Продукція > AOS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOS 113 X 165 X 0,635 | Fischer Elektronik | AOS 113 X 165 X 0,635 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 127 | FISCHER ELEKTRONIK | Description: FISCHER ELEKTRONIK - AOS 127 - Wärmeisolator, TO 127, Aluminiumoxidkeramik, 25 W/m.K, 3 mm, 10000000 MOhm-m tariffCode: 85479000 Spannungsfestigkeit: 10kV/mm rohsCompliant: YES Wärmewiderstand: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y usEccn: EAR99 Isolatoraußenmaterial: Aluminiumoxidkeramik Durchbruchspannung Vbr: - euEccn: NLR Spezifischer Durchgangswiderstand: 10000000MOhm-m Dicke: 3mm Produktpalette: - productTraceability: No Wärmeleitfähigkeit: 25W/m.K SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 127 | Fischer Elektronik | Aluminum Oxide Wafers With Dielectric Constant 9 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 18 | Fischer Elektronik | Aluminium Oxide Wafer | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 218 247 | Fischer Elektronik | Thermally Conductive Gap Thermal Pads | на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 218 247 | Fischer Elektronik | Thermally Conductive Gap Thermal Pads | на замовлення 3038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 218 247 | Fischer Elektronik | Thermally Conductive Gap Thermal Pads | на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 218 247 | Fischer Elektronik | Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide | на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 218 247 | FISCHER ELEKTRONIK | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; Thk: 3mm Application: TO218; TO247 Length: 21mm Width: 25mm Thermal conductivity: 25W/mK Thickness: 3mm Mounting hole diameter: 4mm Electrical insulation: 10kV/mm Pad volume resistance: 100TΩ/cm Type of heat transfer pad: ceramic | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 218 247 | FISCHER ELEKTRONIK | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; Thk: 3mm Application: TO218; TO247 Length: 21mm Width: 25mm Thermal conductivity: 25W/mK Thickness: 3mm Mounting hole diameter: 4mm Electrical insulation: 10kV/mm Pad volume resistance: 100TΩ/cm Type of heat transfer pad: ceramic кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 218 247 1 | Fischer Elektronik | Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum | на замовлення 1868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 218 247 1 | Fischer Elektronik | Aluminium Oxide Wafer | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 218 247 1 | FISCHER ELEKTRONIK | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; 25W/mK Type of heat transfer pad: ceramic Application: TO218; TO247 Length: 21mm Width: 25mm Thickness: 1.5mm Thermal conductivity: 25W/mK Electrical insulation: 10kV/mm Mounting hole diameter: 4mm Pad volume resistance: 100TΩ/cm | на замовлення 830 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 218 247 1 | Fischer Elektronik | Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum | на замовлення 1868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 218 247 1 | FISCHER ELEKTRONIK | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; 25W/mK Type of heat transfer pad: ceramic Application: TO218; TO247 Length: 21mm Width: 25mm Thickness: 1.5mm Thermal conductivity: 25W/mK Electrical insulation: 10kV/mm Mounting hole diameter: 4mm Pad volume resistance: 100TΩ/cm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 830 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 218 247 1 | Fischer Elektronik | Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum | на замовлення 830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 | Fischer Elektronik | Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide | на замовлення 41687 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 | FISCHER ELEKTRONIK | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm Type of heat transfer pad: ceramic Application: TO220 Thickness: 1.5mm Mounting hole diameter: 3.1mm Length: 12mm Width: 18mm Thermal conductivity: 25W/mK Electrical insulation: 10kV/mm Pad volume resistance: 100TΩ/cm | на замовлення 5140 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 | FISCHER ELEKTRONIK | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm Type of heat transfer pad: ceramic Application: TO220 Thickness: 1.5mm Mounting hole diameter: 3.1mm Length: 12mm Width: 18mm Thermal conductivity: 25W/mK Electrical insulation: 10kV/mm Pad volume resistance: 100TΩ/cm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5140 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 | Fischer Elektronik | Thermally Conductive Gap Thermal Pads | на замовлення 15972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 | Fischer | Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 | Fischer Elektronik | Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 Packaging: Bulk Material: Aluminum Oxide Ceramic Shape: Rectangular Thickness: 0.0591" (1.500mm) Thermal Resistivity: 0.30°C/W Usage: TO-220 Thermal Conductivity: 9.0W/m-K Adhesive: None | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 | Fischer | Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 | Fischer Elektronik | Thermally Conductive Gap Thermal Pads | на замовлення 5326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 | Fischer | Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 | Fischer Elektronik | Thermally Conductive Gap Thermal Pads | на замовлення 15972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 | Fischer | Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 3 | Fischer Elektronik | Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 3 Packaging: Bulk Material: Aluminum Oxide Ceramic Shape: Rectangular Thickness: 0.0630" (1.600mm) Thermal Resistivity: 0.30°C/W Usage: TO-220 Thermal Conductivity: 9.0W/m-K Adhesive: None Outline: 14.00mm x 19.30mm | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 3 | Fischer Elektronik | Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 220 3 | Fischer Elektronik | Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium | на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 3 | Fischer Elektronik | Aluminum Oxide Wafers | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 220 4 | FISCHER ELEKTRONIK | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm Type of heat transfer pad: ceramic Application: TO220 Thickness: 1.5mm Mounting hole diameter: 4mm Length: 12mm Width: 18mm Thermal conductivity: 25W/mK Electrical insulation: 10kV/mm Pad volume resistance: 100TΩ/cm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 5047 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 4 | Fischer Elektronik | Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 220 4 | Fischer Elektronik | Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 4 Packaging: Bulk Material: Aluminum Oxide Ceramic Shape: Rectangular Thickness: 0.0591" (1.500mm) Thermal Resistivity: 0.30°C/W Usage: TO-220 Thermal Conductivity: 9.0W/m-K Adhesive: None Outline: 12.00mm x 18.00mm | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 4 | Fischer Elektronik | Thermally Conductive Gap Thermal Pads | на замовлення 5399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 4 | FISCHER ELEKTRONIK | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm Type of heat transfer pad: ceramic Application: TO220 Thickness: 1.5mm Mounting hole diameter: 4mm Length: 12mm Width: 18mm Thermal conductivity: 25W/mK Electrical insulation: 10kV/mm Pad volume resistance: 100TΩ/cm | на замовлення 5047 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 SL | Fischer Elektronik | Description: Aluminium oxide wafers AOS 220 S Packaging: Bulk Material: Aluminum Oxide Ceramic Shape: Rectangular Thickness: 0.177" (4.50mm) Thermal Resistivity: 0.30°C/W Usage: TO-220 Thermal Conductivity: 9.0W/m-K Adhesive: None Outline: 14.00mm x 18.00mm | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 220 SL | Fischer Elektronik | Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 220-3 | Fischer | Thickness: 1,6mm; Dimensions: 19,2x13,9 (hole 3,7mm); 25W/m*K; Fischer : AOS 220 3; Aluminium oxide wafers for TO220 19x13mm TPTO220cer-3 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 247 | Fischer Elektronik | Thermally Conductive Gap Thermal Pads | на замовлення 4253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 247 | FISCHER ELEKTRONIK | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: ceramic; TO247; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK Application: TO247 Length: 20mm Width: 23mm Thermal conductivity: 25W/mK Thickness: 1mm Electrical insulation: 10kV/mm Pad volume resistance: 100TΩ/cm Type of heat transfer pad: ceramic кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 247 | FISCHER ELEKTRONIK | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: ceramic; TO247; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK Application: TO247 Length: 20mm Width: 23mm Thermal conductivity: 25W/mK Thickness: 1mm Electrical insulation: 10kV/mm Pad volume resistance: 100TΩ/cm Type of heat transfer pad: ceramic | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 247 | Fischer Elektronik | Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 247 | Fischer | dimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 247 | Fischer Elektronik | Thermally Conductive Gap Thermal Pads | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 247 | Fischer | dimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 3 | Fischer Elektronik | Aluminium Oxide Wafer | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 3 | Fischer | dimensions: 40,6x26,3x2,9mm; with holes 2=?4.8mm and 2=?4.8x4.2mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3; Aluminium oxide wafers for TO3 40,6x26,3mm TPTO3cer кількість в упаковці: 4 шт | на замовлення 26 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 3 | Fischer Elektronik | Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium | на замовлення 395 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 3 P | Fischer Elektronik | Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 3 P | FISCHER ELEKTRONIK | AOS3P Heatsinks - equipment | на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 3 P | Fischer Elektronik | Description: Aluminium oxide wafers AOS 3 P Packaging: Bulk Material: Aluminum Oxide Ceramic Shape: Rectangular Thickness: 0.0591" (1.500mm) Thermal Resistivity: 0.30°C/W Usage: TOP-3 Outline: 17.50mm x 20.50mm Thermal Conductivity: 9.0W/m-K Adhesive: None | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 3 P 2 | Fischer Elektronik | Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm | на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 3 P 2 | Fischer Elektronik | Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 3 P 2 | FISCHER ELEKTRONIK | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK Type of heat transfer pad: ceramic Application: TO3P Length: 20mm Width: 23mm Thickness: 1mm Thermal conductivity: 25W/mK Mounting hole diameter: 3.6mm Electrical insulation: 10kV/mm Pad volume resistance: 100TΩ/cm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2599 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 3 P 2 | Fischer Elektronik | Description: Aluminium oxide wafers AOS 3 P 2 Packaging: Bulk Material: Aluminum Oxide Ceramic Shape: Rectangular Thickness: 0.0394" (1.000mm) Thermal Resistivity: 0.3°C/W Usage: TOP-3 Thermal Conductivity: 25W/m-K | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 3 P 2 | FISCHER ELEKTRONIK | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK Type of heat transfer pad: ceramic Application: TO3P Length: 20mm Width: 23mm Thickness: 1mm Thermal conductivity: 25W/mK Mounting hole diameter: 3.6mm Electrical insulation: 10kV/mm Pad volume resistance: 100TΩ/cm | на замовлення 2599 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 3 P SL | Fischer Elektronik | Description: Aluminium oxide wafers AOS 3 P S Packaging: Bulk Material: Aluminum Oxide Ceramic Shape: Rectangular Thickness: 0.0591" (1.500mm) Thermal Resistivity: 0.30°C/W Usage: TOP-3 Outline: 17.50mm x 20.50mm Thermal Conductivity: 9.0W/m-K Adhesive: None | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 3 P SL | Fischer Elektronik | Thermally Conductive Gap Thermal Pads | на замовлення 604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 3 P SL | Fischer | dimensions: 20,5x17,5x1,5mm, with hole ?3,1mm; 0,3 K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P SL; AOS 3 P-SL; Aluminium oxide wafers for TOP3 20x17mm TPTO3pcer SL кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 3 P SL | FISCHER ELEKTRONIK | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 17.5mm; W: 20.5mm; Thk: 1.5mm Type of heat transfer pad: ceramic Application: TO3P Length: 17.5mm Width: 20.5mm Thickness: 1.5mm Thermal conductivity: 25W/mK Mounting hole diameter: 3.1mm Electrical insulation: 10kV/mm Pad volume resistance: 100TΩ/cm | на замовлення 4409 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 3 P SL | Fischer Elektronik | Thermally Conductive Gap Thermal Pads | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 3 P SL | Fischer Elektronik | Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide | на замовлення 2728 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 3 P SL | FISCHER ELEKTRONIK | Category: Heatsinks - equipment Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 17.5mm; W: 20.5mm; Thk: 1.5mm Type of heat transfer pad: ceramic Application: TO3P Length: 17.5mm Width: 20.5mm Thickness: 1.5mm Thermal conductivity: 25W/mK Mounting hole diameter: 3.1mm Electrical insulation: 10kV/mm Pad volume resistance: 100TΩ/cm кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 4409 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 32 | FISCHER ELEKTRONIK | AOS32 Heatsinks - equipment | на замовлення 265 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 32 | Fischer Elektronik | Aluminium Oxide Wafer | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 32 | Fischer Elektronik | Thrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium | на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 3P2 | Fischer | dimensions: 23x20x1mm; with hole ?3,6mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P 2; Aluminium oxide wafers for TOP3 23x20mm TPTO3pcer-2 кількість в упаковці: 4 шт | на замовлення 56 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 5 | Fischer Elektronik | Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 66 | Fischer Elektronik | Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5 Mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS 66 | Fischer Elektronik | Description: Aluminium oxide wafers AOS 66 Packaging: Bulk Material: Aluminum Oxide Ceramic Shape: Round Thickness: 0.0984" (2.500mm) Thermal Resistivity: 0.3°C/W Usage: TO-66 Thermal Conductivity: 25W/m-K | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS 93 | Fischer Elektronik | Aluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS SL (53X24X1,5MM) W001119 | Fischer Elektronik | ALUMINIUM OXIDE WAFER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS SL (53X24X1MM) W001119 | Fischer Elektronik | ALUMINIUM OXIDE WAFER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS SL (72,1X24X1,5MM) W001121 | Fischer Elektronik | ALUMINIUM OXIDE WAFER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS SL (72,1X24X1MM) W001121 | Fischer Elektronik | ALUMINIUM OXIDE WAFER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS SPECIAL 33X29X1.27 | Fischer Elektronik | Aluminium Oxide Wafer | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS-NGG | Mersen USA Newburyport-MA L.L.C. | Description: MICRO-SWITCH W/GOLD CONTACTS Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS-SPECIAL | Fischer Elektronik | AOS-SPECIAL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS-SPECIAL W006836 | Fischer Elektronik | 44 X 48 X 1,5 mm. 3 holes 4,7 mm. 1 hole 3,8 mm. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS218/247 Керамічна прокладка 3мм 25x21 TO218/247 Код товару: 29478
Додати до обраних
Обраний товар
| Fisher | Ізоляційні матеріали Група: Прокладка теплопровідна Опис: Прокладка теплопровідна керамічна, 3мм 25х21мм, для ТО-218, ТО-247, 25Вт/мК, 10кВ/мм Розмір: 21х25х3мм + отв.4,0мм, під корпус TO-218, TO-247 Матеріал: Кераміка Колір: білий | у наявності 314 шт: 312 шт - склад2 шт - РАДІОМАГ-Київ очікується 50 шт: 50 шт - очікується |
| ||||||||||||||
| AOS218/247/1 Керамічна прокладка 1,5мм 25x21 Код товару: 53560
Додати до обраних
Обраний товар
| Fisher | Ізоляційні матеріали Група: Прокладка теплопровідна Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-218, ТО-247; 1,5мм, 25х21мм, 25Вт/мК, 10кВ/мм Розмір: 1,5мм, 25х21мм, під корпус ТО-218, ТО-247 Матеріал: Кераміка Колір: білий | товару немає в наявності очікується 64 шт: 64 шт - очікується |
| ||||||||||||||
| AOS218/247/1 Керамічна прокладка 1мм 25x20 TO218/247 Код товару: 131173
Додати до обраних
Обраний товар
| Fisher | Ізоляційні матеріали Група: Прокладка теплопровідна Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-218, ТО-247; 1мм, 25х21мм, 25Вт/мК, 10кВ/мм Розмір: 1мм, 25х21мм, під корпус ТО-218, ТО-247 Матеріал: Кераміка Колір: білий | у наявності 1 шт: 1 шт - склад |
| ||||||||||||||
| AOS220 | Fischer Electronik | Прокладка керамічна до ТО220; Розм = 12 x 18 x 1,5 мм; Теплопров. = 25 Вт/мК; Ел. ізол. = 10 кВ/мм; 12x18x1.5mm | на замовлення 100 шт: термін постачання 3 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:12mm; W:18mm; D:1.5mm Код товару: 42354
Додати до обраних
Обраний товар
| Fisher | Ізоляційні матеріали Група: Прокладка теплопровідна Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:1.5mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм Розмір: 12х18х1,5мм + отв.3,1мм, під корпус TO-220 Матеріал: Кераміка Колір: білий | у наявності 248 шт: 248 шт - складочікується 50 шт: 50 шт - очікується |
| ||||||||||||||
| AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:12mm; W:18mm; D:2mm Код товару: 214305
Додати до обраних
Обраний товар
| Fisher | Ізоляційні матеріали Група: Прокладка теплопровідна Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:2mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм Розмір: 12х18х2мм + отв.3,1мм, під корпус TO-220 Матеріал: Кераміка Колір: білий | у наявності 300 шт: 300 шт - склад | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm, H:2mm Код товару: 204993
Додати до обраних
Обраний товар
| Ізоляційні матеріали Група: Прокладка теплопровідна Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм Розмір: 19,2х13,9х2мм + отв.3,2мм, під корпус TO-220 Матеріал: Кераміка Колір: білий | у наявності 10 шт: 10 шт - складочікується 50 шт: 50 шт - очікується 29.12.2025 |
| |||||||||||||||
| AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm; H:1mm Код товару: 165257
Додати до обраних
Обраний товар
| Fisher | Ізоляційні матеріали Група: Прокладка теплопровідна Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм Розмір: 19,2х13,9х1мм + отв.3,7мм, під корпус TO-220 Матеріал: Кераміка Колір: білий | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||
| AOS220-4 | Fischer | Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm (hole 4mm); Replacement: Fischer AOS 220 4; AOS220/4; AOS 220-4; Aluminium oxide wafers for TO220 TPTO220cer-4 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 1500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS220-4 | Fischer | Thickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm (hole 4mm); Replacement: Fischer AOS 220 4; AOS220/4; AOS 220-4; Aluminium oxide wafers for TO220 TPTO220cer-4 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 670 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS220/4 Прокладка теплопроводящая: керамическая: TO220: L:12мм: W:18мм. Диаметр монтажного отверстия 4 мм Код товару: 112401
Додати до обраних
Обраний товар
| Ізоляційні матеріали | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOS220/4; (18х12х1.5 мм); оксид алюминия; ТО-220; 10kV/mm; Теплопров.:25Вт/м*К; FISCHER (шт) | на замовлення 14 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| AOS220SL | Fischer Elektronik | Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS220SL | Fischer Elektronik | Thrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS220SL | Fischer | Thickness: 4,5mm; Dimensions: 18x14mm (hole 3,5mm); Fischer : AOS 220 SL; Aluminium oxide wafers for TO220 18x14mm TPTO220cer SL кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS247 Керамічна прокладка TO-247 Код товару: 35986
Додати до обраних
Обраний товар
| Fisher | Ізоляційні матеріали Група: Прокладка теплопровідна Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-247, 25Вт/мК, 10кВ/мм Розмір: 20х23х1мм, під корпус TO-247 Матеріал: Кераміка Колір: білий | у наявності 2 шт: 1 шт - РАДІОМАГ-Львів1 шт - РАДІОМАГ-Харків очікується 200 шт: 200 шт - очікується 25.12.2025 |
| ||||||||||||||
| AOS296A001 | Alpha & Omega Semiconductor | AOD296A_001 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS32 | FISCHER ELEKTRONIK GmbH und Co. KG | Теплопроводящая прокладка керамическая, TO126, L=11мм, W=8мм, монт. отверствие 3,1мм | на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS32 | Fischer | Dimensions: 11x8x1.5mm; with a hole ?3.1mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 32; Aluminium oxide wafers for SOT32 TPSOT32cer кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS32 прокладка керамічна Код товару: 75513
Додати до обраних
Обраний товар
| Ізоляційні матеріали | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOS322N-B | IDEC | Description: TWS Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS322N-B | IDEC | Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators TWS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS322N-R | IDEC | Description: (TWS) Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS322N-R | IDEC | Industrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators (TWS) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS3P | Fischer Elektronik | Thermally Conductive Gap Thermal Pads | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS3P | Fischer | dimensions: 20,5x17,5x1,5mm; with hole ?3,1mm (cut corners); 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer : AOS 3 P; Aluminium oxide wafers for TO3P 20,5x17,5mm TPTO3pcer кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 61 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOS3P | Fischer Elektronik | Thermally Conductive Gap Thermal Pads | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOS3P прокладка керамічна для TO3P; L:17.5mm; W:20.5mm Код товару: 41939
Додати до обраних
Обраний товар
| Fisher | Ізоляційні матеріали Група: Прокладка теплопровідна Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-3Р, L:17.5mm; W:20.5mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм Розмір: 17,5х20,5х1,5мм + відв.3,1мм, під корпус TO-3P Матеріал: Кераміка Колір: білий | товару немає в наявності |
| ||||||||||||||
| AOS3P2 прокладка керамическая для TO3P; L:20mm; W:23mm; D:1mm Код товару: 112773
Додати до обраних
Обраний товар
| Корпусні та встановлювальні вироби > Аксесуари до корпусів | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOSB113552 | 07+ | на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| AOSD21307 | Alpha & Omega Semiconductor | 30V Dual P-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSD21307 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 6821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSD21307 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSD21311C | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSD21311C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSD21311C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 49338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSD21313C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSD21313C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 7630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSD26313C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5.7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V, 1100pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V, 32mOhm @ 5.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 33nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSD26313C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOSD26313C Multi channel transistors | на замовлення 2962 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSD26313C | Alpha & Omega Semiconductor | 30V Complementary MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSD32334C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSD32334C | Alpha & Omega Semiconductor | 30V Dual N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSD32334C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 86186 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSD32338C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSD62666E | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.5A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhancement Version: ESD | на замовлення 2762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSD62666E | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.5A Power dissipation: 1.6W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2762 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSD62666E | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 27231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSD62666E | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSD62666E | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSD62666E | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSGL.SET.1 | SRA Soldering Products | Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET Packaging: Box Diameter: Assorted Length: Assorted Width: Assorted Height: Assorted Tip Shape: Nozzle Tip Type: Rework (Hot Air) Part Status: Active | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSGL.SET.2 | SRA Soldering Products | Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET Packaging: Box Length: Assorted Width: Assorted Height: Assorted Tip Shape: Nozzle Tip Type: Rework (Hot Air) Part Status: Active Tip Chip Size: Single | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSGL.SET.3 | SRA Soldering Products | Description: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSN21319C | Alpha & Omega Semiconductor | P-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSN21319C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V | на замовлення 6699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSN21319C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSN32338C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSN32338C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; Idm: 20A; 700mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.7A Power dissipation: 0.7W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 51mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSOP.SET | SRA Soldering Products | Description: SOP NOZZLE SET FOR HOT AIR REWOR Packaging: Box Length: Assorted Width: Assorted Height: Assorted Tip Shape: Nozzle Tip Type: Rework (Hot Air) Tip Chip Size: SOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP1800 | SRA Soldering Products | Description: MINI SOLDER POT SP1800, 120 WATT Features: Ceramic Heater Packaging: Box Voltage - Input: 110V Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C) Type: Solder Pot Control/Display Type: Analog Base Unit: SP1800 Plug Type: Included, Not Specified Wattage: 120W Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP1800-220V | SRA Soldering Products | Description: SP1800 MINI SOLDER POT Packaging: Box Features: Ceramic Heater, ESD Safe Voltage - Input: 220VAC Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C) Type: Solder Pot Includes: Crucible Pot Workstand: Included, Not Specified Control/Display Type: Analog Plug Type: Included, Not Specified Wattage: 120W Supplied Iron, Tweezer, Handle: Included, Not Specified Supplied Tips/Nozzles: Included, Not Specified Number of Channels: 1 | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP2000+ | SRA Soldering Products | Description: LEAD FREE SOLDER POT SP2000+ WIT Packaging: Box Features: Ceramic Heater, ESD Safe Voltage - Input: 110V Temperature Range: 392°F ~ 896°F (200°C ~ 480°C) Type: Solder Pot Control/Display Type: Digital Base Unit: SP2000+ Plug Type: Included, Not Specified Wattage: 600W Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP21307 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP21307 | Alpha & Omega Semiconductor | P-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP21307 | Alpha & Omega Semiconductor | P-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP21311C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP21311C | Alpha & Omega Semiconductor | P-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP21313C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP21313C | Alpha & Omega Semiconductor | P-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP21313C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -7A; Idm: -28A; 1.6W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Pulsed drain current: -28A Drain current: -7A Gate charge: 22nC On-state resistance: 32mΩ Power dissipation: 1.6W Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP21313C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V | на замовлення 4083 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP21321 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP21321 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V | на замовлення 7077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP21321 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP21321 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP21321 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP21321 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP21321 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2176 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP21321 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP21321 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -8.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of channel: enhancement | на замовлення 2176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP21357 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V | на замовлення 2109 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP21357 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP21357 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12.5A Gate charge: 25nC On-state resistance: 8.5mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±25V кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP21357 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP21357 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SO8 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -12.5A Gate charge: 25nC On-state resistance: 8.5mΩ Power dissipation: 2W Gate-source voltage: ±25V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP21357 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP32314 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP32314 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; 2W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 11.5A Power dissipation: 2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10nC Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP32314 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 15 V | на замовлення 1188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP32314 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP32314 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP32320C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V | на замовлення 8578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP32320C | Alpha & Omega Semiconductor | 30V N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP32320C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8 Mounting: SMD Case: SO8 Polarisation: unipolar Power dissipation: 2.5W Type of transistor: N-MOSFET Drain current: 8.5A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Gate charge: 20nC Kind of channel: enhancement On-state resistance: 22mΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP32320C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP32368 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP32368 | Alpha & Omega Semiconductor | 30V N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP32368 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2W; SO8; ESD Mounting: SMD Case: SO8 Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC On-state resistance: 5.5mΩ Power dissipation: 2W Drain current: 12A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP32368 | Alpha & Omega Semiconductor | 30V N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP32368 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V | на замовлення 3122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP32368 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2W; SO8; ESD Mounting: SMD Case: SO8 Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 18nC On-state resistance: 5.5mΩ Power dissipation: 2W Drain current: 12A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP36326C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP36326C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2.5W; SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SO8 Gate charge: 15nC On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 2.5W Drain current: 12A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3120 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP36326C | Alpha & Omega Semiconductor | N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP36326C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2.5W; SO8 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SO8 Gate charge: 15nC On-state resistance: 11mΩ Power dissipation: 2.5W Drain current: 12A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Polarisation: unipolar | на замовлення 3120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP36326C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V | на замовлення 33080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP4000 | SRA Soldering Products | Description: MINI SOLDER POT SP4000, 160 WATT Packaging: Box Features: Ceramic Heater Voltage - Input: 110V Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C) Type: Solder Pot Control/Display Type: Analog Base Unit: SP4000 Plug Type: Included, Not Specified Wattage: 160W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP62530 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 75 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP62626E | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 30 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP66406 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOSP66406 SMD N channel transistors | на замовлення 1904 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP66406 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP66406 | Alpha & Omega Semiconductor | N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP66919 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP66920 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 13.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP66920 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | на замовлення 18169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP66920 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 13.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP66920 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP66923 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V | на замовлення 3280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSP66923 | Alpha & Omega Semiconductor | 100V N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP66923 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP66923 | Alpha & Omega Semiconductor | 100V N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP66925 | Alpha & Omega Semiconductor | Medium Voltage MOSFETs (40V - 400V) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP66925 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 11A; Idm: 44A; 2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: SO8 Gate charge: 23nC On-state resistance: 12.5mΩ Power dissipation: 2W Drain current: 11A Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 44A Drain-source voltage: 100V Technology: AlphaSGT™ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSP66925 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: N Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSS21115C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V | на замовлення 8406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS21115C | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSS21115C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS21115C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOSS21115C SMD P channel transistors | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS21115C | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSS21115C | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSS21311C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.3W; SOT23; ESD Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.3A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 23nC Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSS21311C | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS21311C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V | на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS21311C | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSS21311C | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS21311C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSS21319C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V | на замовлення 15822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS21319C | Alpha & Omega Semiconductor | P-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSS21319C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS21319C | Alpha & Omega Semiconductor | P-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSS32136C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V | на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS32136C | Alpha & Omega Semiconductor | 20V N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSS32136C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 38A; 800mW; SOT23 Polarisation: unipolar Gate charge: 14nC On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 0.8W Drain current: 5A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 38A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 3279 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS32136C | Alpha & Omega Semiconductor | 20V N-Channel MOSFET | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS32136C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 38A; 800mW; SOT23 Polarisation: unipolar Gate charge: 14nC On-state resistance: 28mΩ Power dissipation: 0.8W Drain current: 5A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Pulsed drain current: 38A Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 | на замовлення 3279 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS32136C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V | на замовлення 105503 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS32334C | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSS32334C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; 1.3W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC On-state resistance: 20mΩ Power dissipation: 1.3W Drain current: 6.2A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS32334C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS32334C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V | на замовлення 9028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS32334C | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSS32334C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; 1.3W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 20nC On-state resistance: 20mΩ Power dissipation: 1.3W Drain current: 6.2A Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS32338C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | на замовлення 17661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS32338C | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS32338C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS32338C | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSS32338C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.3W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 1.3W Drain current: 4A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 560 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS32338C | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS32338C | Alpha & Omega Semiconductor | 30V N-Channel MOSFET | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS32338C | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.3W; SOT23 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 16nC On-state resistance: 50mΩ Power dissipation: 1.3W Drain current: 4A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 30V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 | на замовлення 560 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS62934 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | AOSS62934 SMD N channel transistors | на замовлення 1928 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS62934 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V | на замовлення 224171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS62934 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS62934 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSS62934 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V | на замовлення 222000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS62934 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSS62934 LK. | ALPHA&OMEGA | Trans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 AOSS62934; REPLACEMENT HTSEMI PTL03N10; AOSS62934 TAOSS62934 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| AOSX21319C | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| AOSX32128 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: SINGLE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-6 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |