НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AIKN/A06+
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIK12F02AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK12F02AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK12F02AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
товар відсутній
AIK12F02AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S2.0-F-1030VDC
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK12N04AN024-2MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
AIK12N04AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK12N04AN024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
товар відсутній
AIK12N04AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK12N04AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR M12-S4.0-NF-1030VD
товар відсутній
AIK12N04AP024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 4MM CYLIND
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AIK12N04AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M12-S4.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18F05AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK18F05AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK18F05AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK18F05AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S5.0-F-1030VDC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
AIK18N08AN024-2MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3720.33 грн
AIK18N08AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18N08AN024-5MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18N08AN024-5MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE CYLINDER
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3886.43 грн
AIK18N08AN024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4204.44 грн
AIK18N08AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18N08AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18N08AP024-2MAltech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
Packaging: Bulk
Package / Case: Cylinder, Threaded - M18
Output Type: PNP-NO, 3-Wire
Sensing Distance: 0.315" (8mm)
Shielding: Shielded
Operating Temperature: -25°C ~ 70°C
Termination Style: Cable Leads
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Material - Body: Nickel-Plated Brass
Sensor Type: Inductive
Ingress Protection: IP67, NEMA 1,3,4,6,12,13
Indicator: LED
Response Frequency: 500Hz
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4021.3 грн
10+ 3260.85 грн
25+ 3057.07 грн
AIK18N08AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M18-S8.0-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK18N08AP024-Q65Altech CorporationDescription: SENSOR PROX INDUCTIVE 8MM CYLIND
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4204.44 грн
AIK30F10AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
товар відсутній
AIK30F10AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
товар відсутній
AIK30F10AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
товар відсутній
AIK30F10AP024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M30-S10-F-1030VDC
товар відсутній
AIK30N15AN024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK30N15AN024-Q65AltechProximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK30N15AP024-2MAltechProximity Sensors SENSOR-M30-S15-NF-1030VDC
товар відсутній
AIK30N15AP024-Q65AltechProximity Sensors Proximity Sensor-M30 S15-NF-1030VDC250MA
товар відсутній
AIKB0VENTIONCategory: HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt.
Description: Adapter; HDMI 1.4; DVI-I (24+5) socket,HDMI plug; black
Type of transition: adapter
Version: HDMI 1.4
Cable/adapter structure: DVI-I (24+5) socket; HDMI plug
Colour: black
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+205.83 грн
5+ 166.11 грн
7+ 150.93 грн
10+ 137.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB0VENTIONCategory: HDMI, DVI, DisplayPort cables and adapt.
Description: Adapter; HDMI 1.4; DVI-I (24+5) socket,HDMI plug; black
Type of transition: adapter
Version: HDMI 1.4
Cable/adapter structure: DVI-I (24+5) socket; HDMI plug
Colour: black
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.52 грн
5+ 133.29 грн
7+ 125.78 грн
10+ 114.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+123.98 грн
2000+ 112.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686020
товар відсутній
AIKB15N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DF5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+192.76 грн
500+ 159.01 грн
1000+ 146.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.3 грн
10+ 215.83 грн
25+ 181.77 грн
100+ 152.24 грн
250+ 146.99 грн
500+ 135.18 грн
1000+ 115.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.93 грн
10+ 193.93 грн
100+ 156.86 грн
500+ 130.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DF5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.6 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.53 грн
10+ 267.22 грн
25+ 252.5 грн
100+ 192.76 грн
500+ 159.01 грн
1000+ 146.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB15N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+318.01 грн
10+ 256.18 грн
25+ 242.19 грн
100+ 184.56 грн
500+ 152.7 грн
1000+ 136.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+123.98 грн
2000+ 112.42 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB15N65DH5ATMA1 - IGBT, 30 A, 1.65 V, 105 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 105W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 105W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 30A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+184.56 грн
500+ 152.7 грн
1000+ 136.29 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686016
товар відсутній
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.93 грн
10+ 193.93 грн
100+ 156.86 грн
500+ 130.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.3 грн
10+ 215.83 грн
25+ 181.77 грн
100+ 152.24 грн
250+ 146.99 грн
500+ 135.18 грн
1000+ 115.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+259.81 грн
10+ 224.28 грн
25+ 211.99 грн
100+ 172.41 грн
250+ 163.58 грн
500+ 146.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB20N60CTATMA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 156 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+156.06 грн
500+ 136.71 грн
1000+ 107.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 600V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+136.98 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB20N60CTATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+281.74 грн
10+ 233.94 грн
25+ 191.62 грн
100+ 164.05 грн
250+ 154.87 грн
500+ 145.68 грн
1000+ 124.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB20N60CTATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB20N60CTATMA1 - IGBT, 40 A, 1.5 V, 156 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 40A
на замовлення 1897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.19 грн
10+ 172.26 грн
100+ 139.13 грн
500+ 121.67 грн
1000+ 95.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
AIKB20N60CTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
AIKB20N60CTATMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesSP001612750
товар відсутній
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+333.03 грн
10+ 285.26 грн
25+ 233.61 грн
100+ 201.46 грн
250+ 190.96 грн
500+ 175.87 грн
1000+ 150.93 грн
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns
Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+306.66 грн
10+ 265.43 грн
25+ 250.92 грн
100+ 204.07 грн
250+ 193.61 грн
500+ 173.72 грн
AIKB30N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 188W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 55A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
на замовлення 892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+171.52 грн
500+ 146.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB30N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 67 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/188ns
Switching Energy: 330µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 188 W
товар відсутній
AIKB30N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB30N65DF5ATMA1 - IGBT, 55 A, 1.6 V, 188 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 55A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+281.94 грн
10+ 253.97 грн
25+ 239.98 грн
100+ 183.19 грн
500+ 152.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товар відсутній
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001612746
товар відсутній
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1858 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+340.69 грн
10+ 281.48 грн
25+ 239.52 грн
100+ 198.18 грн
500+ 176.52 грн
1000+ 150.93 грн
2000+ 139.12 грн
AIKB30N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товар відсутній
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товар відсутній
AIKB40N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 74A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+175.2 грн
Мінімальне замовлення: 10
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesLow Loss DuoPack, IGBT in TRENCHSTOPTM, fast recovery anti-parallel diode,Automotive AEC Q101 qualified,650V 20A
товар відсутній
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+383.56 грн
10+ 317.71 грн
25+ 260.52 грн
100+ 223.11 грн
250+ 211.3 грн
500+ 198.83 грн
1000+ 169.96 грн
AIKB40N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товар відсутній
AIKB40N65DF5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DF5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.6 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+244.4 грн
10+ 175.2 грн
Мінімальне замовлення: 4
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товар відсутній
AIKB40N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+377.64 грн
10+ 270.16 грн
100+ 218.63 грн
500+ 190.71 грн
1000+ 150.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686008
товар відсутній
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT NPT 650V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.24 грн
10+ 264.2 грн
100+ 213.75 грн
500+ 178.31 грн
AIKB40N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB40N65DH5ATMA1 - IGBT, 74 A, 1.65 V, 250 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 250W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 74A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74A
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+218.63 грн
500+ 190.71 грн
1000+ 150.8 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB40N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+354.47 грн
10+ 293.56 грн
25+ 240.83 грн
100+ 206.05 грн
250+ 194.9 грн
500+ 183.08 грн
1000+ 156.84 грн
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товар відсутній
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686004
товар відсутній
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
товар відсутній
AIKB50N65DF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.4 грн
10+ 384.87 грн
25+ 326.8 грн
100+ 278.24 грн
250+ 272.33 грн
500+ 244.77 грн
1000+ 218.52 грн
AIKB50N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+468.92 грн
10+ 356.29 грн
100+ 301.82 грн
500+ 253.6 грн
1000+ 206.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.04 грн
10+ 384.87 грн
25+ 317.61 грн
100+ 277.58 грн
250+ 269.05 грн
500+ 243.46 грн
1000+ 215.24 грн
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+408.87 грн
10+ 337.41 грн
100+ 281.18 грн
500+ 232.83 грн
AIKB50N65DH5ATMA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKB50N65DH5ATMA1 - IGBT, 80 A, 1.65 V, 305 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.65V
Verlustleistung Pd: 305W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 305W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 80A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
на замовлення 1475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+301.82 грн
500+ 253.6 грн
1000+ 206.96 грн
Мінімальне замовлення: 100
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 3979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+231.87 грн
2000+ 209.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB50N65DH5ATMA1Infineon TechnologiesSP001686000
товар відсутній
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns
Switching Energy: 0.12mJ (on), 0.09mJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+821.3 грн
10+ 696.96 грн
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesSIC_DISCRETE
товар відсутній
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+900.33 грн
10+ 782.57 грн
20+ 662.12 грн
50+ 624.72 грн
100+ 588.63 грн
200+ 570.25 грн
500+ 533.5 грн
AIKBE50N65RF5ATMA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO263-7-U04
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.8ns/136ns
Switching Energy: 0.12mJ (on), 0.09mJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 108 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 96 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 326 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKC76753N/A
на замовлення 550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKD31551N/A
на замовлення 670 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKP20N60CTInfineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
товар відсутній
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKP20N60CTAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.36 грн
3+ 235.14 грн
5+ 193.45 грн
12+ 183.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 156 W
на замовлення 14130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
160+123.23 грн
Мінімальне замовлення: 160
AIKP20N60CTAKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 156W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 156W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 466 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+343.63 грн
3+ 293.03 грн
5+ 232.14 грн
12+ 219.83 грн
AIKP20N60CTAKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
товар відсутній
AIKQ100N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 100A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 68ns
Turn-off time: 321ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKQ100N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 100A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/290ns
Switching Energy: 3.1mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 100A, 3.6Ohm, 15V
Gate Charge: 610 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 400 A
Power - Max: 714 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+883.76 грн
10+ 781.72 грн
30+ 749.32 грн
120+ 619.58 грн
AIKQ100N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 100A; 714W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 100A
Power dissipation: 714W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 400A
Mounting: THT
Gate charge: 610nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 68ns
Turn-off time: 321ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
AIKQ100N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+959.28 грн
10+ 833.13 грн
25+ 704.12 грн
50+ 665.4 грн
100+ 626.03 грн
240+ 605.69 грн
480+ 520.38 грн
AIKQ100N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKQ120N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 729-738 дні (днів)
1+1008.28 грн
10+ 876.15 грн
25+ 740.87 грн
50+ 699.53 грн
100+ 684.43 грн
AIKQ120N60CTXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
AIKQ120N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKQ120N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH/FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/310ns
Switching Energy: 4.1mJ (on), 2.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 772 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+928.48 грн
10+ 821.23 грн
30+ 787.19 грн
120+ 650.9 грн
AIKQ120N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 120A; 833W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 120A
Power dissipation: 833W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 480A
Mounting: THT
Gate charge: 772nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 343ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
товар відсутній
AIKQ120N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: DISCRETE SWITCHES PG-TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
Td (on/off) @ 25°C: 71ns/244ns
Switching Energy: 6.82mJ (on), 3.8mJ (off)
Test Condition: 470V, 120A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 731 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 360 A
Power - Max: 682 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+957.59 грн
10+ 847.48 грн
30+ 812.34 грн
120+ 671.7 грн
AIKQ120N75CP2XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKQ120N75CP2XKSA1 - IGBT, EDT2, 150 A, 1.3 V, 682 W, 750 V, TO-247 Plus, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.3V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 682W
Bauform - Transistor: TO-247 Plus
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 750V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 150A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1166.05 грн
10+ 1054.15 грн
25+ 889.99 грн
AIKQ120N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1208.86 грн
10+ 1095 грн
25+ 912.8 грн
100+ 804.52 грн
240+ 765.15 грн
480+ 750.71 грн
1200+ 708.06 грн
AIKQ200N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH 750V 200A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 89ns/266ns
Switching Energy: 15.3mJ (on), 7mJ (off)
Gate Charge: 1256 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 750 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 600 A
Power - Max: 576 W
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1352.27 грн
30+ 1079.64 грн
120+ 1012.17 грн
AIKQ200N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
1+1469.16 грн
10+ 1287.43 грн
25+ 1076.85 грн
50+ 1059.13 грн
100+ 979.08 грн
240+ 944.95 грн
480+ 839.3 грн
AIKQ200N75CP2XKSA1Infineon TechnologiesIGBT in TRENCHSTOP and Field stop technology
товар відсутній
AIKRI-22X-10LD-3eInfochipsAikri-22X-10LS System on Module - SOM Development Kit 2000MHz CPU Kernel 5.4/Linux/Yocto Dunfell
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35228.48 грн
2+ 32672.35 грн
AIKRI-22X-90AD-4eInfochipsAikri-22X-90AS System on Module - SOM Development Kit 2000MHz CPU Android 12/Kernel 4.19
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35909.09 грн
2+ 33304.35 грн
AIKRI-22X-90AS-4eInfochipsQCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8370.16 грн
AIKRI-22X-90AS-4-1eInfochipsQCS2290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC, No GPS.
товар відсутній
AIKRI-42X-10LD-3eInfochipsAikri-42X-10LS System on Module - SOM Development Kit 1800MHz/2000MHz CPU Kernel 5.4/Linux/Yocto Dunfell
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+34717.84 грн
2+ 32198.89 грн
AIKRI-42X-10LS-3eInfochipsQRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8461.27 грн
AIKRI-42X-10LS-3-1eInfochipsQRB4210 processor, Linux OS, 3GB LPDDR4x, 32GB eMMC, No GPS.
товар відсутній
AIKRI-42X-90AD-4eInfochipsDev kit with QCS4290 processor based SoM.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35827.17 грн
2+ 33268.09 грн
AIKRI-42X-90AS-4eInfochipsQCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9280.45 грн
AIKRI-42X-90AS-4-1eInfochipsQCS4290 processor, Android OS, 4GB LPDDR4x, 64GB eMMC, No GPS.
товар відсутній
AIKRI-51X-65LD-8eInfochipsDev kit with QRB5165 processor based SoM.
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+66242.41 грн
AIKRI-51X-65LS-8eInfochipsQRB5165 processor, Linux OS, 8GB LPDDR5, 64GB UFS.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30558.4 грн
2+ 28264.76 грн
AIKRI-54X-30MS-8eInfochipsQCS5430 processor, Android OS, 8GB LPDDR5, 128GB UFS
товар відсутній
AIKRI-82X-50AD-8eInfochipsDev kit with QCS8250 processor based SoM.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+63408.97 грн
3+ 58879.76 грн
AIKRI-82X-50AS-8eInfochipsQCS8250 processor, Android OS, 8GB LPDDR5, 64GB UFS.
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26434.19 грн
AIKRI-X10-4S-4eInfochipsQCS410 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8777.45 грн
AIKRI-X10-6D-4eInfochipsDev kit with QCS610 processor based SoM.
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+37631.66 грн
2+ 34943.69 грн
AIKRI-X10-6S-2eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC..
товар відсутній
AIKRI-X10-6S-2-2eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 2GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec).
товар відсутній
AIKRI-X10-6S-4eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC.
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8960.43 грн
AIKRI-X10-6S-4-2eInfochipsQCS610 processor, Linux OS, 4GB LPDDR4x, 16GB eMMC, No (GPS, Audio codec).
товар відсутній
AIKW20N60CTInfineon TechnologiesInfineon DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+418.78 грн
10+ 371.29 грн
25+ 305.14 грн
100+ 253.3 грн
240+ 236.24 грн
480+ 219.83 грн
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 310µJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW20N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW30N60CTInfineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AIKW30N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.3 грн
10+ 400.72 грн
25+ 328.76 грн
100+ 283.49 грн
240+ 228.36 грн
480+ 211.96 грн
1200+ 201.46 грн
AIKW30N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 690µJ (on), 770µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.3 грн
10+ 373.36 грн
AIKW30N60CTXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW30N60CTXKSA1 - IGBT, 60 A, 1.5 V, 187 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 187W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+558 грн
10+ 460.09 грн
25+ 376.9 грн
240+ 349.3 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKW30N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW30N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW30N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 187W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 167nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 44ns
Turn-off time: 0.3µs
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW40N65DF5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 95nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 30ns
Turn-off time: 178ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW40N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW40N65DH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/165ns
Switching Energy: 350µJ (on), 100µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 15Ohm, 15V
Gate Charge: 95 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 74 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+627.78 грн
10+ 559.2 грн
25+ 463.95 грн
100+ 395.04 грн
240+ 376.67 грн
480+ 343.2 грн
1200+ 299.24 грн
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesAIKW40N65DH5XKSA1
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW40N65DH5XKSA1 - IGBT, 74 A, 1.66 V, 250 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 74
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+408.56 грн
5+ 380.59 грн
10+ 351.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKW40N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 46A; 125W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 46A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 164ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW40N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT with Anti-Parallel Diode Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+715.82 грн
10+ 605.23 грн
25+ 477.07 грн
100+ 403.57 грн
240+ 372.73 грн
480+ 348.45 грн
1200+ 347.8 грн
AIKW50N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Chip with Fast Recovery Emitter Controlled Diode
товар відсутній
AIKW50N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW50N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW50N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/299ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 7Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 333 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+658.74 грн
10+ 573.1 грн
30+ 546.46 грн
AIKW50N65DF5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+652.28 грн
10+ 551.65 грн
25+ 408.17 грн
100+ 383.89 грн
240+ 344.51 грн
480+ 316.95 грн
5040+ 301.86 грн
AIKW50N65DF5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 108nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: F5
Turn-on time: 33ns
Turn-off time: 162ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW50N65DF5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+790.62 грн
10+ 671.36 грн
25+ 555.79 грн
240+ 460.72 грн
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed fast IGBT Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+600.53 грн
10+ 522.38 грн
30+ 498.06 грн
120+ 405.85 грн
AIKW50N65DF5XKSA1Infineon TechnologiesHigh Speed fast IGBT
товар відсутній
AIKW50N65DH5Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETE SWITCHES
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW50N65DH5XKSA1 - IGBT, 80 A, 1.66 V, 270 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.66V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 270W
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TRENCHSTOP 5
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+768.53 грн
10+ 651.49 грн
25+ 517.51 грн
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed fast IGBT Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 650V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/156ns
Switching Energy: 490µJ (on), 140µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 1018 nC
Part Status: Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 270 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+695.15 грн
10+ 587.12 грн
25+ 463.29 грн
100+ 391.11 грн
240+ 337.3 грн
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed fast IGBT
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1Infineon TechnologiesHigh speed fast IGBT Automotive AEC-Q101
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1
Код товару: 168638
Транзистори > IGBT
товар відсутній
AIKW50N65DH5XKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53.5A; 136W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53.5A
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 22ns
Turn-off time: 256ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW50N65RF5XKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors SIC_DISCRETE
на замовлення 228 шт:
термін постачання 820-829 дні (днів)
1+751.04 грн
10+ 668.62 грн
25+ 554.5 грн
100+ 481.66 грн
240+ 459.35 грн
480+ 364.86 грн
AIKW50N65RF5XKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 650V 80A 250W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
AIKW50N65RF5XKSA1Infineon TechnologiesDescription: SIC_DISCRETE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/156ns
Switching Energy: 310µJ (on), 120µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 109 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW75N60CTE8188XKSA1Infineon TechnologiesDescription: IGBT 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 121 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
AIKW75N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AIKW75N60CTXKSA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 365ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товар відсутній
AIKW75N60CTXKSA1Infineon TechnologiesIGBT Transistors DISCRETES
на замовлення 960 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
1+812.29 грн
10+ 707.11 грн
25+ 599.13 грн
50+ 574.19 грн
100+ 536.13 грн
240+ 509.22 грн
480+ 446.23 грн
AIKW75N60CTXKSA1INFINEONDescription: INFINEON - AIKW75N60CTXKSA1 - IGBT, 80 A, 1.5 V, 428 W, 600 V, TO-247, 3 Pin(s)
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5
Verlustleistung: 428
Bauform - Transistor: TO-247
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: TRENCHSTOP
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600
Betriebstemperatur, max.: 175
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+953.3 грн
5+ 877.48 грн
10+ 801.66 грн
50+ 683.56 грн
AIKW75N60CTXKSA1Infineon TechnologiesTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 428000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
AIKW75N60CTXKSA1Infineon TechnologiesDescription: IC DISCRETE 600V TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 33ns/330ns
Switching Energy: 2mJ (on), 2.5mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 470 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 428 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній