Продукція > Si7

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 15 18 21 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI7113DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 94769 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+87.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 13.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-E3VISHAY09+ SOP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 13.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.82 грн
10+100.42 грн
25+53.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 4928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 13.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.51 грн
10+100.81 грн
100+68.45 грн
500+51.24 грн
1000+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 13.2A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+46.20 грн
6000+42.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7113DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 13.2 A, 0.134 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.134ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4687 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+57.95 грн
279+50.85 грн
291+48.69 грн
500+44.40 грн
1000+38.96 грн
2000+35.55 грн
3000+34.73 грн
6000+33.49 грн
12000+31.63 грн
Мінімальне замовлення: 245 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7114ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 18.3 A, 7500 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 60A; 39W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: PowerPAK® 1212-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 32nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1230 pF @ 15 V
на замовлення 24903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.84 грн
10+62.08 грн
100+47.58 грн
500+35.29 грн
1000+28.24 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 11085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DNVISHAY
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-E3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V
на замовлення 9821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-E3VISHAY08+
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 18.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 4.5 V
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.43 грн
10+114.24 грн
100+78.08 грн
500+58.76 грн
1000+54.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET 30V 18.3A 3.8W 7.5mohm @ 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+202.66 грн
78+181.78 грн
81+174.62 грн
100+138.35 грн
250+125.22 грн
500+99.36 грн
1000+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+60.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.66 грн
10+181.78 грн
25+174.62 грн
100+138.35 грн
250+125.22 грн
500+99.36 грн
1000+84.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 8832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 8975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.61 грн
10+108.95 грн
100+77.99 грн
500+60.31 грн
1000+56.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 3238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -150V; -8.9A; Idm: -15A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: PowerPAK® 1212-8
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -8.9A
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 0.295Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 33W
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+191.08 грн
10+114.42 грн
100+80.42 грн
250+70.48 грн
500+64.67 грн
1000+63.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.91 грн
132+107.73 грн
148+96.05 грн
200+89.10 грн
500+82.29 грн
1000+73.65 грн
2000+70.52 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7115DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 150 V, 8.9 A, 0.295 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.295ohm
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3
Код товару: 102378
Додати до обраних Обраний товар
VishayТранзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 150V 8.9A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+95.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7115DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 8.9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 295mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1190 pF @ 50 V
на замовлення 576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.38 грн
10+123.27 грн
100+84.88 грн
500+64.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7116BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 6000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 62.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.006ohm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 11184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116BDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 18.4A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116BDN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 18.4A/65A PPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116BDN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 40V (D-S) MOSFET
на замовлення 25204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116BDN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7116BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 65 A, 6000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 65A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
на замовлення 11184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116BDN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 18.4A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DNVISHAY
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V
на замовлення 13558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.42 грн
10+134.32 грн
100+92.76 грн
500+70.37 грн
1000+67.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-E3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-E3
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+64.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-GE3
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 5043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.60 грн
10+143.20 грн
100+99.12 грн
500+75.33 грн
1000+69.65 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 40V 10.5A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 40V 16.4A 3.8W 7.8mohm @ 10V
на замовлення 6449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 80172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.83 грн
10+82.90 грн
100+55.74 грн
500+41.41 грн
1000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 2097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -150V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 11926 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7117DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 150V 2.17A PPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.17A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.83 грн
10+82.90 грн
100+55.74 грн
500+41.41 грн
1000+37.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 50 V
на замовлення 33188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.59 грн
10+67.68 грн
100+45.08 грн
500+33.20 грн
1000+30.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-E3Vishay SemiconductorsMOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 15245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 50 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+29.38 грн
6000+26.29 грн
9000+25.28 грн
15000+22.65 грн
21000+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7119DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.8 A, 1.05 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 50 V
на замовлення 15412 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.49 грн
10+66.19 грн
100+44.06 грн
500+32.45 грн
1000+29.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7119DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 3.8 A, 1.05 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.05ohm
на замовлення 4622 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 3.8A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.71 грн
6000+25.70 грн
9000+24.71 грн
15000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7119DN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 90259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120ADN-T1-GE3
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7120ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.13 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
на замовлення 5981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.33 грн
10+94.69 грн
100+68.46 грн
500+51.24 грн
1000+47.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120ADN-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
на замовлення 23848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7120ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7120ADN-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI7120ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0175 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7120ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.05 грн
120+117.87 грн
161+88.34 грн
271+50.43 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120ADN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7120ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 6.3A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+181.19 грн
10+119.05 грн
25+117.87 грн
100+85.19 грн
250+46.69 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7120DN-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120DN-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120DN-T1-GE3
на замовлення 25500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7121ADN-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 30V 12A 8-Pin PowerPAK 1212 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 15 18 21 24 27 30 33 36  [ Наступна Сторінка >> ]