Продукція > AOS

AOS 113 X 165 X 0,635

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 127

Aluminum Oxide Wafers With Dielectric Constant 9

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 18

Aluminium Oxide Wafer

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; Thk: 3mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thickness: 3mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247

RICHONE

dimensions: 25x21x3.0mm; with hole ?4mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 218 247; AOS218/247; Aluminium oxide wafers for TO218/TO247 (3.0mm) TPTO218/247cer
кількість в упаковці: 40 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

40+	51.25 грн

Мінімальне замовлення: 40

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

на замовлення 1162 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

8+	49.12 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 1034 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

161+	76.42 грн
164+	74.70 грн
170+	72.09 грн
500+	67.69 грн
1000+	61.76 грн

Мінімальне замовлення: 161

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247

RICHONE

на замовлення 10 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	51.25 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 1035 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	86.20 грн
10+	81.71 грн
25+	79.86 грн
100+	74.32 грн
500+	67.01 грн
1000+	63.39 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247 1

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; 25W/mK
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1648 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	270.21 грн
7+	189.05 грн
17+	171.67 грн
2000+	170.73 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247 1

Aluminium Oxide Wafer

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247 1

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum

на замовлення 1648 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

35+	353.96 грн
39+	317.30 грн
100+	271.38 грн
1000+	225.42 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247 1

на замовлення 1648 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

2+	225.17 грн
7+	151.71 грн
17+	143.06 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247 1

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	223.01 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

AOS 218 247 1

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum

на замовлення 108 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	238.43 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

AOS 218/247-1

RICHONE

Dimensions: 25x21x1.5mm; with hole ?4mm; 0.3K/W; 25W/m*K; (Fischer : AOS 218 247-1 Thickness 1.5mm) Aluminium oxide wafers for TO218/TO247 TPTO218/247cer-1

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 34028 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

23+	31.41 грн
24+	30.03 грн
25+	29.70 грн
100+	27.88 грн
500+	25.13 грн
1000+	23.48 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO220
Length: 12mm
Width: 18mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 300 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	24.66 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 34020 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

441+	27.75 грн
453+	27.01 грн
500+	26.30 грн
1000+	24.68 грн

Мінімальне замовлення: 441

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	24.66 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	38.58 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

на замовлення 41687 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

19+	18.75 грн

Мінімальне замовлення: 19

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 6 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	24.66 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 4439 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

204+	60.04 грн
230+	53.31 грн
1000+	48.97 грн

Мінімальне замовлення: 204

В кошику од. на суму грн.

AOS 220

Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
кількість в упаковці: 50 шт

на замовлення 100 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

50+	24.66 грн

Мінімальне замовлення: 50

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 3

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 3
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0630" (1.600mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

25+	42.09 грн

Мінімальне замовлення: 25

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 3

Aluminum Oxide Wafers

на замовлення 13 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 3

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 3

Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

100+	53.70 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 4

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO220
Length: 12mm
Width: 18mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 4

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 4

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 4
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

30+	37.88 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 4

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 4

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 4317 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

125+	98.28 грн
187+	65.52 грн
1000+	49.43 грн

Мінімальне замовлення: 125

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 SL

Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 S
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.177" (4.50mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

15+	68.73 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

AOS 220 SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 220-3

Thickness: 1,6mm; Dimensions: 19,2x13,9 (hole 3,7mm); 25W/m*K; Fischer : AOS 220 3; Aluminium oxide wafers for TO220 19x13mm TPTO220cer-3
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	34.55 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

AOS 220-3

Category: Semiconductors - accessories - Unclass.
Description: AOS 220-3

на замовлення 175 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	60.10 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

AOS 247

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS 247

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO247; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO247
Thickness: 1mm
Length: 20mm
Width: 23mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 792 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	80.25 грн
10+	46.53 грн
35+	32.07 грн
94+	30.18 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOS 247

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 4253 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

314+	39.04 грн

Мінімальне замовлення: 314

В кошику од. на суму грн.

AOS 247

на замовлення 792 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

7+	66.87 грн
11+	37.34 грн
35+	26.73 грн
94+	25.15 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

AOS 247

dimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna

на замовлення 500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS 3

dimensions: 40,6x26,3x2,9mm; with holes 2=?4.8mm and 2=?4.8x4.2mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3; Aluminium oxide wafers for TO3 40,6x26,3mm TPTO3cer
кількість в упаковці: 4 шт

на замовлення 26 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

12+	63.67 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

AOS 3

AOS3 Heatsinks - equipment

на замовлення 33 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	198.08 грн
11+	110.36 грн
28+	103.76 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

AOS 3

Aluminium Oxide Wafer

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

на замовлення 95 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	36.10 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P

AOS3P Heatsinks - equipment

на замовлення 148 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	92.44 грн
24+	46.60 грн
66+	44.05 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P 2

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3P
Length: 20mm
Width: 23mm
Thickness: 1mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.6mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm

на замовлення 2483 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

4+	133.75 грн
5+	103.76 грн
10+	102.19 грн
11+	86.47 грн
30+	81.75 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P 2

на замовлення 2483 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

2+	160.50 грн
5+	129.30 грн
10+	122.62 грн
11+	103.76 грн
30+	98.10 грн

Мінімальне замовлення: 2

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P 2

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

на замовлення 2513 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

75+	164.31 грн
82+	149.48 грн
100+	138.73 грн

Мінімальне замовлення: 75

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P 2

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P SL

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 2238 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

141+	86.80 грн
150+	81.54 грн

Мінімальне замовлення: 141

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	42.08 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P SL

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	73.27 грн
25+	70.11 грн
50+	66.37 грн
100+	59.63 грн
1000+	55.86 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P SL

dimensions: 20,5x17,5x1,5mm, with hole ?3,1mm; 0,3 K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P SL; AOS 3 P-SL; Aluminium oxide wafers for TOP3 20x17mm TPTO3pcer SL
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 70 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

30+	26.60 грн

Мінімальне замовлення: 30

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P SL

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 2728 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

178+	68.82 грн
186+	65.84 грн
190+	64.64 грн
195+	60.49 грн
1000+	54.64 грн

Мінімальне замовлення: 178

В кошику од. на суму грн.

AOS 3 P SL

AOS3PSL Heatsinks - equipment

на замовлення 1597 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	98.53 грн
19+	58.48 грн
52+	55.65 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOS 32

Category: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO126,TO32; L: 8mm; W: 11mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO32; TO126
Length: 8mm
Width: 11mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Mounting hole diameter: 3.1mm
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 181 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

4+	100.57 грн
5+	62.10 грн
10+	51.69 грн
30+	38.01 грн
80+	35.94 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOS 32

на замовлення 181 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

6+	83.80 грн
8+	49.84 грн
10+	43.08 грн
30+	31.68 грн
80+	29.95 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

AOS 32

FISCHER ELEKTRONIK GmbH und Co. KG

Aluminium Oxide Wafer

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 32 : ASO32

AOS32 Теплопроводящая прокладка керамическая, TO126, L=11мм, W=8мм, монт. отверствие 3,1мм

на замовлення 3 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS 3P2

dimensions: 23x20x1mm; with hole ?3,6mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P 2; Aluminium oxide wafers for TOP3 23x20mm TPTO3pcer-2
кількість в упаковці: 4 шт

на замовлення 56 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

12+	60.96 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

AOS 5

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 66

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5 Mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS 66

Description: Aluminium oxide wafers AOS 66
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Round
Thickness: 0.0984" (2.500mm)
Thermal Resistivity: 0.3°C/W
Usage: TO-66
Thermal Conductivity: 25W/m-K

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	104.08 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

AOS 93

Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS SL (53X24X1,5MM) W001119

ALUMINIUM OXIDE WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS SL (53X24X1MM) W001119

ALUMINIUM OXIDE WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS SL (72,1X24X1,5MM) W001121

ALUMINIUM OXIDE WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS SL (72,1X24X1MM) W001121

ALUMINIUM OXIDE WAFER

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS SPECIAL 33X29X1.27

Aluminium Oxide Wafer

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS-SPECIAL

AOS-SPECIAL

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS-SPECIAL W006836

44 X 48 X 1,5 mm. 3 holes 4,7 mm. 1 hole 3,8 mm.

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS218/247 Керамічна прокладка 3мм 25x21 TO218/247
Код товару: 29478

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна, 3мм 25х21мм, для ТО-218, ТО-247, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 21х25х3мм + отв.4,0мм, під корпус TO-218, TO-247
Матеріал: Кераміка
Колір: білий

у наявності 381 шт:

379 шт - склад
2 шт - РАДІОМАГ-Київ

1+	55.00 грн
10+	49.00 грн

В кошику од. на суму грн.

AOS218/247/1 Керамічна прокладка 1,5мм 25x21
Код товару: 53560

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-218, ТО-247; 1,5мм, 25х21мм, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 1,5мм, 25х21мм, під корпус ТО-218, ТО-247
Матеріал: Кераміка
Колір: білий

у наявності 40 шт:

22 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	72.00 грн
10+	66.50 грн

В кошику од. на суму грн.

AOS218/247/1 Керамічна прокладка 1мм 25x20 TO218/247
Код товару: 131173

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-218, ТО-247; 1мм, 25х21мм, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 1мм, 25х21мм, під корпус ТО-218, ТО-247
Матеріал: Кераміка
Колір: білий

у наявності 1 шт:

1 шт - склад

1+	48.00 грн
10+	43.20 грн

В кошику од. на суму грн.

AOS220

Fischer Electronik

Прокладка керамічна до ТО220; Розм = 12 x 18 x 1,5 мм; Теплопров. = 25 Вт/мК; Ел. ізол. = 10 кВ/мм; 12x18x1.5mm

на замовлення 100 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:12mm; W:18mm; D:1.5mm
Код товару: 42354

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:1.5mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 12х18х1,5мм + отв.3,1мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: білий

у наявності 93 шт:

17 шт - склад
16 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Львів
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	28.00 грн
10+	25.20 грн
100+	22.50 грн

В кошику од. на суму грн.

AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm; H:1mm
Код товару: 165257

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Розмір: 19,2х13,9х1мм + отв.3,7мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: білий

товару немає в наявності

1+	26.00 грн
10+	23.50 грн
100+	21.20 грн

В кошику од. на суму грн.

AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm, H:2mm
Код товару: 204993

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Розмір: 19,2х13,9х2мм + отв.3,2мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: білий

у наявності 25 шт:

25 шт - склад

1+	33.00 грн
10+	29.80 грн

В кошику од. на суму грн.

AOS220/4 Прокладка теплопроводящая: керамическая: TO220: L:12мм: W:18мм. Диаметр монтажного отверстия 4 мм
Код товару: 112401

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS220/4; (18х12х1.5 мм); оксид алюминия; ТО-220; 10kV/mm; Теплопров.:25Вт/м*К; FISCHER (шт)

на замовлення 14 шт:

термін постачання 2-3 дні (днів)

14+	50.09 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

AOS220SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS220SL

Thickness: 4,5mm; Dimensions: 18x14mm (hole 3,5mm); Fischer : AOS 220 SL; Aluminium oxide wafers for TO220 18x14mm TPTO220cer SL
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 50 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

15+	44.07 грн

Мінімальне замовлення: 15

В кошику од. на суму грн.

AOS220SL

Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide

на замовлення 100 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	130.60 грн
10+	118.29 грн
25+	111.61 грн
50+	105.22 грн
100+	92.73 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

AOS247 Керамічна прокладка TO-247
Код товару: 35986

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-247, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 20х23х1мм, під корпус TO-247
Матеріал: Кераміка
Колір: білий

у наявності 18 шт:

4 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
6 шт - РАДІОМАГ-Дніпро

1+	25.00 грн
10+	22.50 грн

В кошику од. на суму грн.

AOS296A001

AOD296A_001

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS32

Dimensions: 11x8x1.5mm; with a hole ?3.1mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 32; Aluminium oxide wafers for SOT32 TPSOT32cer
кількість в упаковці: 10 шт

на замовлення 18 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	35.34 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

AOS32 прокладка керамічна
Код товару: 75513

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS322N-B

Description: TWS
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS322N-B

Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators TWS

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS322N-R

Description: (TWS)
Packaging: Bulk

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS322N-R

Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators (TWS)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOS3P

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 306 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	70.26 грн
11+	65.98 грн
25+	63.41 грн
50+	59.09 грн
100+	52.19 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

AOS3P

dimensions: 20,5x17,5x1,5mm; with hole ?3,1mm (cut corners); 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer : AOS 3 P; Aluminium oxide wafers for TO3P 20,5x17,5mm TPTO3pcer
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 61 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

20+	28.93 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

AOS3P

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 294 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

198+	61.99 грн
206+	59.58 грн
213+	57.57 грн
223+	52.95 грн

Мінімальне замовлення: 198

В кошику од. на суму грн.

AOS3P

Thermally Conductive Gap Thermal Pads

на замовлення 150 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOS3P прокладка керамічна для TO3P; L:17.5mm; W:20.5mm
Код товару: 41939

Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-3Р, L:17.5mm; W:20.5mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 17,5х20,5х1,5мм + відв.3,1мм, під корпус TO-3P
Матеріал: Кераміка
Колір: білий

товару немає в наявності

1+	22.50 грн
10+	19.80 грн

В кошику од. на суму грн.

AOS3P2 прокладка керамическая для TO3P; L:20mm; W:23mm; D:1mm
Код товару: 112773

Додати до обраних Обраний товар

Корпусні та встановлювальні вироби > Аксесуари до корпусів

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSB113552

07+

на замовлення 2700 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOSD21307

30V Dual P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD21307

Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

на замовлення 6931 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	98.77 грн
10+	59.98 грн
100+	39.64 грн
500+	29.00 грн
1000+	26.37 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOSD21307

Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	25.47 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSD21311C

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5A; Idm: -20A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -5A
Gate charge: 12.5nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD21311C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD21311C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 51745 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	79.18 грн
10+	47.63 грн
100+	31.14 грн
500+	22.57 грн
1000+	20.43 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

AOSD21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD21311C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 48000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	16.65 грн
6000+	15.59 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSD21313C

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -5.7A; Idm: -23A; 1.1W; SO8
Kind of channel: enhancement
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -23A
Drain current: -5.7A
Gate charge: 22nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD21313C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	24.45 грн
6000+	21.81 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSD21313C

Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 7712 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	95.50 грн
10+	57.85 грн
100+	38.19 грн
500+	27.90 грн
1000+	25.35 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOSD21313C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD26313C

30V Complementary MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD26313C

Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V, 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V, 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD26313C

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: -30/30V
Drain current: 5.4/-4.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/55mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 33nC

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

18+	23.96 грн
29+	13.60 грн
89+	10.38 грн
245+	9.83 грн

Мінімальне замовлення: 18

В кошику од. на суму грн.

AOSD26313C

на замовлення 2987 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

11+	28.75 грн
25+	16.95 грн
89+	12.45 грн
245+	11.79 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

AOSD32334C

AOSD32334C Multi channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD32334C

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 107081 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	47.34 грн
12+	28.06 грн
100+	17.97 грн
500+	12.78 грн
1000+	11.46 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

AOSD32334C

30V Dual N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD32334C

Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 105000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.83 грн
6000+	9.53 грн
9000+	9.07 грн
15000+	8.03 грн
21000+	7.74 грн
30000+	7.46 грн
75000+	7.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSD32338C

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD62666E

Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD62666E

Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD62666E

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 27231 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	118.36 грн
10+	72.63 грн
100+	48.60 грн
500+	35.95 грн
1000+	32.85 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

AOSD62666E

Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSD62666E

Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active

на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.98 грн
6000+	28.68 грн
9000+	28.20 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSD62666E

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSGL.SET.1

Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
Packaging: Box
Diameter: Assorted
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active

на замовлення 1 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	2775.35 грн

В кошику од. на суму грн.

AOSGL.SET.2

Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
Tip Chip Size: Single

на замовлення 3 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	4075.68 грн

В кошику од. на суму грн.

AOSGL.SET.3

Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSN21319C

P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSN21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 8660 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	51.43 грн
11+	30.58 грн
100+	19.64 грн
500+	13.99 грн
1000+	12.56 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

AOSN21319C

AOSN21319C SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSN21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 8350 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.88 грн
6000+	10.46 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSN32338C

AOSN32338C SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSN32338C

Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSOP.SET

Description: SOP NOZZLE SET FOR HOT AIR REWOR
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Tip Chip Size: SOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP1800

Description: MINI SOLDER POT SP1800, 120 WATT
Features: Ceramic Heater
Packaging: Box
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Analog
Base Unit: SP1800
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 120W
Part Status: Active

на замовлення 12 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	7944.03 грн

В кошику од. на суму грн.

AOSP1800-220V

Description: SP1800 MINI SOLDER POT
Features: Ceramic Heater, ESD Safe
Packaging: Box
Voltage - Input: 220VAC
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Includes: Crucible Pot
Workstand: Included, Not Specified
Control/Display Type: Analog
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 120W
Supplied Iron, Tweezer, Handle: Included, Not Specified
Supplied Tips/Nozzles: Included, Not Specified
Number of Channels: 1

на замовлення 7 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

1+	8115.45 грн

В кошику од. на суму грн.

AOSP2000+

Description: LEAD FREE SOLDER POT SP2000+ WIT
Features: Ceramic Heater, ESD Safe
Packaging: Box
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 896°F (200°C ~ 480°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Digital
Base Unit: SP2000+
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 600W
Part Status: Obsolete

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21307

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 1070 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

6+	56.89 грн
12+	24.78 грн
14+	21.13 грн
54+	20.94 грн
100+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

AOSP21307

P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21307

на замовлення 1070 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

9+	47.40 грн
20+	19.89 грн
23+	17.61 грн
54+	17.45 грн
100+	15.88 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

AOSP21307

P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21307

Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21311C

P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21311C

Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21313C

Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	17.60 грн
6000+	15.62 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP21313C

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -7A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 22nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -28A
кількість в упаковці: 3000 шт

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21313C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21313C

Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V

на замовлення 7795 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	71.83 грн
10+	43.08 грн
100+	28.11 грн
500+	20.33 грн
1000+	18.38 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

AOSP21313C

P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.06 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	12.84 грн
6000+	11.33 грн
9000+	10.80 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.25 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 2659 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

14+	23.06 грн
25+	17.04 грн
88+	12.55 грн
241+	11.89 грн

Мінімальне замовлення: 14

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V

на замовлення 13625 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	54.69 грн
10+	32.54 грн
100+	21.01 грн
500+	15.03 грн
1000+	13.52 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

на замовлення 2659 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

23+	19.22 грн
29+	13.68 грн
88+	10.45 грн
241+	9.90 грн

Мінімальне замовлення: 23

В кошику од. на суму грн.

AOSP21321

Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.24 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP21357

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21357

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.5A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
кількість в упаковці: 1 шт

на замовлення 184 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	67.04 грн
11+	27.43 грн
13+	23.20 грн
56+	20.09 грн
152+	19.05 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

AOSP21357

Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21357

на замовлення 184 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

8+	55.87 грн
18+	22.01 грн
21+	19.34 грн
56+	16.74 грн
152+	15.88 грн

Мінімальне замовлення: 8

В кошику од. на суму грн.

AOSP21357

Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP21357

Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V

на замовлення 2213 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	137.13 грн
10+	83.64 грн
100+	56.10 грн
500+	41.57 грн
1000+	38.01 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

AOSP32314

Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 15 V

на замовлення 761 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	81.63 грн
10+	49.13 грн
100+	32.13 грн
500+	23.29 грн

Мінімальне замовлення: 4

В кошику од. на суму грн.

AOSP32314

Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32314

Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32314

Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32314

AOSP32314 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32320C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 22mΩ
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Drain current: 8.5A
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32320C

30V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32320C

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V

на замовлення 8613 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

6+	60.40 грн
10+	36.08 грн
100+	23.35 грн
500+	16.73 грн
1000+	15.07 грн

Мінімальне замовлення: 6

В кошику од. на суму грн.

AOSP32320C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32320C

Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	14.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP32368

AOSP32368 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32368

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V

на замовлення 573 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	67.75 грн
10+	40.56 грн
100+	26.29 грн
500+	18.90 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

AOSP32368

30V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32368

30V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP32368

Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP36326C

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V

на замовлення 18000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	11.64 грн
6000+	10.26 грн
9000+	9.78 грн
15000+	8.67 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP36326C

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP36326C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8

на замовлення 314 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

27+	15.83 грн
37+	10.77 грн
100+	9.51 грн
112+	8.33 грн
307+	7.86 грн

Мінімальне замовлення: 27

В кошику од. на суму грн.

AOSP36326C

Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V

на замовлення 20503 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

7+	49.79 грн
11+	29.87 грн
100+	19.18 грн
500+	13.68 грн
1000+	12.29 грн

Мінімальне замовлення: 7

В кошику од. на суму грн.

AOSP36326C

на замовлення 314 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

17+	19.00 грн
25+	13.42 грн
100+	11.41 грн
112+	10.00 грн
307+	9.43 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

AOSP4000

Description: MINI SOLDER POT SP4000, 160 WATT
Features: Ceramic Heater
Packaging: Box
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Analog
Base Unit: SP4000
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 160W

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP62530

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 75 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP62626E

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 30 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66406

N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66406

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 20 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66406

AOSP66406 SMD N channel transistors

на замовлення 1995 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

5+	69.18 грн
78+	14.34 грн
212+	13.58 грн

Мінімальне замовлення: 5

В кошику од. на суму грн.

AOSP66919

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66919

AOSP66919 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66920

Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	35.48 грн
6000+	31.87 грн
9000+	31.83 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP66920

Trans MOSFET N-CH 100V 13.5A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66920

AOSP66920 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66920

Trans MOSFET N-CH 100V 13.5A 8-Pin SOIC T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66920

Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V

на замовлення 13828 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	129.79 грн
10+	79.47 грн
100+	53.46 грн
500+	39.70 грн
1000+	36.56 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

AOSP66923

Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V

на замовлення 3892 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	111.83 грн
10+	67.91 грн
100+	45.18 грн
500+	33.23 грн
1000+	30.28 грн

Мінімальне замовлення: 3

В кошику од. на суму грн.

AOSP66923

AOSP66923 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66923

100V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66923

Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSP66923

100V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66925

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 11A; Idm: 44A; 2W
Case: SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
On-state resistance: 12.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 23nC
Technology: AlphaSGT™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Mounting: SMD

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66925

Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 50 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66925

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSP66925

Medium Voltage MOSFETs (40V - 400V)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS21115C

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 31 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

AOSS21115C

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.03 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS21115C

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 5 шт

на замовлення 515 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

20+	15.85 грн
40+	7.41 грн
100+	6.28 грн
205+	5.49 грн
560+	5.19 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

AOSS21115C

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS21115C

Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS21115C

на замовлення 515 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

35+	13.21 грн
70+	5.94 грн
100+	5.24 грн
205+	4.57 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

AOSS21115C

Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V

на замовлення 4036 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.92 грн
15+	21.54 грн
100+	13.67 грн
500+	9.61 грн
1000+	8.57 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

AOSS21311C

Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

на замовлення 3639 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	35.92 грн
15+	21.30 грн
100+	13.47 грн
500+	9.46 грн
1000+	8.43 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

AOSS21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	29.71 грн
6000+	24.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS21311C

Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.3W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Version: ESD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
On-state resistance: 45mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS21311C

Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.88 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	31.83 грн
6000+	26.10 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS21311C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS21311C

Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 30511 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

11+	31.83 грн
17+	19.02 грн
100+	11.96 грн
500+	8.37 грн
1000+	7.44 грн

Мінімальне замовлення: 11

В кошику од. на суму грн.

AOSS21319C

AOSS21319C SMD P channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS21319C

P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.21 грн
6000+	5.47 грн
9000+	5.20 грн
15000+	4.60 грн
21000+	4.44 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS21319C

P-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS32136C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 38A; 800mW; SOT23
Gate charge: 14nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 38A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar

на замовлення 324 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

36+	12.02 грн
58+	6.84 грн
100+	6.21 грн
195+	4.72 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

AOSS32136C

на замовлення 324 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

22+	14.42 грн
35+	8.52 грн
100+	7.45 грн
195+	5.66 грн
535+	5.38 грн

Мінімальне замовлення: 22

В кошику од. на суму грн.

AOSS32136C

20V N-Channel MOSFET

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.79 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS32136C

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V

на замовлення 154738 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	32.65 грн
17+	19.26 грн
100+	12.22 грн
500+	8.58 грн
1000+	7.65 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

AOSS32136C

20V N-Channel MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS32136C

Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V

на замовлення 153000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.16 грн
6000+	6.26 грн
9000+	5.93 грн
15000+	5.22 грн
21000+	5.02 грн
30000+	4.83 грн
75000+	4.32 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS32334C

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.36 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS32334C

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS32334C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS32334C

Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V

на замовлення 3692 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

10+	34.28 грн
16+	20.04 грн
100+	12.65 грн
500+	8.86 грн
1000+	7.89 грн

Мінімальне замовлення: 10

В кошику од. на суму грн.

AOSS32334C

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS32334C

Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS32338C

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement

на замовлення 920 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

35+	13.54 грн
70+	5.79 грн
100+	5.22 грн
215+	4.31 грн
590+	4.07 грн

Мінімальне замовлення: 35

В кошику од. на суму грн.

AOSS32338C

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V

на замовлення 27000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	5.99 грн
6000+	5.22 грн
9000+	4.94 грн
15000+	4.34 грн
21000+	4.16 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS32338C

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	6.72 грн
6000+	6.02 грн
9000+	5.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS32338C

на замовлення 920 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

20+	16.25 грн
45+	7.21 грн
100+	6.26 грн
215+	5.17 грн
590+	4.88 грн

Мінімальне замовлення: 20

В кошику од. на суму грн.

AOSS32338C

30V N-Channel MOSFET

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	3.18 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS32338C

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS32338C

Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V

на замовлення 27332 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

12+	27.75 грн
20+	16.51 грн
100+	10.37 грн
500+	7.24 грн
1000+	6.44 грн

Мінімальне замовлення: 12

В кошику од. на суму грн.

AOSS32338C

Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.20 грн
6000+	6.45 грн
9000+	6.04 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS62934

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	7.23 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS62934

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V

на замовлення 294000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	8.97 грн
6000+	7.87 грн
9000+	7.48 грн
15000+	6.61 грн
21000+	6.36 грн
30000+	6.13 грн
75000+	5.68 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS62934

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3000+	10.20 грн
6000+	9.21 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

AOSS62934

AOSS62934 SMD N channel transistors

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS62934

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSS62934

Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V

на замовлення 297975 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

9+	40.00 грн
14+	23.58 грн
100+	15.04 грн
500+	10.65 грн
1000+	9.53 грн

Мінімальне замовлення: 9

В кошику од. на суму грн.

AOSS62934 LK.

ALPHA&OMEGA

Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 AOSS62934; REPLACEMENT HTSEMI PTL03N10; AOSS62934 TAOSS62934
кількість в упаковці: 100 шт

на замовлення 200 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

100+	6.56 грн

Мінімальне замовлення: 100

В кошику од. на суму грн.

AOSX21319C

Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

AOSX32128