Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 90 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3J331R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 76889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.28 грн
100+10.86 грн
500+7.59 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LFToshibaMOSFETs P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -20VDSS 630pF
на замовлення 6425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.24 грн
29+26.30 грн
100+10.15 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.28 грн
6000+5.47 грн
9000+5.17 грн
15000+4.55 грн
21000+4.36 грн
30000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
798+17.74 грн
828+17.09 грн
1000+16.54 грн
Мінімальне замовлення: 798 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 1535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+17.68 грн
806+17.57 грн
953+14.85 грн
1009+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J331R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+11.88 грн
24000+11.78 грн
30000+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.92 грн
24000+11.81 грн
30000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J331R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4 A, 0.055 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.055ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 15497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J331RLF(TToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332RToshibaTransistor P-Channel MOSFET; 30V; 12V; 42mOhm; 6A; 1W; -55°C~150°C; Substitute: SSM3J332R,LXGF(T; SSM3J332R,LF(T; SSM3J332R TSSM3j332r
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
150+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332RUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 1217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.95 грн
23+13.13 грн
100+8.18 грн
500+5.67 грн
1000+5.02 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332RToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332RUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LFTOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 3996 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.26 грн
9000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LFToshibaMOSFETs SM Sig P-CH MOS 12V VGSS -6A -30VDSS
на замовлення 63327 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LFToshibaP-канальний ПТ, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 560 @ 15, Qg, нКл = 8,2 @ 4,5 В, Rds = 42 мОм @ 5 A, 10 В, Ugs(th) = 1,2 В @ 1 мА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23F-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 15 V
на замовлення 81558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.21 грн
50+12.41 грн
100+10.17 грн
500+7.57 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(BToshibaMOSFET Silicon P-Channel Mos
на замовлення 7677 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1601+8.83 грн
1656+8.54 грн
2500+8.29 грн
5000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 1601 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 12675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(TToshibaP-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 560, Qg, нКл = 8,2, Rds = 144 мОм, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT23F Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(T
Код товару: 170575
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(TTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -6A; 1W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -6A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 144mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 4115 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
40+12.64 грн
60+7.21 грн
100+6.46 грн
500+5.79 грн
3000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J332R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.042 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 12675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332R,LF(TToshibaMOSFET P-CH 30V 6A SOT23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J332RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334RToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 65010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.28 грн
6000+5.47 грн
9000+5.17 грн
15000+4.55 грн
21000+4.36 грн
30000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 7499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1721+8.22 грн
1864+7.59 грн
2033+6.96 грн
2236+6.10 грн
3000+5.08 грн
6000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 1721 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LFTOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2127 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 7499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+15.31 грн
84+9.03 грн
86+8.86 грн
100+7.93 грн
250+6.78 грн
500+5.96 грн
1000+5.42 грн
3000+4.88 грн
6000+4.33 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 71mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
на замовлення 65121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.78 грн
18+17.28 грн
100+10.86 грн
500+7.59 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LFToshibaMOSFETs P-Ch U-MOSVI FET ID -4A -30VDSS 280pF
на замовлення 45304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 4675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1128+12.54 грн
1167+12.13 грн
2500+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 1128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF(TToshibaMOSFET P-Ch 30V 4A 1.8V Drive SOT-23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J334R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.071 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.054ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.071ohm
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 4A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 7578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1733+8.17 грн
1786+7.92 грн
1788+7.91 грн
2000+7.42 грн
6000+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 1733 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J334RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338RToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V
на замовлення 267701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
14+23.02 грн
50+16.73 грн
100+13.76 грн
500+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.6mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 6 V
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.68 грн
9000+7.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LFToshibaSSM3J338R,LF SSM3J338R MOSFET P-CH 12V 6A SOT23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET Vdss= -12V, ID= -6A
на замовлення 223772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF
Код товару: 127792
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF : SSM3J338R,LF(TToshibaMOSFET P-CH 12V 6A SOT23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
840+16.85 грн
872+16.24 грн
1000+15.71 грн
2500+14.70 грн
Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 1817 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
840+16.85 грн
872+16.24 грн
1000+15.71 грн
Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0176 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0139ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0176ohm
на замовлення 56030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 12V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 6777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1339+10.57 грн
1565+9.04 грн
1652+8.56 грн
2000+7.66 грн
6000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 1339 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J338R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 6 A, 0.0176 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0176ohm
на замовлення 56030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J338RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LFToshibaSilicon P-Channel MOS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 17495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
19+16.61 грн
100+10.42 грн
500+7.27 грн
1000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 492 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.00 грн
6000+5.23 грн
9000+4.94 грн
15000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LFToshibaSilicon P-Channel MOS
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LFToshibaMOSFET Sm Low ON Resistance SOT-23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LFToshibaMOSFETs Sm Low ON Resistance SOT-23F
на замовлення 5791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J340R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J340R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351RToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R LXHFToshibaMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 20439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
12+27.32 грн
50+19.88 грн
100+16.38 грн
500+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 19800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.42 грн
9000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J351R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.134 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 41974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
780+18.15 грн
785+18.04 грн
960+14.74 грн
1026+13.30 грн
2000+12.21 грн
3000+11.11 грн
6000+10.51 грн
12000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J351R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.134 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.17 грн
6000+8.93 грн
9000+8.50 грн
15000+7.51 грн
21000+7.24 грн
30000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHFToshibaMOSFETs P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
на замовлення 107792 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 41990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
12+26.57 грн
100+16.98 грн
500+12.04 грн
1000+10.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHF(B,ToshibaToshiba MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351RLF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351RLXGF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351RLXHF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V
на замовлення 21973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
18+16.91 грн
100+10.60 грн
500+7.40 грн
1000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J352F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 600mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 90 100 102  [ Наступна Сторінка >> ]