Продукція > IXT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IXTC26N50P | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 15A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTC280N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 145A ISOPLUS220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTC36P15P | IXYS | Description: MOSFET P-CH 150V 22A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTC62N15P | IXYS | Description: MOSFET N-CH ISOPLUS-220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTC72N30T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 300V 72A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTC75N10 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220 Packaging: Tube Package / Case: ISOPLUS220™ Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 37.5A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS220™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTC75N10 | IXYS | MOSFETs 75 Amps 100V 0.02 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTD1R4N60P 11 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 1.4A DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTD2N60P-1J | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 2A DIE Packaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTD3N50P-2J | IXYS | Description: MOSFET N-CH 500V 3A DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTD3N60P-2J | IXYS | Description: MOSFET N-CH 600V 3A DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTD4N80P-3J | IXYS | Description: MOSFET N-CH 800V 3.6A DIE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTD5N100A | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 5A DIE Packaging: Tube Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Supplier Device Package: Die Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTE250N10 | IXYS | MOSFET 250 Amps 100V 0.005 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTE250N10 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 250A SOT227B Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250A Power Dissipation (Max): 730W Supplier Device Package: SOT-227B Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF02N450 Код товару: 147768
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXTF02N450 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 4.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) ISOPLUS I4-PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF02N450 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA I4PAC Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750Ohm @ 10mA, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 256 pF @ 25 V | на замовлення 136 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTF02N450 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTF02N450 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 4.5 kV, 200 mA, 750 ohm, ISOPLUS i4-PAK, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF02N450 | IXYS | MOSFETs 4500V 200mA HV Power MOSFET | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF03N400 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 4000V 300MA I4PAC Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 4000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF1N250 | IXYS | MOSFET 2500V 1A HV Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF1N250 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 2500V 1A ISOPLUS I4 Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 110W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 2500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF1N250 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH Si 2.5KV 1A 3-Pin ISOPLUS I4-PAC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF1N400 | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXTF1N400 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 4000V 1A ISOPLUS I4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF1N450 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTF1N450 - MOSFET, N-CH, 4.5KV, 0.9A, ISOPLUS-I4 tariffCode: 0 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 4.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: ISOPLUS i4-PAK Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 80ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF1N450 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 4500V 900MA I4PAC Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 25 V | на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTF1N450 | IXYS | MOSFETs 4500V 0.9A HV Power MOSFET | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF1R4N450 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 4500V 1.4A I4PAC Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 (3 Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 50mA, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF1R4N450 | IXYS | MOSFETs ISOPLUS 4.5KV 1.4A N-CH HIVOLT | на замовлення 239 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF200N10T | IXYS | MOSFETs 200 Amps 100V 5.4 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF200N10T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 90A I4-PAC-5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF230N085T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 85V 130A I4PAC Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250mA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 85 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 187 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF250N075T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 75V 140A I4PAC Packaging: Tube Package / Case: i4-Pac™-5 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9900 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF280N055T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 55V 160A I4PAC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF2N300P3 | IXYS | Description: MOSFET N-CH | на замовлення 2550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF2N300P3 | IXYS | MOSFET DISC MSFT N-CH STD-POLAR3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF6N200P3 | IXYS | MOSFET MSFT N-CH STD-POLAR3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTF6N200P3 | IXYS | Description: MOSFET N-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH02N250 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH02N250 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247 | на замовлення 2384 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH02N250 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 2.5kV; 0.2A; 83W; TO247-3; 1.5us Power dissipation: 83W Polarisation: unipolar Features of semiconductor devices: standard power mosfet Drain current: 0.2A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 2.5kV Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO247-3 On-state resistance: 450Ω Reverse recovery time: 1.5µs Mounting: THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH02N250 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH02N250 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH02N250 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH02N250 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 2.5 kV, 200 mA, 450 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 2.5kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 83W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 450ohm | на замовлення 1074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH02N250 | IXYS | MOSFETs High Voltage Power MOSFET; 2500V, 0.2A | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH02N250 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 2.5KV 0.2A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH02N450HV | IXYS | MOSFETs TO247 4.5KV .2A N-CH HIVOLT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH02N450HV | Littelfuse | High Voltage Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH02N450HV | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 4500V 200MA TO247HV Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 625Ohm @ 10mA, 10V Power Dissipation (Max): 113W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247HV Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 4500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 246 pF @ 25 V | на замовлення 248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH02N450HV | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 4.5kV; 0.2A; 113W; TO247HV; 1.6us Case: TO247HV Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 1.6µs Drain current: 0.2A On-state resistance: 625Ω Power dissipation: 113W Drain-source voltage: 4.5kV Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH04N300P3HV | Littelfuse Inc. | Description: MOSFET N-CH 3000V 400MA TO247HV Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Variant Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247HV Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 3000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 283 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH04N300P3HV | IXYS | MOSFETs TO247 3KV .4A N-CH POLAR | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH102N15T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH102N15T | IXYS | MOSFETs TO247 150V 102A N-CH TRENCH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH102N20T | IXYS | MOSFETs 102 Amps 200V 22 Rds | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH102N20T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 102A TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH102N25T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V 102A TO-247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH102N25T | IXYS | MOSFET 102 Amps 250V 29 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH10N100D | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH10N100D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH10N100D2 | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH10N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 10 A, 1.5 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 695W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH10N100D2 | IXYS | MOSFETs TO247 1KV 10A N-CH DEPL | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH10N100D2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 1000V 10A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 695W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5320 pF @ 25 V | на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH10N100D2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 10A; 695W; TO247-3; 70ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 10A Power dissipation: 695W Case: TO247-3 On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 200nC Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 70ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH10N100D2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH10P50 | IXYS | Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH10P50 | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH10P50 | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH10P50P | TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXTH10P50P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH10P50P | IXYS | Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH10P50P | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH10P50P | Ixys Corporation | Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH10P50P | IXYS | MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH10P50P. | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH10P50P. - MOSFET, P-CH, 500V, 10A, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm directShipCharge: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH10P60 | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH10P60 | IXYS | Description: MOSFET P-CH 600V 10A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH10P60 | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH10P60 | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH10P60 | IXYS SEMICONDUCTOR | Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTH10P60 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 600 V, 10 A, 1 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) | на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH10P60 | IXYS | MOSFETs -10 Amps -600V 1 Rds | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH10P60 | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH10P60 | TO-247 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IXTH10P60 | Littelfuse | Trans MOSFET P-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH10P60. | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH10P60. - DISC MOSFET P CHANNEL-STD TO-247AD TUBE tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 300W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: P Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH110N10L2 | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 110A; 600W; TO247-3; 230ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 110A Power dissipation: 600W Case: TO247-3 On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 260nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 230ns | на замовлення 298 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH110N10L2 | IXYS | MOSFETs L2 Linear Power MOSFET | на замовлення 533 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH110N10L2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH110N10L2 | IXYS | Description: MOSFET N-CH 100V 110A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 600W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V | на замовлення 1576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH110N10L2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH110N10L2. | LITTELFUSE | Description: LITTELFUSE - IXTH110N10L2. - MOSFET, N-CH, 100V, 110A, TO-247 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 600W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: LinearL2 Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: N Channel Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm directShipCharge: 25 | на замовлення 111 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH110N25T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH110N25T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH110N25T | IXYS | Description: MOSFET N-CH 250V 110A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 694W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 (IXTH) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V | на замовлення 1252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH110N25T | Ixys Corporation | Trans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH110N25T | IXYS | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 110A; 694W; TO247-3; 170ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 110A Power dissipation: 694W Case: TO247-3 On-state resistance: 26mΩ Mounting: THT Gate charge: 157nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 170ns Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IXTH110N25T | IXYS | MOSFETs 110 Amps 250V | на замовлення 587 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IXTH110N25T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 250V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247AD | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|