Продукція > IXT

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IXTH102N15TIXYSMOSFETs TO247 150V 102A N-CH TRENCH
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 102A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N20TIXYSMOSFETs 102 Amps 200V 22 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N20TIXYSDescription: MOSFET N-CH 200V 102A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N25TIXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 102A TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH102N25TIXYSMOSFET 102 Amps 250V 29 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100DIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1715.93 грн
10+1669.44 грн
25+1110.90 грн
100+1006.09 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 695W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V
на замовлення 647 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1241.84 грн
30+838.89 грн
120+799.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 695W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1462.60 грн
5+1365.95 грн
10+1268.50 грн
50+1088.15 грн
100+920.91 грн
250+838.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2IXYSMOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1655.09 грн
10+1132.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10N100D2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1733.22 грн
5+1715.93 грн
10+1669.44 грн
25+1110.90 грн
100+1006.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1208.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1208.68 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50IXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PIXYSMOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+621.77 грн
10+396.15 грн
120+304.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PLittelfuseTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+592.57 грн
30+363.84 грн
120+308.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+927.42 грн
25+781.89 грн
30+771.31 грн
120+674.87 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50PTO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P50P.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH10P50P. - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: P Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+707.14 грн
25+571.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1547.44 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60IXYSDescription: MOSFET P-CH 600V 10A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+953.71 грн
30+556.81 грн
120+477.61 грн
510+404.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1054.15 грн
10+828.06 грн
25+827.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1174.27 грн
5+1047.82 грн
10+920.57 грн
50+737.40 грн
100+634.42 грн
250+593.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1108.03 грн
25+1056.87 грн
50+1014.34 грн
100+943.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60IXYSMOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+910.90 грн
10+552.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH10P60LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1336.49 грн
12+1230.10 грн
25+1180.43 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2IXYSMOSFETs L2 Linear Power MOSFET
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1556.03 грн
10+1255.94 грн
120+954.05 грн
510+944.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2IXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 110A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1330.37 грн
30+805.93 грн
120+725.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2LittelfuseTrans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO247-3; 230ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 110A
Power dissipation: 600W
Case: TO247-3
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 260nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 230ns
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N10L2.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH110N10L2. - MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-247
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 110A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 600W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LinearL2 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1527.03 грн
5+1445.69 грн
10+1365.15 грн
25+1192.85 грн
100+1032.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1031.09 грн
16+905.31 грн
25+856.08 грн
100+785.32 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 250V 110A TO247
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 694W (Tc)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+713.73 грн
30+548.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25TIxys CorporationTrans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 110A
Power dissipation: 694W
Case: TO247-3
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 157nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 170ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+682.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+675.64 грн
25+646.61 грн
50+621.97 грн
100+579.41 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25TIXYSMOSFETs 110 Amps 250V
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+865.00 грн
10+529.53 грн
120+403.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH110N25TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1031.09 грн
10+905.31 грн
25+856.08 грн
100+785.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50TO-247AD Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+698.27 грн
Мінімальне замовлення: 90 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50IXYSMOSFETs -11 Amps -500V 0.75 Rds
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1100.98 грн
10+765.31 грн
120+571.60 грн
510+526.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50Ixys CorporationTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1284.63 грн
14+1082.21 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50Littelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 500V 11A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+890.80 грн
30+551.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50LittelfuseTrans MOSFET P-CH Si 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+697.46 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH11P50IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -11A; 300W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -11A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+817.93 грн
3+693.03 грн
10+584.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 120A TO247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120N20X4IXYSDescription: MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 417W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+502.48 грн
30+373.44 грн
120+358.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120N20X4IXYSMOSFETs 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-247 package, MOSFET
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+918.96 грн
10+675.60 грн
120+419.04 грн
510+413.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TIxys CorporationTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+956.53 грн
20+713.10 грн
30+687.96 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TIXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
Case: TO247-3
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Gate charge: 185nC
Reverse recovery time: 53ns
On-state resistance: 10mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 298W
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+653.27 грн
10+414.65 грн
30+377.26 грн
60+373.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TLittelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+584.03 грн
30+348.53 грн
120+299.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TIXYSMOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+611.30 грн
10+346.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065TLittelfuseTrans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+923.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH120P065T.LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTH120P065T. - MOSFET, P-CH, 65V, 120A, TO-247
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+703.11 грн
25+554.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05Ohm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100IXYSMOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100LIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 12A; 400W; TO247-3; 1us
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 12A
Power dissipation: 400W
Case: TO247-3
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 1µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100LIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1662.00 грн
30+1020.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100LLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 500mA, 20V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100LIXYSMOSFETs 12 Amps 1000V 1.3 Ohms Rds
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1743.69 грн
10+1318.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100LLittelfuseTrans MOSFET N-CH 1KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100QIXYSMOSFET 12 Amps 1000V 1.05 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N100QIXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 12A TO247
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N120IXYSMOSFETs 12 Amps 1200V 1.300 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N120Транзистори
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+1047.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N120IXYSDescription: MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Box
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N120
Код товару: 62244
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N140Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1457.57 грн
30+956.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N150Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1500V 12A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 890W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N150MOSFET 1500В 12А TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N150LittelfuseTrans MOSFET N-CH 1.5KV 12A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1457.57 грн
30+956.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N150IXYSMOSFET >1200V High Voltage Power MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 621-630 дні (днів)
1+1185.55 грн
10+1064.61 грн
30+906.42 грн
120+755.23 грн
270+753.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N65X2IXYSMOSFETs TO247 650V 12A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N65X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.66 грн
30+252.18 грн
120+221.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N65X2IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 12A; 180W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
Power dissipation: 180W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.7nC
Reverse recovery time: 270ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N70X2IXYSDescription: MOSFET N-CH 700V 12A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N70X2IXYSMOSFETs TO247 700V 12A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N90IXYSMOSFET 12 Amps 900V 0.9 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH12N90IXYSDescription: MOSFET N-CH 900V 12A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N10TIXYSMOSFETs 130 Amps 100V 8.5 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N10TIXYSDescription: MOSFET N-CH 100V 130A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15TMOSFET, N-CH, 150V, 130A, TO-247 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15TIXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 113 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 750W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15TIXYSMOSFETs 130 Amps 150V 12 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15X4IXYSMOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+957.62 грн
10+831.20 грн
120+640.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15X4LittelfuseX4-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N15X4IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO247
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-247
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N20TLittelfuseTrans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N20TLittelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+653.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTH130N20TIXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 830W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 150ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 18 21 24 27 30 33 34  [ Наступна Сторінка >> ]