Продукція > AIK
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AIK | N/A | 06+ | на замовлення 17 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | |||||||||||||||
AIK12F02AN024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK12F02AN024-2M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.079" (2mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 1kHz | на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIK12F02AN024-Q65 | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 2MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.079" (2mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 1kHz | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIK12F02AN024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK12F02AP024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK12F02AP024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
AIK12N04AN024-2M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 1kHz | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIK12N04AN024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK12N04AN024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK12N04AN024-Q65 | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 1kHz | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIK12N04AP024-2M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M12 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.157" (4mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 1kHz | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIK12N04AP024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR M12-S4.0-NF-1030VD | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK12N04AP024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK12N04AP024-Q65 | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
AIK18F05AN024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK18F05AN024-2M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 5MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.197" (5mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 1kHz | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIK18F05AN024-Q65 | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 5MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.197" (5mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 500Hz | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIK18F05AN024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK18F05AP024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
AIK18F05AP024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | |||||||||||||||
AIK18N08AN024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK18N08AN024-2M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 500Hz | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIK18N08AN024-5M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK18N08AN024-5M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE CYLINDER Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: NPN-NO Shielding: Shielded Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Sensor Type: Inductive Indicator: No Indicator | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIK18N08AN024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK18N08AN024-Q65 | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 500Hz | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIK18N08AP024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK18N08AP024-2M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 500Hz | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIK18N08AP024-Q65 | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M18 Output Type: PNP-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.315" (8mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 500Hz | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIK18N08AP024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK30F10AN024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK30F10AN024-2M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 10MM CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.394" (10mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 300Hz | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIK30F10AN024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK30F10AN024-Q65 | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 10MM CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.394" (10mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 300Hz | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIK30F10AP024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK30F10AP024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK30N15AN024-2M | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.591" (15mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Cable Leads Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 300Hz | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIK30N15AN024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK30N15AN024-Q65 | Altech Corporation | Description: SENSOR PROX INDUCTIVE 15MM CYL Packaging: Bulk Package / Case: Cylinder, Threaded - M30 Output Type: NPN-NO, 3-Wire Sensing Distance: 0.591" (15mm) Shielding: Shielded Operating Temperature: -25°C ~ 70°C Termination Style: Connector Voltage - Supply: 10V ~ 30V Material - Body: Nickel-Plated Brass Sensor Type: Inductive Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13 Indicator: LED Response Frequency: 300Hz | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIK30N15AN024-Q65 | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK30N15AP024-2M | Altech | Proximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIK30N15AP024-Q65 | Altech | Proximity Sensors Proximity Sensor-M30 S15-NF-1030VDC250MA | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKB0 | VENTION | Category: HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt. Description: Adapter; HDMI 1.4; DVI-I (24+5) socket,HDMI plug; black Type of transition: adapter Version: HDMI 1.4 Cable/adapter structure: DVI-I (24+5) socket; HDMI plug Colour: black кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB0 | VENTION | Category: HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt. Description: Adapter; HDMI 1.4; DVI-I (24+5) socket,HDMI plug; black Type of transition: adapter Version: HDMI 1.4 Cable/adapter structure: DVI-I (24+5) socket; HDMI plug Colour: black | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB15N65DF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB15N65DF5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB15N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DISCRETE SWITCHES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB15N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs N | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB15N65DF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB15N65DF5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V Verlustleistung Pd: 105W euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB15N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | SP001686020 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKB15N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DISCRETE SWITCHES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB15N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | SP001686016 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKB15N65DH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB15N65DH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB15N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DISCRETE SWITCHES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB15N65DH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB15N65DH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V Verlustleistung Pd: 105W euEccn: NLR Verlustleistung: 105W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 30A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB15N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DISCRETE SWITCHES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB15N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs N | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB20N60CTATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB20N60CTATMA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 156 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB20N60CTATMA1 | Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 600V TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 156 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB20N60CTATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 156W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1000 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKB20N60CTATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | на замовлення 954 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB20N60CTATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 156W Case: D2PAK Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: SMD Gate charge: 0.12µC Kind of package: reel; tape Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKB20N60CTATMA1 | Infineon Technologies | IGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKB20N60CTATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB20N60CTATMA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 156 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB20N60CTATMA1 | Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 600V TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 156 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB30N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs N | на замовлення 781 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB30N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 650V TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 67 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W | на замовлення 1683 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB30N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | SP001612750 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKB30N65DF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V Verlustleistung Pd: 188W euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 55A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB30N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 650V TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 67 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO263-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 70 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 55 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 188 W | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKB30N65DF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 188W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB30N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | на замовлення 1486 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB30N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs N | на замовлення 1858 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB30N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB30N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | SP001612746 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKB40N65DF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V Verlustleistung Pd: 250W euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 74A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB40N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs N | на замовлення 1748 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB40N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Low Loss DuoPack, IGBT in TRENCHSTOPTM, fast recovery anti-parallel diode,Automotive AEC Q101 qualified,650V 20A | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKB40N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 40A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB40N65DF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB40N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 40A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB40N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | SP001686008 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKB40N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 40A TO263-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB40N65DH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB40N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT NPT 650V 40A TO263-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | на замовлення 2954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB40N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs N | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB40N65DH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V Verlustleistung Pd: 250W euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 74A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB50N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DISCRETE SWITCHES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB50N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs N | на замовлення 810 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB50N65DF5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB50N65DF5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.6 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V Verlustleistung Pd: 305W euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 80A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB50N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | SP001686004 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKB50N65DF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DISCRETE SWITCHES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB50N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DISCRETE SWITCHES Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB50N65DH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V Verlustleistung Pd: 305W euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 80A Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB50N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | SP001686000 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKB50N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: DISCRETE SWITCHES Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Supplier Device Package: PG-TO263-3-2 IGBT Type: NPT Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V | на замовлення 3979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB50N65DH5ATMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 305W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 1403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKB50N65DH5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | на замовлення 382 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKBE50N65RF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns Switching Energy: 0.12mJ (on), 0.09mJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 96 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 326 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKBE50N65RF5ATMA1 | Infineon Technologies | IGBTs N | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKBE50N65RF5ATMA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns Switching Energy: 0.12mJ (on), 0.09mJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V Gate Charge: 108 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 96 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 326 W Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKBE50N65RF5ATMA1 | Infineon Technologies | SIC_DISCRETE | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKC76753 | N/A | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
AIKD31551 | N/A | на замовлення 670 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
AIKP20N60CT | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKP20N60CTAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | на замовлення 387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKP20N60CTAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 156W Case: TO220-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 387 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKP20N60CTAKSA1 | Infineon Technologies | IGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKP20N60CTAKSA1 | Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 600V TO220-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 156 W | на замовлення 14130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKP20N60CTAKSA1 | Infineon Technologies | IGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKP20N60CTAKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKP20N60CTAKSA1 | Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 600V TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 156 W | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKQ100N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKQ100N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 600V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off) Test Condition: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V Gate Charge: 610 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A Power - Max: 714 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKQ100N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKQ100N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 100A Power dissipation: 714W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mounting: THT Gate charge: 610nC Kind of package: tube Turn-on time: 68ns Turn-off time: 321ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKQ100N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 100A Power dissipation: 714W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 400A Mounting: THT Gate charge: 610nC Kind of package: tube Turn-on time: 68ns Turn-off time: 321ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 240 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKQ120N60CT | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETE SWITCHES | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKQ120N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKQ120N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 120A Power dissipation: 833W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 480A Mounting: THT Gate charge: 772nC Kind of package: tube Turn-on time: 76ns Turn-off time: 343ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKQ120N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 120A Power dissipation: 833W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 480A Mounting: THT Gate charge: 772nC Kind of package: tube Turn-on time: 76ns Turn-off time: 343ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 240 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKQ120N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKQ120N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | на замовлення 480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKQ120N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKQ120N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off) Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V Gate Charge: 772 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A Power - Max: 833 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKQ120N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKQ120N75CP2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKQ120N75CP2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT and Emitter Controlled Diode Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKQ120N75CP2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 750V 150A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 120A Supplier Device Package: PG-TO247-3-46 Td (on/off) @ 25°C: 71ns/244ns Switching Energy: 6.82mJ (on), 3.8mJ (off) Test Condition: 470V, 120A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 731 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A Power - Max: 682 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKQ120N75CP2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKQ120N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 150 A, 1.3 V, 682 W, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 682W Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKQ200N75CP2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | на замовлення 1301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKQ200N75CP2XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKQ200N75CP2XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH 750V 200A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 89ns/266ns Switching Energy: 15.3mJ (on), 7mJ (off) Gate Charge: 1256 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A Power - Max: 576 W | на замовлення 214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKQ200N75CP2XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKQ200N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 200 A, 1.3 V, 1.071 kW, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.071kW Bauform - Transistor: TO-247 Plus Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 200A SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-22X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-22X-10LS-3 SoM | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-22X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-22X-10LS-3 SoM | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-22X-10LD-3 | eInfochips | Aikri-22X-10LS System on Module - SOM Development Kit 2000MHz CPU Kernel 5.4/Linux/Yocto Dunfell | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-22X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-22X-10LS-3 SoM | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-22X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-22X-10LS-3 SoM | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
AIKRI-22X-10LS-3 | eInfochips | QRB2210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-22X-10LS-3 | eInfochips | QRB2210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-22X-10LS-3 | eInfochips | QRB2210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-22X-90AD-4 | eInfochips | Dev kit with Aikri-22X-90AS-4 SoM | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-22X-90AD-4 | eInfochips | Dev kit with Aikri-22X-90AS-4 SoM | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
AIKRI-22X-90AD-4 | eInfochips | Dev kit with Aikri-22X-90AS-4 SoM | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-22X-90AD-4 | eInfochips | Aikri-22X-90AS System on Module - SOM Development Kit 2000MHz CPU Android 12/Kernel 4.19 | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-22X-90AS-4 | eInfochips | QCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-22X-90AS-4 | eInfochips | QCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-22X-90AS-4 | eInfochips | QCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC. | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-22X-90AS-4 | eInfochips | QCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-22X-90AS-4-1 | eInfochips | QCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC, No GPS. | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-40X-4LD-1 | eInfochips | QCS404 Development Kit | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-40X-4LD-1 | eInfochips | QCS404 Development Kit | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-40X-4LS-1 | eInfochips | QCS404 System on Module | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-40X-4LS-1 | eInfochips | QCS404 System on Module | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-40X-4LS-1 | eInfochips | QCS404 System on Module | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-40X-5LD-1 | eInfochips | System on Module - SOM Development Kit | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-40X-5LD-1 | eInfochips | System on Module - SOM Development Kit | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-40X-5LS-1 | eInfochips | QCS405 System on Module | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-40X-5LS-1 | eInfochips | QCS405 System on Module | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-42X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-10LS-3 SoM | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-42X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-10LS-3 SoM | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-42X-10LD-3 | eInfochips | Aikri-42X-10LS System on Module - SOM Development Kit 1800MHz/2000MHz CPU Kernel 5.4/Linux/Yocto Dunfell | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-42X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-10LS-3 SoM | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-42X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-10LS-3 SoM | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-42X-10LD-3 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-10LS-3 SoM | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
AIKRI-42X-10LD-3-1 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-10LS-3 SoM | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-42X-10LD-3-1 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-10LS-3 SoM | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-42X-10LD-3-1 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-10LS-3 SoM | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-42X-10LS-3 | eInfochips | QRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-42X-10LS-3 | eInfochips | QRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-42X-10LS-3 | eInfochips | QRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-42X-10LS-3 | eInfochips | QRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC. | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-42X-10LS-3-1 | eInfochips | QRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC, No GPS. | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-42X-90AD-4 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-90AS-4 SoM | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-42X-90AD-4 | eInfochips | Dev kit with QCS4290 processor based SoM. | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-42X-90AD-4 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-90AS-4 SoM | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | |||||||||||||||
AIKRI-42X-90AD-4 | eInfochips | Dev kit with Aikri-42X-90AS-4 SoM | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-42X-90AS-4 | eInfochips | QCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-42X-90AS-4 | eInfochips | QCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC. | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-42X-90AS-4 | eInfochips | QCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-42X-90AS-4-1 | eInfochips | QCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC, No GPS. | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-51X-65LD-8 | eInfochips | Dev kit with QRB5165 processor based SoM. | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-51X-65LD-8 | eInfochips | Dev kit with QRB5165 processor based SoM | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-51X-65LS-8 | eInfochips | QRB5165 processor, Linux OS, 8GB LPDDR5, 64GB UFS. | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-51X-65LS-8 | eInfochips | QRB5165 robotics-focused System on Module | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-54X-30MD | eInfochips | Aikri-54X-30MD | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-54X-30MD | eInfochips | Aikri-54X-30MD | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-54X-30MS | eInfochips | AIKRI-54X-30MS | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-54X-30MS-8 | eInfochips | QCS5430 processor, Android OS, 8GB LPDDR5, 128GB UFS | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-64X-90AD-8 | eInfochips | AIKRI-64X-90AD-8 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-64X-90AD-8-1 | eInfochips | Video Collaboration dev kit with QCS6490 based SoM and accessories | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-64X-90AD-8-1 | eInfochips | Video Collaboration dev kit with QCS6490 based SoM and accessories | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-64X-90AS-8 | eInfochips | QCS6490 System on Module | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-64X-90AS-8 | eInfochips | SOM with Snapdragon Processor 8GB RAM | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-64X-90AS-8 | eInfochips | QCS6490 System on Module | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-64X-90LS-8 | eInfochips | SOM with Snapdragon Processor 8GB RAM | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-64X-90LS-8 | eInfochips | QCS6490 System on Module | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-82X-50AD-8 | eInfochips | Dev kit with QCS8250 processor based SoM | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-82X-50AD-8 | eInfochips | Dev kit with QCS8250 processor based SoM. | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-82X-50AS-8 | eInfochips | QCS8250 System on Module | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-82X-50AS-8 | eInfochips | QCS8250 processor, Android OS, 8GB LPDDR5, 64GB UFS. | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-85X-50AD-8-1 | eInfochips | 902-00009-010 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-85X-50AS-8-1 | eInfochips | QCS8550 processor, Android OS, 8GB LPDDR5, 256GB UFS | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-85X-50AS-8-1 | eInfochips | AIKRI-85X-50AS-8-1 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-85X-50LD-8 | eInfochips | Dev kit with Aikri-85x-50LS-8 SoM (8GB LPDDR5, 128GB UFS) running downstream Linux based BSP | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-85X-50LS-12-2 | eInfochips | QCS8550 processor, Linux OS, 12GB LPDDR5, 512GB UFS. For Leica Oscar | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-X10-4S-2 | eInfochips | QCS410 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC. | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-X10-4S-2-2 | eInfochips | QCS410 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec). | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-X10-4S-4 | eInfochips | QCS410 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC. | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-X10-4S-4-2 | eInfochips | QCS410 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec). | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-X10-6D-4 | eInfochips | Dev kit with QCS610 processor based SoM | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-X10-6D-4 | eInfochips | Dev kit with QCS610 processor based SoM | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-X10-6D-4 | eInfochips | Dev kit with QCS610 processor based SoM. | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-X10-6D-4 | eInfochips | Dev kit with QCS610 processor based SoM | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-X10-6S-2 | eInfochips | QCS610 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC.. | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-X10-6S-2-2 | eInfochips | QCS610 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec). | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-X10-6S-4 | eInfochips | QCS610 System on Module | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKRI-X10-6S-4 | eInfochips | QCS610 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC. | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKRI-X10-6S-4-2 | eInfochips | QCS610 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec). | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW20N60CT | Infineon Technologies | Infineon DISCRETE SWITCHES | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW20N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 600V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 40 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 166 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW20N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW20N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW20N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW20N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKW20N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 20A Power dissipation: 166W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 60A Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Turn-on time: 32ns Turn-off time: 241ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW30N60CT | Infineon | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | ||||||||||||||||
AIKW30N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off) Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V Gate Charge: 167 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A Power - Max: 187 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKW30N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 167nC Kind of package: tube Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW30N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW30N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 30A Power dissipation: 187W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 90A Mounting: THT Gate charge: 167nC Kind of package: tube Turn-on time: 44ns Turn-off time: 0.3µs Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW30N60CTXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKW30N60CTXKSA1 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKW30N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | на замовлення 286 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKW40N65DF5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW40N65DF5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Turn-on time: 30ns Turn-off time: 178ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW40N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW40N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 650V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW40N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW40N65DF5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 95nC Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Turn-on time: 30ns Turn-off time: 178ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW40N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW40N65DH5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW40N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT with Anti-Parallel Diode Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW40N65DH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 74 A, 1.66 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage hazardous: false Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKW40N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 650V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off) Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V Gate Charge: 95 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 74 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW40N65DH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 31ns Turn-off time: 164ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW40N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | AIKW40N65DH5XKSA1 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW40N65DH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 46A Power dissipation: 125W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 92nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 31ns Turn-off time: 164ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW40N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKW50N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 310nC Kind of package: tube Turn-on time: 55ns Turn-off time: 328ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW50N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | на замовлення 378 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKW50N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 600V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V Gate Charge: 310 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 333 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 387 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKW50N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 310nC Kind of package: tube Turn-on time: 55ns Turn-off time: 328ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW50N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW50N65DF5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW50N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 650V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 1018 nC Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKW50N65DF5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Turn-on time: 33ns Turn-off time: 162ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW50N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies | High Speed fast IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW50N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies | High Speed fast IGBT Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW50N65DF5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKW50N65DF5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKW50N65DF5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKW50N65DF5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 108nC Kind of package: tube Manufacturer series: F5 Turn-on time: 33ns Turn-off time: 162ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW50N65DH5 | Infineon Technologies | IGBT Transistors DISCRETE SWITCHES | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW50N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 650V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 1018 nC Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 270 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW50N65DH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 22ns Turn-off time: 256ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW50N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | High speed fast IGBT | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW50N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | High speed fast IGBT Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW50N65DH5XKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKW50N65DH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 270W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TRENCHSTOP 5 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | на замовлення 147 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKW50N65DH5XKSA1 Код товару: 168638 | Транзистори > IGBT | товар відсутній | ||||||||||||||||
AIKW50N65DH5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 53.5A Power dissipation: 136W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 116nC Kind of package: tube Manufacturer series: H5 Turn-on time: 22ns Turn-off time: 256ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW50N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | High speed fast IGBT Automotive AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW50N65DH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | на замовлення 451 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKW50N65RF5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs Y | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKW50N65RF5XKSA1 | Infineon Technologies | Description: SIC_DISCRETE Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A Supplier Device Package: PG-TO247-3 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 20ns/156ns Switching Energy: 310µJ (on), 120µJ (off) Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V Gate Charge: 109 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Power - Max: 250 W Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKW50N65RF5XKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW75N60CTE8188XKSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT 600V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 121 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW75N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs DISCRETES | на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
AIKW75N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-on time: 69ns Turn-off time: 365ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW75N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW75N60CTXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Turn-on time: 69ns Turn-off time: 365ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode кількість в упаковці: 1 шт | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW75N60CTXKSA1 | Infineon Technologies | Description: IC DISCRETE 600V TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off) Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 470 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 80 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A Power - Max: 428 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товар відсутній | |||||||||||||||
AIKW75N60CTXKSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - AIKW75N60CTXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s) Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5 Verlustleistung: 428 Bauform - Transistor: TO-247 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: TRENCHSTOP Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600 Betriebstemperatur, max.: 175 Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|