн
175+81.13 грн
203+69.68 грн
250+66.80 грн
500+52.96 грн
1000+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 173 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+42.79 грн
6000+38.55 грн
9000+37.20 грн
15000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100V 30A 43W 29 mohms @ 10V
на замовлення 3401 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 100V 30A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+92.67 грн
10+81.95 грн
25+81.13 грн
100+67.19 грн
250+61.85 грн
500+50.84 грн
1000+47.68 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS894DN-T1-E3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS894DN-T1-GE3
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS900SIS
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS900A2CN-F-DSIS
на замовлення 11500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS902DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS902DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+81.28 грн
13+62.51 грн
25+61.89 грн
100+46.03 грн
250+42.25 грн
500+35.32 грн
1000+30.70 грн
3000+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.84 грн
6000+27.66 грн
9000+27.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS903DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0167 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 20V 6A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 4338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.51 грн
229+61.89 грн
297+47.74 грн
299+45.63 грн
500+36.79 грн
1000+30.70 грн
3000+29.38 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2565pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.1mOhm @ 5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 16758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.44 грн
10+69.97 грн
100+46.85 грн
500+34.66 грн
1000+31.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3
Код товару: 182732
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS903DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS903DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0167 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 6
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 23
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0167
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9122DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.52 грн
20+42.67 грн
100+27.72 грн
500+19.78 грн
1000+16.51 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 30V Vds 12V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 16011 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS932EDN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 6 A, 6 A, 0.018 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.018ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 23W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.018ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.44 грн
500+13.21 грн
1000+11.98 грн
5000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS932EDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET 2N-CH 30V 6A PPAK 1212
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 10A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2.6W (Ta), 23W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
10+36.31 грн
100+25.25 грн
500+18.50 грн
1000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9446DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+132.49 грн
10+84.54 грн
100+56.66 грн
500+38.34 грн
1000+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS9446DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIS9446DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 40 V, 34 A, 9800 µohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9800µohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 23W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2047 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.66 грн
500+38.34 грн
1000+32.75 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS950SIS
на замовлення 522 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16  [ Наступна Сторінка >> ]