Продукція > SSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 90 100  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SSM3J340R,LFToshibaMOSFET Sm Low ON Resistance SOT-23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J340R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.58 грн
50+16.50 грн
100+10.40 грн
500+7.21 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J340R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J340R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4 A, 0.045 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 1W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 3678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.40 грн
500+7.21 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351RToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R LXHFToshibaMOSFET MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 12846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
13+23.40 грн
100+14.89 грн
500+10.53 грн
1000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 3.5A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.85 грн
6000+7.76 грн
9000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID -3.5A, -60V VDSS
на замовлення 225486 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(BToshibaSSM3J351R,LF(B
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
430+32.95 грн
448+31.62 грн
500+30.48 грн
1000+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 430 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+17.70 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J351R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.134 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
на замовлення 9805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.04 грн
50+27.56 грн
100+21.70 грн
500+14.57 грн
1500+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 41974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
780+18.15 грн
785+18.04 грн
960+14.74 грн
1026+13.30 грн
2000+12.21 грн
3000+11.11 грн
6000+10.51 грн
12000+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 780 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J351R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.134 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.129ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.37 грн
500+57.06 грн
1500+46.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.14 грн
10+36.76 грн
100+23.85 грн
500+17.19 грн
1000+15.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHFToshibaMOSFET P Channel -60V -3.5A AECQ MOSFET
на замовлення 11564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -60V -3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.37 грн
6000+12.73 грн
9000+12.17 грн
15000+10.82 грн
21000+10.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 3.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351R,LXHF(B,ToshibaToshiba MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351RLF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351RLXGF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J351RLXHF(TToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Supplier Device Package: S-Mini
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
18+16.91 грн
100+10.60 грн
500+7.40 грн
1000+6.58 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-2A VDSS=-20V
на замовлення 21973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1mA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J352F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 600mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.65 грн
500+6.79 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J352F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.11 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
Verlustleistung: 600mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.11ohm
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.39 грн
49+16.91 грн
100+10.65 грн
500+6.79 грн
1000+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J352F,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 2A 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J353F,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID -2A, VDSS -30V
на замовлення 5649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J353F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 159 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J353F,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 30V 2A S-MINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: S-Mini
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +20V, -25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 159 pF @ 15 V
на замовлення 2123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.22 грн
19+16.61 грн
100+10.44 грн
500+7.29 грн
1000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J353F,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH Si 30V 2A S-Mini
на замовлення 3311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
766+18.47 грн
795+17.81 грн
1000+17.23 грн
2500+16.12 грн
Мінімальне замовлення: 766 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J353F,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J353F,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 2 A, 0.15 ohm, SOT-346, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-346
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.32 грн
44+18.70 грн
100+9.27 грн
500+7.22 грн
1000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355RToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LFToshibaP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1030 @ 10, Rds = 30,1 мОм @ 4 A, 4,5 В, Ugs(th) = 1 В @ 1 мА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = до 150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23F-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 2699 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SOT-23F
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.56 грн
6000+5.72 грн
9000+5.42 грн
15000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
на замовлення 236396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LFToshibaSMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30.1mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1030 pF @ 10 V
на замовлення 28735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+17.81 грн
100+11.27 грн
500+7.90 грн
1000+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LF(TTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; Idm: 24A; 2W; SOT23F; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 52.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J355R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0301 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0301ohm
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.08 грн
50+18.37 грн
100+11.70 грн
500+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 228 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J355R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0301 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 2W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0301ohm
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.70 грн
500+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355R,LF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J355RLF(TToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356RToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R LXHFToshibaMOSFETs SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+14.69 грн
79+9.55 грн
80+9.46 грн
100+8.30 грн
250+6.94 грн
500+5.93 грн
1000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LFToshibaMOSFETs Small-signal MOSFET ID: -2A, VDSS: -60V
на замовлення 62117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 240000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.58 грн
6000+5.74 грн
9000+5.43 грн
15000+4.78 грн
21000+4.59 грн
30000+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1496+9.46 грн
1643+8.61 грн
1821+7.77 грн
2044+6.67 грн
2326+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 1496 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF
Код товару: 202544
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LFToshibaMOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 2A SOT-23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
на замовлення 240513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
17+17.96 грн
100+11.33 грн
500+7.93 грн
1000+7.06 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF(BToshibaTrans MOSFET P-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23F
на замовлення 325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J356R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 1W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.28ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 23463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.14 грн
500+10.57 грн
1500+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J356R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 23463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.50 грн
50+16.83 грн
100+14.14 грн
500+10.57 грн
1500+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 629 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXGF(TToshibaTrans MOSFET P-CH 60V 2A 3-Pin SOT-23F T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
559+113.15 грн
Мінімальне замовлення: 559 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXGF(TTOSHIBACategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; 60V; 2A; 2W; SOT23F
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2W
Case: SOT23F
Gate-source voltage: 10V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.76 грн
13+24.23 грн
100+15.50 грн
500+11.00 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.01 грн
6000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 2A 3-Pin SOT-23F Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHFToshibaMOSFETs P Channel -60V -2A AECQ MOSFET
на замовлення 5719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF(BToshiba SOT23 P CHAN 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF(BToshibaSSM3J356R,LXHF(B
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
930+15.22 грн
965+14.67 грн
1000+14.19 грн
Мінімальне замовлення: 930 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J356R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.74 грн
500+11.85 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356R,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J356R,LXHF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2 A, 0.3 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+42.67 грн
31+26.25 грн
100+16.74 грн
500+11.85 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356RLF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356RLXGF(TToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J356RLXHF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358RToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LF
Код товару: 168844
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LFToshibaSMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V
на замовлення 32559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+18.34 грн
100+11.60 грн
500+8.15 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-6A VDSS=-20V
на замовлення 219511 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-3 Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.1mOhm @ 6A, 8V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 8V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.5 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1331 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.59 грн
6000+5.75 грн
9000+5.46 грн
15000+4.80 грн
21000+4.62 грн
30000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LFToshibaP-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 6 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1331 @ 10, Qg, нКл = 38,5 @ 8 В, Rds = 22,1 мОм @ 6 A, 8 В, Ugs(th) = 1 В @ 1 мА, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23F-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 2497 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LF(TToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 6A 3-Pin SOT-23F T/R
на замовлення 2788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1240+11.41 грн
1457+9.71 грн
1523+9.29 грн
2000+8.37 грн
Мінімальне замовлення: 1240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J358R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0221 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358R,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - SSM3J358R,LF(T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.0221 ohm, SOT-23F, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-23F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0221ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 11631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.42 грн
50+22.19 грн
100+14.14 грн
500+9.81 грн
1500+7.94 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J358RLF(TToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFSToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFS,LFToshibaMOSFETs LowON Res MOSFET ID=-.25A VDSS=-20V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFS,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 16359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
33+9.28 грн
100+5.75 грн
500+3.95 грн
1000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFS,LFToshibaTrans MOSFET P-CH Si 20V 0.25A 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SSM3J35AFS,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 20V 250MA SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 100µA
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.18 грн
6000+2.74 грн
9000+2.58 грн
15000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 20 30 40 50 60 70 74 75 76 77 78 79 80 81 82 83 84 90 100  [ Наступна Сторінка >> ]