Продукція > AOS

AOS 113 X 165 X 0,635

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 127

Aluminum Oxide Wafers With Dielectric Constant 9

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 18

Aluminium Oxide Wafer

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

160+	77.39 грн
164+	75.59 грн
170+	73.11 грн
500+	69.09 грн

Мінімальне замовлення: 160

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; Thk: 3mm
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Thickness: 3mm
Mounting hole diameter: 4mm
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Type of heat transfer pad: ceramic
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 360 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	93.49 грн
18+	65.65 грн
49+	60.39 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 875 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	87.76 грн
10+	82.86 грн
25+	80.94 грн
100+	75.48 грн
500+	68.49 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 3038 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

107+	115.79 грн
121+	102.48 грн
700+	86.15 грн

Мінімальне замовлення: 107

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

на замовлення 1162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	49.14 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247

на замовлення 360 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	77.91 грн
18+	52.69 грн
49+	50.33 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247 1

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum

на замовлення 1279 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

36+	351.82 грн
40+	317.27 грн
100+	270.95 грн
1000+	225.91 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247 1

Aluminium Oxide Wafer

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247 1

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

67+	186.12 грн
68+	182.48 грн
100+	174.20 грн

Мінімальне замовлення: 67

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247 1

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; 25W/mK
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Thickness: 1.5mm
Mounting hole diameter: 4mm
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Type of heat transfer pad: ceramic

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.26 грн
7+	150.98 грн
17+	143.12 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247 1

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	198.47 грн
10+	196.53 грн
25+	194.58 грн
100+	185.76 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247 1

на замовлення 1275 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	270.31 грн
7+	188.14 грн
17+	171.74 грн
2000+	170.80 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

AOS 218/247-1

RICHONE

Dimensions: 25x21x1.5mm; with hole ?4mm; 0.3K/W; 25W/m*K; (Fischer : AOS 218 247-1 Thickness 1.5mm) Aluminium oxide wafers for TO218/TO247 TPTO218/247cer-1
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	48.92 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

на замовлення 41687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	18.76 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 4530 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

177+	70.01 грн
206+	60.21 грн
1000+	52.06 грн

Мінімальне замовлення: 177

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO220
Length: 12mm
Width: 18mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm

на замовлення 4530 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	64.36 грн
20+	35.54 грн
100+	31.53 грн
1000+	29.02 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

на замовлення 4530 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	77.23 грн
20+	44.29 грн
100+	37.84 грн
1000+	34.82 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 8309 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

24+	30.72 грн
25+	29.17 грн
100+	27.55 грн
500+	24.87 грн
1000+	23.26 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	24.95 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	38.60 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	24.95 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 8289 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

457+	27.12 грн
466+	26.57 грн
500+	25.90 грн
1000+	24.33 грн

Мінімальне замовлення: 457

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	24.95 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 6 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	24.95 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 3

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 3
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0630" (1.600mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
Outline: 14.00mm x 19.30mm

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	42.01 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 3

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 3

Aluminum Oxide Wafers

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 3

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	54.35 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 4

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 6239 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

109+	114.59 грн
163+	76.39 грн
1000+	52.55 грн

Мінімальне замовлення: 109

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 4

на замовлення 6239 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	88.41 грн
20+	72.51 грн
100+	46.52 грн
1000+	35.10 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 4

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 4

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 1561 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

18+	40.10 грн
19+	37.86 грн
25+	37.48 грн
100+	35.78 грн
500+	32.80 грн
1000+	31.17 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 4

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 4
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
Outline: 12.00mm x 18.00mm

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	37.81 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 4

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 1554 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

352+	35.21 грн
356+	34.85 грн
359+	34.51 грн
500+	32.94 грн
1000+	30.19 грн

Мінімальне замовлення: 352

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 4

на замовлення 6239 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	73.68 грн
20+	58.19 грн
100+	38.77 грн
1000+	29.25 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 SL

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 S
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.177" (4.50mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
Outline: 14.00mm x 18.00mm

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	68.59 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 220-3

Thickness: 1,6mm; Dimensions: 19,2x13,9 (hole 3,7mm); 25W/m*K; Fischer : AOS 220 3; Aluminium oxide wafers for TO220 19x13mm TPTO220cer-3
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	34.97 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

AOS 247

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO247; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK
Application: TO247
Length: 20mm
Width: 23mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Thickness: 1mm
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Type of heat transfer pad: ceramic
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2657 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	80.28 грн
10+	46.55 грн
35+	32.08 грн
95+	31.14 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOS 247

на замовлення 2657 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	66.90 грн
11+	37.35 грн
35+	26.74 грн
95+	25.95 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

AOS 247

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS 247

dimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 4253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

314+	39.51 грн

Мінімальне замовлення: 314

В кошику од. на суму грн.

AOS 247

dimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 95 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	26.32 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

AOS 3

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium

на замовлення 395 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

64+	193.79 грн
72+	172.53 грн
100+	152.71 грн

Мінімальне замовлення: 64

В кошику од. на суму грн.

AOS 3

dimensions: 40,6x26,3x2,9mm; with holes 2=?4.8mm and 2=?4.8x4.2mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3; Aluminium oxide wafers for TO3 40,6x26,3mm TPTO3cer
кількість в упаковці: 4 шт

на замовлення 26 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

12+	64.44 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

AOS 3

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3; L: 26.3mm; W: 40mm; Thk: 2.9mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3
Length: 26.3mm
Width: 40mm
Thickness: 2.9mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4.2mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm

на замовлення 195 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

3+	156.67 грн
5+	127.39 грн
10+	116.38 грн
11+	92.00 грн
28+	87.28 грн
100+	86.50 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

AOS 3

Aluminium Oxide Wafer

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 17.5mm; W: 20.5mm; Thk: 1.5mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Length: 17.5mm
Width: 20.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Application: TO3P
Type of heat transfer pad: ceramic
Thickness: 1.5mm

на замовлення 40 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	72.83 грн
8+	50.01 грн
10+	46.32 грн
24+	38.92 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	36.11 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P

на замовлення 40 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	87.39 грн
5+	62.32 грн
10+	55.58 грн
24+	46.71 грн
66+	44.16 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P

Description: Aluminium oxide wafers AOS 3 P
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TOP-3
Outline: 17.50mm x 20.50mm
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	43.15 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P 2

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK
Mounting hole diameter: 3.6mm
Length: 20mm
Width: 23mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Application: TO3P
Type of heat transfer pad: ceramic
Thickness: 1mm

на замовлення 1190 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	133.80 грн
5+	103.80 грн
10+	102.23 грн
11+	86.50 грн
30+	81.78 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P 2

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P 2

на замовлення 1190 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	160.56 грн
5+	129.35 грн
10+	122.67 грн
11+	103.80 грн
30+	98.14 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P 2

Description: Aluminium oxide wafers AOS 3 P 2
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0394" (1.000mm)
Thermal Resistivity: 0.3°C/W
Usage: TOP-3
Thermal Conductivity: 25W/m-K

на замовлення 990 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	104.36 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P 2

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

на замовлення 1190 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

73+	171.29 грн
80+	156.28 грн
100+	144.10 грн

Мінімальне замовлення: 73

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P SL

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 103 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P SL

dimensions: 20,5x17,5x1,5mm, with hole ?3,1mm; 0,3 K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P SL; AOS 3 P-SL; Aluminium oxide wafers for TOP3 20x17mm TPTO3pcer SL
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	26.92 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P SL

на замовлення 604 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	77.91 грн
7+	62.12 грн
10+	56.62 грн
19+	48.75 грн
52+	46.39 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	42.10 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P SL

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 604 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

133+	93.16 грн
141+	87.84 грн

Мінімальне замовлення: 133

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P SL

на замовлення 604 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	93.49 грн
5+	77.41 грн
10+	67.94 грн
19+	58.50 грн
52+	55.67 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P SL

Description: Aluminium oxide wafers AOS 3 P S
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TOP-3
Outline: 17.50mm x 20.50mm
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None

на замовлення 960 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

20+	52.18 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

AOS 32

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO126,TO32; L: 8mm; W: 11mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO32; TO126
Length: 8mm
Width: 11mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 294 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	100.60 грн
5+	62.13 грн
10+	51.71 грн
30+	38.03 грн
80+	35.95 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOS 32

на замовлення 294 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	83.84 грн
8+	49.85 грн
10+	43.09 грн
30+	31.69 грн
80+	29.96 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

AOS 32

Aluminium Oxide Wafer

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 32

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium

на замовлення 151 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS 3P2

dimensions: 23x20x1mm; with hole ?3,6mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P 2; Aluminium oxide wafers for TOP3 23x20mm TPTO3pcer-2
кількість в упаковці: 4 шт

на замовлення 56 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

12+	61.69 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

AOS 5

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 66

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5 Mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 66

Description: Aluminium oxide wafers AOS 66
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Round
Thickness: 0.0984" (2.500mm)
Thermal Resistivity: 0.3°C/W
Usage: TO-66
Thermal Conductivity: 25W/m-K

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	104.12 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

AOS 93

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS SL (53X24X1,5MM) W001119

ALUMINIUM OXIDE WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS SL (53X24X1MM) W001119

ALUMINIUM OXIDE WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS SL (72,1X24X1,5MM) W001121

ALUMINIUM OXIDE WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS SL (72,1X24X1MM) W001121

ALUMINIUM OXIDE WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS SPECIAL 33X29X1.27

Aluminium Oxide Wafer

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS-SPECIAL

AOS-SPECIAL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS-SPECIAL W006836

44 X 48 X 1,5 mm. 3 holes 4,7 mm. 1 hole 3,8 mm.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS218/247 Керамічна прокладка 3мм 25x21 TO218/247
Код товару: 29478

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна, 3мм 25х21мм, для ТО-218, ТО-247, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 21х25х3мм + отв.4,0мм, під корпус TO-218, TO-247
Матеріал: Кераміка
Колір: білий

у наявності 381 шт:

379 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ

1+	55.00 грн
10+	49.00 грн

В кошику од. на суму грн.

AOS218/247/1 Керамічна прокладка 1,5мм 25x21
Код товару: 53560

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-218, ТО-247; 1,5мм, 25х21мм, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 1,5мм, 25х21мм, під корпус ТО-218, ТО-247
Матеріал: Кераміка
Колір: білий

товару немає в наявності

1+	72.00 грн
10+	66.50 грн

В кошику од. на суму грн.

AOS218/247/1 Керамічна прокладка 1мм 25x20 TO218/247
Код товару: 131173

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-218, ТО-247; 1мм, 25х21мм, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 1мм, 25х21мм, під корпус ТО-218, ТО-247
Матеріал: Кераміка
Колір: білий

у наявності 1 шт:

1 шт - склад

1+	48.00 грн
10+	43.20 грн

В кошику од. на суму грн.

AOS220

Fischer Electronik

Прокладка керамічна до ТО220; Розм = 12 x 18 x 1,5 мм; Теплопров. = 25 Вт/мК; Ел. ізол. = 10 кВ/мм; 12x18x1.5mm

на замовлення 100 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:12mm; W:18mm; D:1.5mm
Код товару: 42354

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:1.5mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 12х18х1,5мм + отв.3,1мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: білий

товару немає в наявності

очікується 300 шт:

300 шт - очікується

1+	28.00 грн
10+	25.20 грн
100+	22.50 грн

В кошику од. на суму грн.

AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:12mm; W:18mm; D:2mm
Код товару: 214305

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:2mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 12х18х2мм + отв.3,1мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: білий

у наявності 300 шт:

300 шт - склад

В кошику од. на суму грн.

AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm, H:2mm
Код товару: 204993

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Розмір: 19,2х13,9х2мм + отв.3,2мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: білий

у наявності 25 шт:

25 шт - склад

1+	33.00 грн
10+	29.80 грн

В кошику од. на суму грн.

AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm; H:1mm
Код товару: 165257

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Розмір: 19,2х13,9х1мм + отв.3,7мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: білий

товару немає в наявності

1+	26.00 грн
10+	23.50 грн
100+	21.20 грн

В кошику од. на суму грн.

AOS220-4

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm (hole 4mm); Replacement: Fischer AOS 220 4; AOS220/4; AOS 220-4; Aluminium oxide wafers for TO220 TPTO220cer-4
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 670 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	32.61 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

AOS220-4

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm (hole 4mm); Replacement: Fischer AOS 220 4; AOS220/4; AOS 220-4; Aluminium oxide wafers for TO220 TPTO220cer-4
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 1500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	32.61 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

AOS220/4 Прокладка теплопроводящая: керамическая: TO220: L:12мм: W:18мм. Диаметр монтажного отверстия 4 мм
Код товару: 112401

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS220/4; (18х12х1.5 мм); оксид алюминия; ТО-220; 10kV/mm; Теплопров.:25Вт/м*К; FISCHER (шт)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

9+	33.01 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

AOS220SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS220SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	132.17 грн
10+	119.71 грн
25+	112.95 грн
50+	106.49 грн
100+	93.84 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

AOS220SL

Thickness: 4,5mm; Dimensions: 18x14mm (hole 3,5mm); Fischer : AOS 220 SL; Aluminium oxide wafers for TO220 18x14mm TPTO220cer SL
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

15+	44.60 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

AOS247 Керамічна прокладка TO-247
Код товару: 35986

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-247, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 20х23х1мм, під корпус TO-247
Матеріал: Кераміка
Колір: білий

у наявності 2 шт:

1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків

1+	25.00 грн
10+	22.50 грн

В кошику од. на суму грн.

AOS296A001

FISCHER ELEKTRONIK GmbH und Co. KG

AOD296A_001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS32

Теплопроводящая прокладка керамическая, TO126, L=11мм, W=8мм, монт. отверствие 3,1мм

на замовлення 3 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS32

Dimensions: 11x8x1.5mm; with a hole ?3.1mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 32; Aluminium oxide wafers for SOT32 TPSOT32cer
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 18 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	35.76 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

AOS32 прокладка керамічна
Код товару: 75513

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS322N-B

Description: TWS
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS322N-B

Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators TWS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS322N-R

Description: (TWS)
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS322N-R

Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators (TWS)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS3P

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS3P

dimensions: 20,5x17,5x1,5mm; with hole ?3,1mm (cut corners); 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer : AOS 3 P; Aluminium oxide wafers for TO3P 20,5x17,5mm TPTO3pcer
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 61 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	29.27 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

AOS3P

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 200 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	66.17 грн
12+	61.67 грн
25+	60.04 грн
100+	55.87 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

AOS3P прокладка керамічна для TO3P; L:17.5mm; W:20.5mm
Код товару: 41939

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-3Р, L:17.5mm; W:20.5mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 17,5х20,5х1,5мм + відв.3,1мм, під корпус TO-3P
Матеріал: Кераміка
Колір: білий

товару немає в наявності

1+	22.50 грн
10+	19.80 грн

В кошику од. на суму грн.

AOS3P2 прокладка керамическая для TO3P; L:20mm; W:23mm; D:1mm
Код товару: 112773

Додати до обраних Обраний товар

Корпусні та встановлювальні вироби > Аксесуари до корпусів

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSB113552

07+

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOSD21307

Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	23.54 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSD21307

30V Dual P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD21307

Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

на замовлення 6821 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	91.46 грн
10+	55.44 грн
100+	36.64 грн
500+	26.81 грн
1000+	24.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOSD21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD21311C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 49338 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	72.68 грн
10+	44.04 грн
100+	28.79 грн
500+	20.86 грн
1000+	18.88 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

AOSD21311C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	15.39 грн
6000+	14.41 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSD21311C

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 12.5nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD21313C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 7630 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	88.19 грн
10+	53.47 грн
100+	35.31 грн
500+	25.79 грн
1000+	23.43 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOSD21313C

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -23A
Drain current: -5.7A
Drain-source voltage: -30V
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD21313C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	22.60 грн
6000+	20.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSD26313C

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: -30/30V
Drain current: 5.4/-4.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/55mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 33nC
Version: ESD

на замовлення 2962 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	23.97 грн
29+	13.60 грн
90+	10.38 грн
246+	9.83 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

AOSD26313C

на замовлення 2962 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	28.76 грн
25+	16.95 грн
90+	12.46 грн
246+	11.80 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

AOSD26313C

30V Complementary MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD26313C

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V, 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V, 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD32334C

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 89721 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	46.55 грн
12+	27.36 грн
100+	17.54 грн
500+	12.47 грн
1000+	11.19 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

AOSD32334C

30V Dual N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD32334C

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 87000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.57 грн
6000+	9.30 грн
9000+	8.85 грн
15000+	7.84 грн
21000+	7.56 грн
30000+	7.28 грн
75000+	6.93 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSD32338C

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD62666E

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 7.5A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 6.5nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2773 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	63.00 грн
9+	32.73 грн
25+	27.36 грн
100+	24.91 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

AOSD62666E

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.00 грн
6000+	28.70 грн
9000+	28.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSD62666E

Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD62666E

на замовлення 2773 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	52.50 грн
15+	26.26 грн
25+	22.80 грн
100+	20.76 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

AOSD62666E

Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD62666E

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 27231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.41 грн
10+	72.66 грн
100+	48.62 грн
500+	35.97 грн
1000+	32.86 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

AOSGL.SET.1

Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
Packaging: Box
Diameter: Assorted
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2776.42 грн

В кошику од. на суму грн.

AOSGL.SET.2

Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
Tip Chip Size: Single

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4077.26 грн

В кошику од. на суму грн.

AOSGL.SET.3

Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSN21319C

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.6A; Idm: -10A; 700mW; SC70
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 0.7W
Case: SC70
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: -10A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSN21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.98 грн
6000+	9.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSN21319C

P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSN21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 6699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.36 грн
12+	28.31 грн
100+	18.16 грн
500+	12.93 грн
1000+	11.61 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

AOSN32338C

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSN32338C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; Idm: 20A; 700mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT323
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 20A

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSOP.SET

Description: SOP NOZZLE SET FOR HOT AIR REWOR
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Tip Chip Size: SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP1800

Description: MINI SOLDER POT SP1800, 120 WATT
Packaging: Box
Features: Ceramic Heater
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Analog
Base Unit: SP1800
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 120W
Part Status: Active

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP1800-220V

Description: SP1800 MINI SOLDER POT
Packaging: Box
Features: Ceramic Heater, ESD Safe
Voltage - Input: 220VAC
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Includes: Crucible Pot
Workstand: Included, Not Specified
Control/Display Type: Analog
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 120W
Supplied Iron, Tweezer, Handle: Included, Not Specified
Supplied Tips/Nozzles: Included, Not Specified
Number of Channels: 1

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	8118.59 грн

В кошику од. на суму грн.

AOSP2000+

Description: LEAD FREE SOLDER POT SP2000+ WIT
Packaging: Box
Features: Ceramic Heater, ESD Safe
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 896°F (200°C ~ 480°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Digital
Base Unit: SP2000+
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 600W
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21307

P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21307

Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21307

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V

на замовлення 1065 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	47.42 грн
20+	19.89 грн
23+	17.61 грн
53+	17.46 грн
100+	15.88 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

AOSP21307

P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21311C

Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21311C

P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21313C

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -28A
Drain current: -7A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21313C

Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 4513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	70.23 грн
10+	42.23 грн
100+	27.52 грн
500+	19.91 грн
1000+	18.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

AOSP21313C

P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21313C

Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.38 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V

на замовлення 12019 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	53.08 грн
10+	31.93 грн
100+	20.57 грн
500+	14.72 грн
1000+	13.24 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement

на замовлення 2492 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

24+	17.78 грн
32+	12.66 грн
100+	11.24 грн
500+	10.07 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

на замовлення 2492 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

15+	21.34 грн
25+	15.78 грн
100+	13.49 грн
500+	12.08 грн
3000+	11.42 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.57 грн
6000+	11.09 грн
9000+	10.58 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP21357

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.5A
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±25V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21357

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21357

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21357

Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V

на замовлення 2109 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	123.31 грн
10+	75.33 грн
100+	50.55 грн
500+	37.46 грн
1000+	34.25 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

AOSP21357

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21357

Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32314

Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32314

Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32314

Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32314

Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 15 V

на замовлення 1188 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	73.49 грн
10+	44.35 грн
100+	28.97 грн
500+	21.00 грн
1000+	19.00 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

AOSP32314

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32320C

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	13.33 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP32320C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 22mΩ

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32320C

30V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32320C

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V

на замовлення 8578 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	56.35 грн
10+	33.58 грн
100+	21.72 грн
500+	15.57 грн
1000+	14.02 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

AOSP32368

30V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32368

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V

на замовлення 3122 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.43 грн
10+	36.25 грн
100+	23.50 грн
500+	16.90 грн
1000+	15.24 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

AOSP32368

30V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32368

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.53 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP32368

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	67.07 грн
12+	25.77 грн
13+	21.89 грн
59+	18.97 грн
161+	17.93 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

AOSP32368

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	55.89 грн
20+	20.68 грн
22+	18.24 грн
59+	15.81 грн
161+	14.94 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

AOSP36326C

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V

на замовлення 34432 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.81 грн
11+	29.80 грн
100+	19.14 грн
500+	13.66 грн
1000+	12.27 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

AOSP36326C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3131 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

17+	19.00 грн
25+	13.42 грн
100+	11.42 грн
112+	9.91 грн
307+	9.44 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

AOSP36326C

на замовлення 3131 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

27+	15.84 грн
37+	10.77 грн
100+	9.51 грн
112+	8.26 грн
307+	7.86 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

AOSP36326C

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V

на замовлення 33000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.62 грн
6000+	10.24 грн
9000+	9.76 грн
15000+	8.65 грн
21000+	8.35 грн
30000+	8.05 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP36326C

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP4000

Description: MINI SOLDER POT SP4000, 160 WATT
Packaging: Box
Features: Ceramic Heater
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Analog
Base Unit: SP4000
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 160W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP62530

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP62626E

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66406

AOSP66406 SMD N channel transistors

на замовлення 1904 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	69.20 грн
78+	14.44 грн
212+	13.68 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

AOSP66406

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66406

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66919

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66920

Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 18564 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.84 грн
10+	79.42 грн
100+	53.39 грн
500+	39.65 грн
1000+	36.51 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

AOSP66920

Trans MOSFET N-CH 100V 13.5A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66920

Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.43 грн
6000+	31.83 грн
9000+	31.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP66920

Trans MOSFET N-CH 100V 13.5A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66923

Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66923

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 12A; 3.1W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 3.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of channel: enhancement
Technology: AlphaSGT™

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66923

100V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66923

100V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66923

Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V

на замовлення 3280 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	102.07 грн
10+	62.36 грн
100+	41.47 грн
500+	30.50 грн
1000+	27.79 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOSP66925

Medium Voltage MOSFETs (40V - 400V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66925

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS21115C

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

на замовлення 8406 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	33.48 грн
16+	19.89 грн
100+	12.64 грн
500+	8.89 грн
1000+	7.93 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

AOSS21115C

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 21 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOSS21115C

AOSS21115C SMD P channel transistors

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

19+	16.56 грн
205+	5.47 грн
560+	5.19 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

AOSS21115C

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS21115C

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.42 грн
6000+	6.49 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS21115C

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS21311C

Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	32.22 грн
6000+	26.42 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS21311C

Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

на замовлення 885 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	31.85 грн
17+	18.87 грн
100+	11.98 грн
500+	8.41 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

AOSS21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	30.07 грн
6000+	24.66 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS21311C

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.16 грн
6000+	5.37 грн
9000+	5.08 грн
15000+	4.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS21319C

P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS21319C

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhancement

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 15822 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	28.58 грн
19+	16.91 грн
100+	10.63 грн
500+	7.43 грн
1000+	6.61 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

AOSS21319C

P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS32136C

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V

на замовлення 28828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.66 грн
17+	19.58 грн
100+	12.38 грн
500+	8.70 грн
1000+	7.76 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

AOSS32136C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 38A; 800mW; SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 38A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 3279 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

23+	13.41 грн
38+	7.94 грн
100+	6.89 грн
500+	6.13 грн
3000+	5.47 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

AOSS32136C

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.25 грн
6000+	6.34 грн
9000+	6.01 грн
15000+	5.29 грн
21000+	5.09 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS32136C

20V N-Channel MOSFET

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS32136C

20V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS32136C

на замовлення 3279 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

38+	11.18 грн
62+	6.37 грн
100+	5.74 грн
500+	5.11 грн
3000+	4.56 грн

Мінімальне замовлення: 38

В кошику од. на суму грн.

AOSS32334C

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS32334C

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

на замовлення 8984 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	31.03 грн
18+	18.01 грн
100+	11.39 грн
500+	7.98 грн
1000+	7.10 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

AOSS32334C

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS32334C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23

на замовлення 2810 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

35+	13.04 грн
50+	8.41 грн
100+	7.63 грн
500+	6.68 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

AOSS32334C

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.63 грн
6000+	5.78 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS32334C

на замовлення 2810 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

20+	15.65 грн
30+	10.49 грн
100+	9.15 грн
500+	8.02 грн
3000+	7.27 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

AOSS32338C

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS32338C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.3W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Polarisation: unipolar
Case: SOT23

на замовлення 560 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

35+	12.53 грн
75+	5.38 грн
100+	4.84 грн
500+	4.28 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

AOSS32338C

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.28 грн
6000+	6.52 грн
9000+	6.11 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS32338C

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V

на замовлення 17661 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.76 грн
20+	16.36 грн
100+	10.29 грн
500+	7.18 грн
1000+	6.39 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

AOSS32338C

на замовлення 560 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

25+	15.04 грн
45+	6.70 грн
100+	5.80 грн
500+	5.13 грн
3000+	4.70 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

AOSS32338C

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.80 грн
6000+	6.09 грн
9000+	5.70 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS32338C

30V N-Channel MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS32338C

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V

на замовлення 15000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.94 грн
6000+	5.18 грн
9000+	4.90 грн
15000+	4.30 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS62934

AOSS62934 SMD N channel transistors

на замовлення 1928 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

32+	9.68 грн
223+	5.00 грн
612+	4.73 грн

Мінімальне замовлення: 32

В кошику од. на суму грн.

AOSS62934

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS62934

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS62934

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V

на замовлення 266890 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	40.83 грн
14+	23.91 грн
100+	15.25 грн
500+	10.79 грн
1000+	9.66 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

AOSS62934

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.33 грн
6000+	9.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS62934

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V

на замовлення 264000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	9.09 грн
6000+	7.98 грн
9000+	7.58 грн
15000+	6.70 грн
21000+	6.45 грн
30000+	6.21 грн
75000+	5.76 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS62934 LK.

ALPHA&OMEGA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 AOSS62934; REPLACEMENT HTSEMI PTL03N10; AOSS62934 TAOSS62934
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.64 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

AOSX21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSX32128