Продукція > AOS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
AOS 127FISCHER ELEKTRONIKDescription: FISCHER ELEKTRONIK - AOS 127 - Wärmeisolator, TO 127, Aluminiumoxidkeramik, 25 W/m.K, 3 mm, 10000000 MOhm-m
tariffCode: 85479000
Spannungsfestigkeit: 10kV/mm
rohsCompliant: YES
Wärmewiderstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolatoraußenmaterial: Aluminiumoxidkeramik
Durchbruchspannung Vbr: -
euEccn: NLR
Spezifischer Durchgangswiderstand: 10000000MOhm-m
Dicke: 3mm
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wärmeleitfähigkeit: 25W/m.K
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+184.65 грн
10+134.22 грн
25+98.43 грн
50+85.35 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 7841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.51 грн
10+92.46 грн
25+89.76 грн
100+83.11 грн
500+76.05 грн
1000+71.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 7840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+86.27 грн
155+83.75 грн
161+80.42 грн
500+76.63 грн
1000+69.02 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247importdimensions: 25x21x3.0mm; with hole ?4mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 218 247; AOS218/247; Aluminium oxide wafers for TO218/TO247 (3.0mm) TPTO218/247cer
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+55.95 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 7408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+112.03 грн
130+99.98 грн
800+92.76 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; Thk: 3mm
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thickness: 3mm
Mounting hole diameter: 4mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Type of heat transfer pad: ceramic
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.44 грн
20+67.98 грн
100+59.59 грн
800+55.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247Fischerdimensions: 25x21x3.0mm; with hole ?4mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 218 247; AOS218/247; Aluminium oxide wafers for TO218/TO247 (3.0mm) TPTO218/247cer
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247 1FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; 25W/mK
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thickness: 1.5mm
Mounting hole diameter: 4mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Type of heat transfer pad: ceramic
на замовлення 2886 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+215.11 грн
20+179.60 грн
100+159.46 грн
1000+146.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247 1Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+331.27 грн
44+298.74 грн
100+265.02 грн
1000+235.80 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247 1Fischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 218 2
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-218
Outline: 21.00mm x 25.00mm
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+152.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247 1Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.97 грн
10+212.83 грн
25+210.58 грн
100+201.10 грн
500+184.29 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247 1Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+198.57 грн
66+196.47 грн
100+187.62 грн
500+171.94 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220FischerThickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 34327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+49.05 грн
270+47.82 грн
279+46.31 грн
500+44.02 грн
1000+39.82 грн
Мінімальне замовлення: 264
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220Fischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 220
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+37.08 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220FischerThickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 34327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+54.73 грн
15+52.15 грн
25+50.83 грн
100+47.46 грн
500+43.32 грн
1000+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220FischerThickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.91 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 6375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+73.70 грн
204+63.46 грн
1000+56.31 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO220
Length: 12mm
Width: 18mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 6182 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.69 грн
20+37.93 грн
100+33.65 грн
1000+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 3Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 3Fischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 220 3
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0630" (1.600mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 25W/m-K
Adhesive: None
Outline: 14.00mm x 19.30mm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+41.85 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 3Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 4Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 14025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+53.62 грн
15+51.49 грн
25+50.98 грн
100+48.67 грн
500+44.61 грн
1000+42.39 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 4FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO220
Length: 12mm
Width: 18mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 7119 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.16 грн
100+36.59 грн
200+34.33 грн
300+32.90 грн
500+30.88 грн
600+30.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 4Fischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 220 4
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.059" (1.50mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 25W/m-K
Adhesive: None
Outline: 12.00mm x 18.00mm
на замовлення 49978 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 4Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 7127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
141+92.15 грн
182+71.19 грн
200+64.67 грн
300+57.96 грн
500+50.40 грн
600+46.21 грн
Мінімальне замовлення: 141
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 4Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 14025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
267+48.43 грн
270+47.96 грн
272+47.49 грн
500+45.32 грн
1000+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 267
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 4 AOS220/4FISCHER ELEKTRONIKТеплопроводящая прокладка керамическая, TO220, L=12мм, W=18мм, монт. отверствие 4мм Група товару: Різні некласифіковані вироби Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 SLFischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 220 S
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.177" (4.50mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 25W/m-K
Adhesive: None
Outline: 14.00mm x 18.00mm
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.18 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 SLFischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 247FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO247; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO247
Thickness: 1mm
Width: 23mm
Length: 20mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+68.69 грн
11+38.52 грн
50+30.05 грн
200+28.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 247Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 247Fischerdimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 247Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+41.20 грн
Мінімальне замовлення: 314
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 247Fischerdimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+28.40 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 247 AOS247FISCHER ELEKTRONIKПрокладка теплопроводящая: керамическая Al2O3,TO247, 20*23 1mm,25Вт/мК Група товару: Різні некласифіковані вироби Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+202.07 грн
72+179.91 грн
100+159.24 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3; L: 26.3mm; W: 40mm; Thk: 2.9mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3
Length: 26.3mm
Width: 40mm
Thickness: 2.9mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4.2mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.88 грн
5+131.76 грн
10+120.85 грн
50+107.43 грн
100+96.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3Fischerdimensions: 40,6x26,3x2,9mm; with holes 2=?4.8mm and 2=?4.8x4.2mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3; Aluminium oxide wafers for TO3 40,6x26,3mm TPTO3cer
кількість в упаковці: 4 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
12+69.51 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 PFISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 17.5mm; W: 20.5mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3P
Length: 17.5mm
Width: 20.5mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 514 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+75.02 грн
9+51.70 грн
10+47.75 грн
50+45.49 грн
100+40.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 PFischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 3 P
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TOP-3
Outline: 17.50mm x 20.50mm
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+42.01 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 P 2Fischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 3 P 2
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0394" (1.000mm)
Thermal Resistivity: 0.3°C/W
Usage: TOP-3
Thermal Conductivity: 25W/m-K
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+104.64 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 P 2Fischer ElectronikПрокладка керамічна до TO3P, Розм = 20 x 23 x 1 мм, Темп.опір,°C/Вт = 25, Тип мат-лу = Кераміка, Ел. ізол. = 10 кВ/мм,... Група товару: Радіатори Корпус: 20x23x1mm Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2500+112.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 P 2Fischer ElektronikAluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+178.61 грн
80+162.96 грн
100+150.26 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 P 2FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3P
Length: 20mm
Width: 23mm
Thickness: 1mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.6mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 2046 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.98 грн
5+125.05 грн
10+105.75 грн
25+97.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 P SLFischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 P SLFISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 17.5mm; W: 20.5mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3P
Length: 17.5mm
Width: 20.5mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 1806 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.44 грн
7+63.78 грн
10+58.75 грн
50+54.55 грн
100+51.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 P SLFischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 3 P S
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TOP-3
Outline: 17.50mm x 20.50mm
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+50.83 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 P SLFischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+97.14 грн
141+91.59 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 P SLFischerdimensions: 20,5x17,5x1,5mm, with hole ?3,1mm; 0,3 K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P SL; AOS 3 P-SL; Aluminium oxide wafers for TOP3 20x17mm TPTO3pcer SL
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 32FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO126,TO32; L: 8mm; W: 11mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO32; TO126
Length: 8mm
Width: 11mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Mounting hole diameter: 3.1mm
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+85.86 грн
9+51.53 грн
10+44.48 грн
50+36.84 грн
100+33.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 32Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 32 : ASO32 AOS32FISCHER ELEKTRONIKТеплопроводящая прокладка керамическая, TO126, L=11мм, W=8мм, монт. отверствие 3,1мм Група товару: Вентилятори та Управління тепловими режимами Од. вим: шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
3+104.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3P2Fischerdimensions: 23x20x1mm; with hole ?3,6mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P 2; Aluminium oxide wafers for TOP3 23x20mm TPTO3pcer-2
кількість в упаковці: 4 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
12+66.55 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 66Fischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 66
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Round
Thickness: 0.0984" (2.500mm)
Thermal Resistivity: 0.3°C/W
Usage: TO-66
Thermal Conductivity: 25W/m-K
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+100.01 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOS-NGGMersen USA Newburyport-MA L.L.C.Description: MICRO-SWITCH W/GOLD CONTACTS
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS218/247FISCHER ELEKTRONIKПрокладка теплопроводящая: керамическая; TO218,TO247; 25*20 0,4mm Група товару: Різні некласифіковані вироби Од. вим: шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS218/247 Керамічна прокладка 3мм 25x21 TO218/247
Код товару: 29478
2 Додати до обраних Обраний товар
FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна, 3мм 25х21мм, для ТО-218, ТО-247, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 21х25х3мм + отв.4,0мм, під корпус TO-218, TO-247
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
у наявності 348 шт:
300 шт - склад
48 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+55.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS218/247/1 Керамічна прокладка 1,5мм 25x21
Код товару: 53560
2 Додати до обраних Обраний товар
FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-218, ТО-247; 1,5мм, 25х21мм, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 1,5мм, 25х21мм, під корпус ТО-218, ТО-247
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
товару немає в наявності
1+60.00 грн
10+55.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS218/247/1 Керамічна прокладка 1мм 25x20 TO218/247
Код товару: 131173
1 Додати до обраних Обраний товар
FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-218, ТО-247; 1мм, 25х21мм, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 1мм, 25х21мм, під корпус ТО-218, ТО-247
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
товару немає в наявності
1+48.00 грн
10+43.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220Fischer ElectronikПрокладка керамічна до ТО220, Розм = 12 x 18 x 1,5 мм, Теплопров. = 25 Вт/мК, Ел. ізол. = 10 кВ/мм,... Група товару: Радіатори Корпус: 12x18x1.5mm Од. вим: шт
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
30+23.85 грн
100+20.45 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:12mm; W:18mm; D:2mm
Код товару: 214305
Додати до обраних Обраний товар
FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:2mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 12х18х2мм + отв.3,1мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
у наявності 295 шт:
295 шт - склад
1+30.00 грн
10+27.00 грн
100+24.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:12mm; W:18mm; D:1.5mm
Код товару: 42354
1 Додати до обраних Обраний товар
FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:1.5mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 12х18х1,5мм + отв.3,1мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
у наявності 83 шт:
62 шт - склад
21 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm; H:1mm
Код товару: 165257
Додати до обраних Обраний товар
FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Розмір: 19,2х13,9х1мм + отв.3,7мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
товару немає в наявності
1+26.00 грн
10+23.50 грн
100+21.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm, H:2mm
Код товару: 204993
1 Додати до обраних Обраний товар
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Розмір: 19,2х13,9х2мм + отв.3,2мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
у наявності 30 шт:
26 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
2 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+45.00 грн
10+39.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220-3 Керамічна прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm, H:1,6mm
Код товару: 216162
Додати до обраних Обраний товар
Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Розмір: 19,2х13,9х1,6мм + отв.3,7мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
у наявності 39 шт:
39 шт - склад
1+40.00 грн
10+36.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220-4FischerThickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm (hole 4mm); Replacement: Fischer AOS 220 4; AOS220/4; AOS 220-4; Aluminium oxide wafers for TO220 TPTO220cer-4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220-4FischerThickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm (hole 4mm); Replacement: Fischer AOS 220 4; AOS220/4; AOS 220-4; Aluminium oxide wafers for TO220 TPTO220cer-4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220/4 Прокладка теплопроводящая: керамическая: TO220: L:12мм: W:18мм. Диаметр монтажного отверстия 4 мм
Код товару: 112401
Додати до обраних Обраний товар
Ізоляційні матеріали
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220SLFischerThickness: 4,5mm; Dimensions: 18x14mm (hole 3,5mm); Fischer : AOS 220 SL; Aluminium oxide wafers for TO220 18x14mm TPTO220cer SL
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+48.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220SLFischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220SLFischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.82 грн
10+124.83 грн
25+117.78 грн
50+111.04 грн
100+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AOS247 Керамічна прокладка TO-247
Код товару: 35986
3 Додати до обраних Обраний товар
FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-247, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 20х23х1мм, під корпус TO-247
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
у наявності 142 шт:
141 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+25.00 грн
10+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS32FischerDimensions: 11x8x1.5mm; with a hole ?3.1mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 32; Aluminium oxide wafers for SOT32 TPSOT32cer
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.57 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOS32 прокладка керамічна
Код товару: 75513
Додати до обраних Обраний товар
Ізоляційні матеріали
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS322N-BIDECDescription: TWS
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS322N-BIDECIndustrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators TWS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS322N-RIDECDescription: (TWS)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS322N-RIDECIndustrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators (TWS)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS3PFischerdimensions: 20,5x17,5x1,5mm; with hole ?3,1mm (cut corners); 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer : AOS 3 P; Aluminium oxide wafers for TO3P 20,5x17,5mm TPTO3pcer
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOS3PFischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS3PFischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+68.99 грн
12+64.30 грн
25+62.61 грн
100+58.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
AOS3P прокладка керамічна для TO3P; L:17.5mm; W:20.5mm
Код товару: 41939
Додати до обраних Обраний товар
FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-3Р, L:17.5mm; W:20.5mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 17,5х20,5х1,5мм + відв.3,1мм, під корпус TO-3P
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
товару немає в наявності
1+22.50 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS3P2 прокладка керамическая для TO3P; L:20mm; W:23mm; D:1mm
Код товару: 112773
Додати до обраних Обраний товар
Корпусні та встановлювальні вироби > Аксесуари до корпусів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSB11355207+
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD21307Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.85 грн
10+53.48 грн
100+35.36 грн
500+25.87 грн
1000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD21307Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD21311CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.48 грн
6000+15.52 грн
9000+14.86 грн
15000+13.24 грн
21000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD21311CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 47195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.60 грн
10+42.53 грн
100+27.78 грн
500+20.14 грн
1000+18.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD21313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD21313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.50 грн
10+51.59 грн
100+34.07 грн
500+24.89 грн
1000+22.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD26313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V, 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V, 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD26313CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Case: SO8
Kind of transistor: complementary pair
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30/30V
Gate charge: 33nC
On-state resistance: 26/55mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4/-4.4A
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Version: ESD
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.77 грн
32+13.43 грн
100+11.92 грн
500+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD32334CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 86186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.71 грн
12+26.51 грн
100+16.96 грн
500+12.06 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD32334CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.22 грн
6000+8.99 грн
9000+8.56 грн
15000+7.58 грн
21000+7.31 грн
30000+7.05 грн
75000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD32338CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666EAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 27231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.74 грн
10+69.79 грн
100+46.70 грн
500+34.55 грн
1000+31.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666EAlpha? Semiconductor2N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 9,5 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 755 @ 20, Qg, нКл = 10 @ 4,5 В, Rds = 14, 5 мОм @ 9,5A, 10 В, Ugs(th) = 2,2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2,5, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од.
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
3000+24.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666EAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666EAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.73 грн
6000+27.56 грн
9000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSGL.SET.1SRA Soldering ProductsDescription: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
Packaging: Box
Diameter: Assorted
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2666.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOSGL.SET.2SRA Soldering ProductsDescription: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
Tip Chip Size: Single
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3916.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOSGL.SET.3SRA Soldering ProductsDescription: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSN21319CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 6699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.49 грн
12+27.19 грн
100+17.44 грн
500+12.42 грн
1000+11.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOSN21319CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.55 грн
6000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSN32338CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; Idm: 20A; 700mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSN32338CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSOP.SETSRA Soldering ProductsDescription: SOP NOZZLE SET FOR HOT AIR REWOR
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Tip Chip Size: SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP1800SRA Soldering ProductsDescription: MINI SOLDER POT SP1800, 120 WATT
Features: Ceramic Heater
Packaging: Box
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Analog
Base Unit: SP1800
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 120W
Part Status: Active
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7244.62 грн
5+6330.79 грн
10+6071.56 грн
25+5391.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP1800-220VSRA Soldering ProductsDescription: SP1800 MINI SOLDER POT
Features: Ceramic Heater, ESD Safe
Packaging: Box
Voltage - Input: 220VAC
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Includes: Crucible Pot
Workstand: Included, Not Specified
Control/Display Type: Analog
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 120W
Supplied Iron, Tweezer, Handle: Included, Not Specified
Supplied Tips/Nozzles: Included, Not Specified
Number of Channels: 1
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7798.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP2000+SRA Soldering ProductsDescription: LEAD FREE SOLDER POT SP2000+ WIT
Packaging: Box
Features: Ceramic Heater, ESD Safe
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 896°F (200°C ~ 480°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Digital
Base Unit: SP2000+
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 600W
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21307Alpha & Omega SemiconductorP-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21307ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21307Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21311CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.01 грн
6000+16.89 грн
9000+16.17 грн
15000+14.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21313CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -28A
Drain current: -7A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 17970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.87 грн
10+46.08 грн
100+30.17 грн
500+21.88 грн
1000+19.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.87 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.20 грн
10+30.29 грн
100+19.55 грн
500+13.99 грн
1000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21357Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21357Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.92 грн
10+82.41 грн
100+55.49 грн
500+41.25 грн
1000+37.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21357Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21357ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.5A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32314Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 15 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.81 грн
10+42.07 грн
100+27.52 грн
500+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32314Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32314Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32320CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 8566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.12 грн
10+32.18 грн
100+20.82 грн
500+14.93 грн
1000+13.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32320CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32368Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32368Alpha? SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 16 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 2270 @ 16, Qg, нКл = 60 @ 10 В, Rds = 5,5 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 2,4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим:
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
44+14.41 грн
47+13.45 грн
100+11.53 грн
Мінімальне замовлення: 44
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32368Alpha & Omega Semiconductor30V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32368Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.04 грн
10+34.67 грн
100+22.46 грн
500+16.15 грн
1000+14.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP36326CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.04 грн
6000+9.73 грн
9000+9.27 грн
15000+8.22 грн
21000+7.93 грн
30000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP36326CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V
на замовлення 30957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.06 грн
11+28.33 грн
100+18.19 грн
500+12.98 грн
1000+11.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP4000SRA Soldering ProductsDescription: MINI SOLDER POT SP4000, 160 WATT
Packaging: Box
Features: Ceramic Heater
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Analog
Base Unit: SP4000
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 160W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP62530Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP62626EAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66406Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66919Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66920Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.14 грн
6000+30.68 грн
9000+30.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66920Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66920Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 9582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.72 грн
10+76.52 грн
100+51.45 грн
500+38.21 грн
1000+35.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.05 грн
10+59.90 грн
100+39.84 грн
500+29.30 грн
1000+26.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66923Alpha & Omega Semiconductor100V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66925Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21115CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.13 грн
6000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21115CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21115CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 8406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.16 грн
16+19.11 грн
100+12.14 грн
500+8.54 грн
1000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21115CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21311CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.59 грн
17+18.13 грн
100+11.50 грн
500+8.08 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21311CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.59 грн
6000+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21311CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21311CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21311CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.35 грн
6000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21319CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 15822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.45 грн
19+16.24 грн
100+10.21 грн
500+7.14 грн
1000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21319CAlpha & Omega SemiconductorP-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21319CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.92 грн
6000+5.16 грн
9000+4.88 грн
15000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32136CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 58838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.08 грн
14+21.68 грн
100+13.78 грн
500+9.71 грн
1000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32136CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 38A; 800mW; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 38A
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
38+11.93 грн
62+6.80 грн
100+6.13 грн
500+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32136CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.12 грн
6000+7.11 грн
9000+6.75 грн
15000+5.95 грн
21000+5.72 грн
30000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32136CAlpha & Omega Semiconductor20V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32334CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32334CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
35+13.92 грн
50+8.98 грн
100+8.14 грн
500+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32334CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32334CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32338CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32338CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 30705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.53 грн
6000+5.70 грн
9000+5.39 грн
15000+4.74 грн
21000+4.55 грн
30000+4.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32338CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.60 грн
6000+6.80 грн
9000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32338CAOSMOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32338CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.09 грн
6000+6.35 грн
9000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32338CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 33767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.81 грн
17+17.83 грн
100+11.25 грн
500+7.87 грн
1000+7.01 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32338CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 555 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
35+13.38 грн
75+5.74 грн
100+5.16 грн
500+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS62934Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
на замовлення 141710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.71 грн
12+26.36 грн
100+16.84 грн
500+11.95 грн
1000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS62934ALPHA&OMEGAКод виробника: AOSS62934 RoHS LK. Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 AOSS62934; REPLACEMENT HTSEMI PTL03N10; Transistors
кількість в упаковці: 200 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+8.01 грн
1000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 200
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS62934Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.09 грн
6000+8.87 грн
9000+8.43 грн
15000+7.46 грн
21000+7.19 грн
30000+6.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS62934Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS62934AOSMOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS62934Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.77 грн
6000+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS62934 LK.ALPHA&OMEGATrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 AOSS62934; REPLACEMENT HTSEMI PTL03N10; AOSS62934 TAOSS62934
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AOSX21319CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSX32128Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: SINGLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.