Продукція > SIR

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIR510DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.003ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.29 грн
500+70.35 грн
1000+63.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 5435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.55 грн
10+134.80 грн
100+93.50 грн
500+74.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR510DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 126 A, 3000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 126A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+151.19 грн
10+129.24 грн
100+94.29 грн
500+70.35 грн
1000+63.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT669 100V 126A N-CH MOSFET
на замовлення 10610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 81 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+69.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 126A; Idm: 300A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 81nC
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 126A
Pulsed drain current: 300A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR510DP-T1-RE3-XVishayVishay
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5110DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 59.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 6040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+86.97 грн
500+59.55 грн
1000+51.42 грн
5000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5110DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 47.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5110DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5110DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47.6 A, 0.0125 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 47.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 59.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0125ohm
на замовлення 6040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.90 грн
10+126.80 грн
100+86.97 грн
500+59.55 грн
1000+51.42 грн
5000+48.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5110DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 12.5 m a. 10V 12.3 m a. 7.5V
на замовлення 5583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5110DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 47.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR5112DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 14.9 mohm a. 10V 14.4 mohm a. 7.5V
на замовлення 3966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiR5112DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 42.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 5941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.41 грн
10+100.01 грн
100+79.60 грн
500+63.21 грн
1000+53.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR5112DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.9mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.6A (Ta), 42.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+56.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR512DP-T1-BE3VishayVishay N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR512DP-T1-BE3VishayMOSFETs SOT669 100V 100A N-CH MOSFET
на замовлення 2648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR512DP-T1-RE3VishayMOSFETs SOT669 100V 100A N-CH MOSFET
на замовлення 6286 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR512DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR512DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR512DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+99.98 грн
500+78.50 грн
1000+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR512DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6W (Ta), 96.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25.1A (Ta), 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+118.12 грн
100+82.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR512DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR512DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 4500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96.2W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.15 грн
10+143.06 грн
100+99.98 грн
500+78.50 грн
1000+71.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR514DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84.8 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 5.8 m 10V
на замовлення 5442 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR514DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84.8 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.21 грн
10+130.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR514DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84.8 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.95 грн
10+112.99 грн
100+77.38 грн
500+59.85 грн
1000+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-RE3VishayMOSFETs SOT669 100V 84.8A N-CH MOSFET
на замовлення 5438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.8A (Ta), 84.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+58.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR514DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 84.8 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 84.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 83.3W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
на замовлення 5205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+77.38 грн
500+59.85 грн
1000+54.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR514DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.8A (Ta), 84.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2550 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 5836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+78.42 грн
100+62.42 грн
500+52.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+78.03 грн
500+57.89 грн
1000+52.95 грн
5000+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-Channel 100 V (D-S) MOSFET 150 C 8 m 10V
на замовлення 5590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR516DP-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.39 грн
10+113.80 грн
100+78.03 грн
500+57.89 грн
1000+52.95 грн
5000+49.26 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR516DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+227.60 грн
10+155.25 грн
100+105.67 грн
500+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 100volts 63.7amp
на замовлення 4731 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.8A (Ta), 63.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 63.7A; Idm: 200A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 27nC
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 71.4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63.7A
Pulsed drain current: 200A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR516DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR516DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63.7 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 63.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0064ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.67 грн
500+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5203DP-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5205DP-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5208DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 20-V (D-S) 150C MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5211DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.60 грн
10+64.69 грн
100+43.02 грн
500+31.65 грн
1000+28.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5211DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+48.77 грн
500+35.55 грн
1000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5211DP-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 20 V (D-S) MOSFET POWE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 56.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31.2A (Ta), 105A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5211DP-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5211DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 105 A, 3200 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 56.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 3720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+104.86 грн
13+66.17 грн
100+44.06 грн
500+32.08 грн
1000+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5211DP-T1-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 20-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5308-0.3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5308-0.3W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5308-0.5
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5308-1W
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR532 24VDC SIR 532 24VDC---Производитель ELESTA GmbH Реле електромеханічні та геркони
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5402DP-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 8557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5402DP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.9A (Ta), 201.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.11 грн
10+98.42 грн
100+66.86 грн
500+50.08 грн
1000+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5402DP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49.9A (Ta), 201.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.6W (Ta), 92.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5325 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.19 грн
6000+40.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5404DP-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5406DP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.12 грн
6000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5406DP-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5406DP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33.3A (Ta), 126A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 71.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2675 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+68.99 грн
100+46.05 грн
500+33.97 грн
1000+31.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5408DP-T1-UE3Vishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5408DP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2243 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+28.56 грн
6000+25.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5408DP-T1-UE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28.8A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2243 pF @ 20 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.17 грн
10+65.89 грн
100+43.85 грн
500+32.29 грн
1000+29.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5607DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.2A (Ta), 90.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V
на замовлення 8812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.14 грн
10+148.09 грн
100+103.33 грн
500+84.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5607DP-T1-RE3Vishay SiliconixP-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5607DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22.2A (Ta), 90.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5020 pF @ 30 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+76.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5607DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5607DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 8249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.43 грн
10+178.01 грн
100+134.12 грн
500+101.14 грн
1000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5607DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
на замовлення 13798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5607DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET P-CH 60V 90.9A 8-Pin PowerPAK SO EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5607DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5607DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 90.9 A, 7000 µohm, PowerPAK SO-8S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 104W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-8S
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
на замовлення 8249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+134.12 грн
500+101.14 грн
1000+92.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5607DP-T1-UE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET
на замовлення 3012 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5623DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5623DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 37.1 A, 0.024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 37.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+165.01 грн
10+109.73 грн
100+75.27 грн
500+51.55 грн
1000+46.05 грн
5000+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR5623DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 37.1A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 30 V
на замовлення 10661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+106.73 грн
100+74.46 грн
500+55.99 грн
1000+51.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR5623DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 60 V (D-S) MOSFET POWE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 37.1A(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 30 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiR5623DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs P-Channel 60 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 24 mohm a. 10V, 46 mohm a. 4.5V
на замовлення 6951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR563ST3FXROHM04+
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR56SB3
на замовлення 2417 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR56SB3-Rohm (інфрачервоний світлодіод 5mm)
Код товару: 14584
Додати до обраних Обраний товар
Світлодіоди > Світлодіоди інфрачервоні
Розмір: 5 mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR56SB3F
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR56ST3
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 33.8A; Idm: 80A
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerPAK® SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 27mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 33.8A
Power dissipation: 65.7W
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5708DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.37 грн
10+94.29 грн
100+68.85 грн
500+50.80 грн
1000+43.06 грн
5000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.41 грн
127+111.69 грн
128+107.01 грн
250+98.43 грн
500+93.86 грн
1000+93.23 грн
3000+92.59 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+87.40 грн
100+61.21 грн
500+46.04 грн
1000+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3Vishay SemiconductorsMOSFETs SOT669 150V 33.8A N-CH MOSFET
на замовлення 16277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR5708DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 33.8 A, 0.019 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 33.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.85 грн
500+50.80 грн
1000+43.06 грн
5000+38.04 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 65.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta), 33.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+41.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5708DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 9.5A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+113.83 грн
10+113.12 грн
25+112.41 грн
50+107.70 грн
100+99.08 грн
250+94.49 грн
500+93.86 грн
1000+93.23 грн
3000+92.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs N-CHANNEL 150-V (D-S) MOSFET
на замовлення 5057 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) 175 C MOSF
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+94.24 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3Vishay SiliconixDescription: N-CHANNEL 150 V (D-S) MOSFET POW
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3740 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 77.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+94.46 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3VISHAYDescription: VISHAY - SIR570DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 77.4 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+117.05 грн
500+92.84 грн
1000+74.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT669 150V 77.4A N-CH MOSFET
на замовлення 6820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 77.4A; Idm: 200A
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 71nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 104W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 77.4A
Pulsed drain current: 200A
Case: PowerPAK® SO8
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR570DP-T1-RE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 19A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+181.89 грн
79+180.17 грн
80+178.45 грн
100+170.43 грн
250+156.27 грн
500+148.55 грн
1000+147.08 грн
Мінімальне замовлення: 78 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]