НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AOS 113 X 165 X 0,635Fischer ElektronikAOS 113 X 165 X 0,635
товар відсутній
AOS 127Fischer ElektronikAluminum Oxide Wafers With Dielectric Constant 9
товар відсутній
AOS 18Fischer ElektronikAluminium Oxide Wafer
товар відсутній
AOS 218 247FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; Thk: 3mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thickness: 3mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5613 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+85.69 грн
18+ 57.92 грн
48+ 52.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOS 218 247Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOS 218 247RICHONEdimensions: 25x21x3.0mm; with hole ?4mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 218 247; AOS218/247; Aluminium oxide wafers for TO218/TO247 (3.0mm) TPTO218/247cer
на замовлення 480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
AOS 218 247Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOS 218 247RICHONEdimensions: 25x21x3.0mm; with hole ?4mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 218 247; AOS218/247; Aluminium oxide wafers for TO218/TO247 (3.0mm) TPTO218/247cer
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
AOS 218 247Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 5913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+87.08 грн
Мінімальне замовлення: 131
AOS 218 247FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; Thk: 3mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thickness: 3mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 5613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.41 грн
18+ 46.48 грн
48+ 43.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
AOS 218 247 1Fischer ElektronikAluminium Oxide Wafer
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+248.49 грн
Мінімальне замовлення: 46
AOS 218 247 1FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; 25W/mK
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.12 грн
7+ 131.93 грн
17+ 124.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOS 218 247 1Fischer ElektronikAluminium Oxide Wafer
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
78+146.73 грн
100+ 134.73 грн
200+ 126.01 грн
Мінімальне замовлення: 78
AOS 218 247 1Fischer ElektronikAluminium Oxide Wafer
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+124.03 грн
Мінімальне замовлення: 50
AOS 218 247 1FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; 25W/mK
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1770 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+247.34 грн
7+ 164.4 грн
17+ 149.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOS 218 247 1Fischer ElektronikAluminium Oxide Wafer
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+201.9 грн
100+ 175.66 грн
Мінімальне замовлення: 50
AOS 220FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO220
Length: 12mm
Width: 18mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.03 грн
20+ 36.3 грн
29+ 27.75 грн
79+ 26.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
AOS 220FischerThickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
на замовлення 84 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
AOS 220FischerThickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
AOS 220Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 38789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+45.09 грн
14+ 40.4 грн
25+ 37.3 грн
50+ 34.1 грн
100+ 30.71 грн
500+ 28.19 грн
Мінімальне замовлення: 13
AOS 220Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 20870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+16.31 грн
Мінімальне замовлення: 19
AOS 220FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO220
Length: 12mm
Width: 18mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+79.24 грн
20+ 45.23 грн
29+ 33.3 грн
79+ 31.5 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOS 220FischerThickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
AOS 220Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 38789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
306+37.27 грн
322+ 35.34 грн
332+ 34.37 грн
500+ 31.69 грн
Мінімальне замовлення: 306
AOS 220CHINAThickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+24.67 грн
Мінімальне замовлення: 50
AOS 220 3Fischer ElektronikAluminum Oxide Wafers
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 11
AOS 220 3Fischer ElektronikAluminum Oxide Wafers
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+61.08 грн
201+ 56.83 грн
208+ 54.76 грн
216+ 51 грн
500+ 45.59 грн
Мінімальне замовлення: 187
AOS 220 3Fischer ElektronikAluminum Oxide Wafers
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+68.05 грн
10+ 61.13 грн
25+ 56.87 грн
50+ 52.84 грн
100+ 47.26 грн
500+ 43.8 грн
Мінімальне замовлення: 9
AOS 220 4Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 11090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+100.12 грн
177+ 64.6 грн
250+ 62.58 грн
500+ 58.51 грн
1000+ 39.64 грн
2500+ 36.97 грн
5000+ 35.94 грн
10000+ 34.97 грн
Мінімальне замовлення: 114
AOS 220 4FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm
Application: TO220
Length: 12mm
Mounting hole diameter: 4mm
Thickness: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Thermal conductivity: 25W/mK
Width: 18mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11056 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+90.1 грн
20+ 74.11 грн
30+ 32.73 грн
80+ 30.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOS 220 4FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm
Application: TO220
Length: 12mm
Mounting hole diameter: 4mm
Thickness: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Thermal conductivity: 25W/mK
Width: 18mm
на замовлення 11056 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.09 грн
20+ 59.47 грн
30+ 27.27 грн
80+ 25.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOS 220 4Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
товар відсутній
AOS 220 SLFISCHER ELEKTRONIKAOS220SL Heatsinks - equipment
товар відсутній
AOS 220 SLFischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
товар відсутній
AOS 220-3FischerThickness: 1,6mm; Dimensions: 19,2x13,9 (hole 3,7mm); 25W/m*K; Fischer : AOS 220 3; Aluminium oxide wafers for TO220 19x13mm TPTO220cer-3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
AOS 247FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO247; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK
Length: 20mm
Thickness: 1mm
Application: TO247
Type of heat transfer pad: ceramic
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Thermal conductivity: 25W/mK
Width: 23mm
на замовлення 5048 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+61.1 грн
10+ 34.18 грн
35+ 23.24 грн
94+ 21.87 грн
Мінімальне замовлення: 7
AOS 247FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO247; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK
Length: 20mm
Thickness: 1mm
Application: TO247
Type of heat transfer pad: ceramic
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
Thermal conductivity: 25W/mK
Width: 23mm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5048 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+73.32 грн
10+ 42.59 грн
35+ 27.89 грн
94+ 26.25 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOS 247Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 2413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
405+28.11 грн
424+ 26.85 грн
442+ 25.77 грн
500+ 23.96 грн
1000+ 21.46 грн
Мінімальне замовлення: 405
AOS 247Fischerdimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23 грн
Мінімальне замовлення: 30
AOS 247Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+52.73 грн
12+ 47.39 грн
25+ 44.16 грн
50+ 41.05 грн
100+ 36.71 грн
500+ 33.89 грн
Мінімальне замовлення: 11
AOS 247Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.82 грн
Мінімальне замовлення: 15
AOS 247Fischerdimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+23 грн
Мінімальне замовлення: 30
AOS 247Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 6644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
302+37.7 грн
Мінімальне замовлення: 302
AOS 3FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3; L: 26.3mm; W: 40mm; Thk: 2.9mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3
Length: 26.3mm
Width: 40mm
Thickness: 2.9mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4.2mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+172.26 грн
5+ 145.66 грн
10+ 95.97 грн
28+ 91.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOS 3Fischer ElektronikAluminium Oxide Wafer
товар відсутній
AOS 3Fischerdimensions: 40,6x26,3x2,9mm; with holes 2=?4.8mm and 2=?4.8x4.2mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3; Aluminium oxide wafers for TO3 40,6x26,3mm TPTO3cer
кількість в упаковці: 4 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
12+54.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
AOS 3FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3; L: 26.3mm; W: 40mm; Thk: 2.9mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3
Length: 26.3mm
Width: 40mm
Thickness: 2.9mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4.2mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+143.55 грн
5+ 116.89 грн
10+ 79.98 грн
28+ 75.88 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOS 3 PFischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOS 3 PFISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 17.5mm; W: 20.5mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3P
Length: 17.5mm
Width: 20.5mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.39 грн
5+ 57.07 грн
10+ 50.86 грн
24+ 40.6 грн
64+ 38.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOS 3 PFISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 17.5mm; W: 20.5mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3P
Length: 17.5mm
Width: 20.5mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.99 грн
8+ 45.8 грн
10+ 42.38 грн
24+ 33.84 грн
64+ 31.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
AOS 3 P 2Fischer ElektronikAluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm
товар відсутній
AOS 3 P 2FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3P
Length: 20mm
Width: 23mm
Thickness: 1mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.6mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+146.64 грн
5+ 118.4 грн
10+ 112.38 грн
11+ 90.23 грн
29+ 85.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
AOS 3 P 2FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3P
Length: 20mm
Width: 23mm
Thickness: 1mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.6mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 1537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+122.2 грн
5+ 95.01 грн
10+ 93.65 грн
11+ 75.19 грн
29+ 71.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOS 3 P SLFischerdimensions: 20,5x17,5x1,5mm, with hole ?3,1mm; 0,3 K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P SL; Aluminium oxide wafers for TOP3 20x17mm TPTO3pcer SL
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.84 грн
Мінімальне замовлення: 30
AOS 3 P SLFischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 1062 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.6 грн
Мінімальне замовлення: 9
AOS 3 P SLFISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 17.5mm; W: 20.5mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3P
Length: 17.5mm
Width: 20.5mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+85.69 грн
5+ 70.7 грн
10+ 62.34 грн
19+ 50.86 грн
51+ 48.4 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOS 3 P SLFischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 2839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+36.22 грн
Мінімальне замовлення: 16
AOS 3 P SLFISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO3P; L: 17.5mm; W: 20.5mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO3P
Length: 17.5mm
Width: 20.5mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.41 грн
7+ 56.74 грн
10+ 51.95 грн
19+ 42.38 грн
51+ 40.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
AOS 32FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO126,TO32; L: 8mm; W: 11mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO32; TO126
Length: 8mm
Width: 11mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.78 грн
8+ 45.66 грн
10+ 39.44 грн
29+ 27.89 грн
79+ 26.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOS 32FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO126,TO32; L: 8mm; W: 11mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO32; TO126
Length: 8mm
Width: 11mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 272 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+92.14 грн
5+ 56.9 грн
10+ 47.33 грн
29+ 33.47 грн
79+ 31.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOS 32Fischer ElektronikAluminium Oxide Wafer
товар відсутній
AOS 32 : ASO32FISCHER ELEKTRONIK GmbH und Co. KGAOS32 Теплопроводящая прокладка керамическая, TO126, L=11мм, W=8мм, монт. отверствие 3,1мм
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
AOS 3P2Fischerdimensions: 23x20x1mm; with hole ?3,6mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P 2; Aluminium oxide wafers for TOP3 23x20mm TPTO3pcer-2
кількість в упаковці: 4 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
12+52.34 грн
Мінімальне замовлення: 12
AOS 5Fischer ElektronikAluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm
товар відсутній
AOS 66Fischer ElektronikAluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5 Mm
товар відсутній
AOS 93Fischer ElektronikAluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm
товар відсутній
AOS SL (53X24X1,5MM) W001119Fischer ElektronikALUMINIUM OXIDE WAFER
товар відсутній
AOS SL (53X24X1MM) W001119Fischer ElektronikALUMINIUM OXIDE WAFER
товар відсутній
AOS SL (72,1X24X1,5MM) W001121Fischer ElektronikALUMINIUM OXIDE WAFER
товар відсутній
AOS SL (72,1X24X1MM) W001121Fischer ElektronikALUMINIUM OXIDE WAFER
товар відсутній
AOS SPECIAL 33X29X1.27Fischer ElektronikAluminium Oxide Wafer
товар відсутній
AOS-SPECIALFischer ElektronikAOS-SPECIAL
товар відсутній
AOS-SPECIAL W006836Fischer Elektronik44 X 48 X 1,5 mm. 3 holes 4,7 mm. 1 hole 3,8 mm.
товар відсутній
AOS218/247RICHONEDimensions: 25x21x1.5mm; with hole ?4mm; 0.3K/W; 25W/m*K; (Fischer : AOS 218 247-1 Thickness 1.5mm) Aluminium oxide wafers for TO218/TO247 TPTO218/247cer-1
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
AOS218/247 Керамічна прокладка 3мм 25x21 TO218/247
Код товару: 29478
FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна, 3мм 25х21мм, для ТО-218, ТО-247, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 21х25х3мм + отв.4,0мм, під корпус TO-218, TO-247
Матеріал: Кераміка
у наявності 2 шт:
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1 шт - РАДІОМАГ-Львів
очікується 500 шт:
500 шт - очікується
1+55 грн
10+ 49 грн
AOS218/247/1 Керамічна прокладка 1,5мм 25x21
Код товару: 53560
FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-218, ТО-247; 1,5мм, 25х21мм, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 1,5мм, 25х21мм, під корпус ТО-218, ТО-247
Матеріал: Кераміка
у наявності 8 шт:
8 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+72 грн
AOS218/247/1 Керамічна прокладка 1мм 25x20 TO218/247
Код товару: 131173
FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-218, ТО-247; 1мм, 25х21мм, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 1мм, 25х21мм, під корпус ТО-218, ТО-247
Матеріал: Кераміка
товар відсутній
AOS218/247; (25х21х3,0мм); оксид алюминия; для TO218/TO247; 10kV/mm; Теплопров.:25Вт/м*К; FISCHER
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
11+59.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
AOS220Fischer ElectronikПрокладка керамічна до ТО220; Розм = 12 x 18 x 1,5 мм; Теплопров. = 25 Вт/мК; Ел. ізол. = 10 кВ/мм; 12x18x1.5mm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
34+18.53 грн
37+ 17.3 грн
100+ 16.07 грн
Мінімальне замовлення: 34
AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:12mm; W:18mm; D:1.5mm
Код товару: 42354
FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:1.5mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 12х18х1,5мм + відв.3,1мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
у наявності 1 шт:
1 шт - склад
1+22.5 грн
AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm;
Код товару: 165257
FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Розмір: 19,2х13,9х1мм + відв.3,7мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
у наявності 103 шт:
102 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+26 грн
10+ 23.5 грн
100+ 21.2 грн
AOS220-4FischerThickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm (hole 4mm); Fischer AOS 220 4; AOS220/4; Aluminium oxide wafers for TO220 TPTO220cer-4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+25.01 грн
Мінімальне замовлення: 30
AOS220/4 Прокладка теплопроводящая: керамическая: TO220: L:12мм: W:18мм. Диаметр монтажного отверстия 4 мм
Код товару: 112401
Ізоляційні матеріали
товар відсутній
AOS220/4; (18х12х1.5 мм); оксид алюминия; ТО-220; 10kV/mm; Теплопров.:25Вт/м*К; FISCHER
на замовлення 28 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
22+30.34 грн
Мінімальне замовлення: 22
AOS220SLFischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOS220SLFischerThickness: 4,5mm; Dimensions: 18x14mm (hole 3,5mm); Fischer : AOS 220 SL; Aluminium oxide wafers for TO220 18x14mm TPTO220cer SL
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 15
AOS220SLFischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+105.3 грн
10+ 95.37 грн
25+ 89.99 грн
50+ 84.84 грн
100+ 74.76 грн
Мінімальне замовлення: 6
AOS247 Керамічна прокладка TO-247
Код товару: 35986
FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-247, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 20х23х1мм, під корпус TO-247
Матеріал: Кераміка
у наявності 100 шт:
100 шт - склад
1+25 грн
10+ 22.5 грн
AOS296A001Alpha & Omega SemiconductorAOD296A_001
товар відсутній
AOS32FischerDimensions: 11x8x1.5mm; with a hole ?3.1mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 32; Aluminium oxide wafers for SOT32 TPSOT32cer
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
AOS32 прокладка керамічна
Код товару: 75513
Ізоляційні матеріали
товар відсутній
AOS322N-BIDECDescription: TWS
Packaging: Bulk
товар відсутній
AOS322N-BIDECIndustrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators TWS
товар відсутній
AOS322N-RIDECDescription: (TWS)
Packaging: Bulk
товар відсутній
AOS322N-RIDECIndustrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators (TWS)
товар відсутній
AOS3PFischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 1332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+36.3 грн
325+ 35.1 грн
329+ 34.62 грн
338+ 32.53 грн
1000+ 29.69 грн
Мінімальне замовлення: 314
AOS3PFischerdimensions: 20,5x17,5x1,5mm; with hole ?3,1mm (cut corners); 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer : AOS 3 P; Aluminium oxide wafers for TO3P 20,5x17,5mm TPTO3pcer
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
AOS3PFischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 1334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+39.16 грн
16+ 37.29 грн
25+ 36.07 грн
50+ 34.31 грн
100+ 30.96 грн
1000+ 29.29 грн
Мінімальне замовлення: 15
AOS3P прокладка керамічна для TO3P; L:17.5mm; W:20.5mm
Код товару: 41939
FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-3Р, L:17.5mm; W:20.5mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 17,5х20,5х1,5мм + відв.3,1мм, під корпус TO-3P
Матеріал: Кераміка
товар відсутній
AOS3P2 прокладка керамическая для TO3P; L:20mm; W:23mm; D:1mm
Код товару: 112773
Корпусні та встановлювальні вироби > Аксесуари до корпусів
товар відсутній
AOSB11355207+
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOSD21307Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 8382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+58.21 грн
10+ 48.67 грн
100+ 33.71 грн
500+ 26.43 грн
1000+ 22.5 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOSD21307Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSD21307Alpha & Omega Semiconductor30V Dual P-Channel MOSFET
товар відсутній
AOSD21311CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 59220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+48.27 грн
10+ 40.74 грн
100+ 31.23 грн
500+ 23.17 грн
1000+ 18.54 грн
Мінімальне замовлення: 6
AOSD21311CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AOSD21311CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSD21313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.13 грн
6000+ 19.28 грн
9000+ 17.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSD21313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 15184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.37 грн
10+ 46.41 грн
100+ 32.13 грн
500+ 25.2 грн
1000+ 21.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
AOSD26313CAlpha & Omega Semiconductor30V Complementary MOSFET
товар відсутній
AOSD26313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
товар відсутній
AOSD26313CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: -30/30V
Drain current: 5.4/-4.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/55mΩ
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOSD26313CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; -30/30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: -30/30V
Drain current: 5.4/-4.4A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26/55mΩ
Gate charge: 33nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
AOSD32334CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 152212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.07 грн
11+ 25.57 грн
100+ 15.32 грн
500+ 13.31 грн
1000+ 9.05 грн
Мінімальне замовлення: 9
AOSD32334CAlpha & Omega Semiconductor30V Dual N-Channel MOSFET
товар відсутній
AOSD32334CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.22 грн
6000+ 8.51 грн
9000+ 7.66 грн
30000+ 7.08 грн
75000+ 6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSD32338CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товар відсутній
AOSD62666EAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 14373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.4 грн
10+ 57.49 грн
100+ 44.71 грн
500+ 35.57 грн
1000+ 28.97 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOSD62666EALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+61.84 грн
8+ 32.37 грн
25+ 27.07 грн
41+ 22.97 грн
113+ 22.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOSD62666EAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AOSD62666EALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 7.5A; 1.6W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 1.6W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 1357 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.53 грн
14+ 25.98 грн
25+ 22.56 грн
41+ 19.14 грн
113+ 18.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOSD62666EAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AOSD62666EAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.18 грн
6000+ 27.68 грн
9000+ 26.4 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSGL.SET.1SRA Soldering ProductsDescription: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
Packaging: Box
Diameter: Assorted
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2413.49 грн
AOSGL.SET.2SRA Soldering ProductsDescription: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
Tip Chip Size: Single
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3567 грн
AOSGL.SET.3SRA Soldering ProductsDescription: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
товар відсутній
AOSN21319CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 7256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.68 грн
13+ 22.42 грн
100+ 15.58 грн
500+ 11.42 грн
1000+ 9.28 грн
Мінімальне замовлення: 11
AOSN21319CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSN21319CAlpha & Omega SemiconductorP-Channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSN32338CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
товар відсутній
AOSOP.SETSRA Soldering ProductsDescription: SOP NOZZLE SET FOR HOT AIR REWOR
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Tip Chip Size: SOP
товар відсутній
AOSP1800SRA Soldering ProductsDescription: MINI SOLDER POT SP1800, 120 WATT
Features: Ceramic Heater
Packaging: Box
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Analog
Base Unit: SP1800
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 120W
Part Status: Active
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7537.19 грн
AOSP2000+SRA Soldering ProductsDescription: LEAD FREE SOLDER POT SP2000+ WIT
Features: Ceramic Heater, ESD Safe
Packaging: Box
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 896°F (200°C ~ 480°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Digital
Base Unit: SP2000+
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 600W
Part Status: Obsolete
товар відсутній
AOSP21307Alpha & Omega SemiconductorP-Channel MOSFET
товар відсутній
AOSP21307Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V
товар відсутній
AOSP21307Alpha & Omega SemiconductorP-Channel MOSFET
товар відсутній
AOSP21307ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+61.84 грн
10+ 27 грн
11+ 22.97 грн
51+ 18.95 грн
138+ 17.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOSP21307ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11A; 2W; SO8
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11A
On-state resistance: 11.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
на замовлення 1213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.53 грн
16+ 21.67 грн
18+ 19.14 грн
51+ 15.79 грн
138+ 14.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOSP21311CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товар відсутній
AOSP21313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.75 грн
10+ 33.36 грн
100+ 23.1 грн
500+ 18.11 грн
1000+ 15.41 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOSP21313CAlpha & Omega SemiconductorP-Channel MOSFET
товар відсутній
AOSP21313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
товар відсутній
AOSP21321Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSP21321Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V
на замовлення 38544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+31.94 грн
11+ 26.25 грн
100+ 18.24 грн
500+ 13.36 грн
1000+ 10.86 грн
Мінімальне замовлення: 9
AOSP21321Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AOSP21321Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.19 грн
6000+ 10.62 грн
9000+ 10.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSP21321ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 796 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+21.2 грн
25+ 15.59 грн
87+ 10.91 грн
240+ 10.34 грн
Мінімальне замовлення: 13
AOSP21321ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+17.67 грн
28+ 12.51 грн
87+ 9.09 грн
240+ 8.61 грн
Мінімальне замовлення: 21
AOSP21321Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.74 грн
6000+ 9.82 грн
9000+ 9.12 грн
30000+ 8.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSP21321Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.49 грн
6000+ 10.8 грн
9000+ 9.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSP21321Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSP21321Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSP21321Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AOSP21357ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.5A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+61.84 грн
11+ 24.96 грн
12+ 21.25 грн
55+ 17.47 грн
150+ 16.49 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOSP21357ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -12.5A; 2W; SO8
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -12.5A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
Kind of channel: enhanced
Mounting: SMD
на замовлення 2130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.53 грн
18+ 20.03 грн
20+ 17.7 грн
55+ 14.56 грн
150+ 13.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOSP21357Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AOSP21357Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AOSP21357Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+75.95 грн
10+ 59.81 грн
100+ 46.53 грн
500+ 37.01 грн
1000+ 30.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOSP21357Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V
товар відсутній
AOSP32314Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+47.56 грн
10+ 40.54 грн
100+ 31.1 грн
500+ 23.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
AOSP32314ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOSP32314ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOSP32314Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AOSP32314Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AOSP32314Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
товар відсутній
AOSP32320CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.52 грн
6000+ 10.53 грн
9000+ 9.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSP32320CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Drain current: 8.5A
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOSP32320CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of channel: enhanced
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
Drain current: 8.5A
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
товар відсутній
AOSP32320CAlpha & Omega Semiconductor30V N-Channel MOSFET
товар відсутній
AOSP32320CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 17603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.07 грн
10+ 28.16 грн
100+ 19.56 грн
500+ 14.33 грн
1000+ 11.65 грн
Мінімальне замовлення: 9
AOSP32368Alpha & Omega Semiconductor30V N-Channel MOSFET
товар відсутній
AOSP32368Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSP32368Alpha & Omega Semiconductor30V N-Channel MOSFET
товар відсутній
AOSP32368ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 641 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+61.84 грн
11+ 23.51 грн
13+ 20.01 грн
58+ 16.49 грн
158+ 15.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOSP32368Alpha&Omega SemiconductorN-канальний ПТ; Udss, В = 30; Id = 16 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 2270 @ 16; Qg, нКл = 60 @ 10 В; Rds = 5,5 мОм @ 16 A, 10 В; Ugs(th) = 2,4 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,1; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOICN-8
на замовлення 874 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
33+19.41 грн
35+ 18.11 грн
100+ 16.82 грн
Мінімальне замовлення: 33
AOSP32368ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.53 грн
19+ 18.87 грн
21+ 16.68 грн
58+ 13.74 грн
158+ 12.99 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOSP32368Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V
на замовлення 6364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.62 грн
10+ 31.17 грн
100+ 21.66 грн
500+ 15.87 грн
1000+ 12.9 грн
Мінімальне замовлення: 8
AOSP36326CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
13+21.2 грн
25+ 14.82 грн
89+ 10.38 грн
244+ 9.81 грн
Мінімальне замовлення: 13
AOSP36326CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V
на замовлення 81485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.81 грн
12+ 24.54 грн
100+ 17.03 грн
500+ 12.48 грн
1000+ 10.14 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOSP36326CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Power dissipation: 2.5W
Gate charge: 15nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 12A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+17.67 грн
29+ 11.89 грн
89+ 8.65 грн
244+ 8.18 грн
Мінімальне замовлення: 21
AOSP36326CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V
на замовлення 81000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.03 грн
6000+ 9.17 грн
9000+ 8.51 грн
30000+ 7.8 грн
75000+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSP36326CAlpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
товар відсутній
AOSP4000SRA Soldering ProductsDescription: MINI SOLDER POT SP4000, 160 WATT
Features: Ceramic Heater
Packaging: Box
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Analog
Base Unit: SP4000
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 160W
товар відсутній
AOSP62626EAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 30 V
товар відсутній
AOSP66406ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOSP66406Alpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
товар відсутній
AOSP66406ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 13A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.5nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
AOSP66920ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 13.5A; 3.1W; SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Technology: AlphaSGT™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
AOSP66920Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 46960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.34 грн
10+ 64.87 грн
100+ 50.47 грн
500+ 40.15 грн
1000+ 32.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOSP66920ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 13.5A; 3.1W; SO8
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 13.5A
On-state resistance: 8.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 50nC
Technology: AlphaSGT™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
товар відсутній
AOSP66920Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
AOSP66920Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.07 грн
6000+ 31.24 грн
9000+ 29.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSP66923Alpha & Omega Semiconductor100V N-Channel MOSFET
товар відсутній
AOSP66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+24.87 грн
6000+ 22.8 грн
9000+ 21.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSP66923Alpha & Omega Semiconductor100V N-Channel MOSFET
товар відсутній
AOSP66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
на замовлення 11279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.34 грн
10+ 47.37 грн
100+ 36.84 грн
500+ 29.3 грн
1000+ 23.87 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOSP66923ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOSP66923 SMD N channel transistors
товар відсутній
AOSP66925Alpha & Omega SemiconductorMedium Voltage MOSFETs (40V - 400V)
товар відсутній
AOSS21115CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
AOSS21115CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.31 грн
75+ 4.65 грн
100+ 4.11 грн
235+ 3.38 грн
640+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 40
AOSS21115CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.87 грн
6000+ 6.47 грн
9000+ 5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSS21115CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 20V; 4.5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.37 грн
45+ 5.79 грн
100+ 4.93 грн
235+ 4.06 грн
640+ 3.84 грн
Мінімальне замовлення: 25
AOSS21115CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
AOSS21115CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
AOSS21115CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 29449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.52 грн
13+ 21.26 грн
100+ 10.73 грн
500+ 8.92 грн
1000+ 6.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOSS21311CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.1 грн
14+ 19.75 грн
100+ 9.96 грн
500+ 8.28 грн
1000+ 6.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOSS21311CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 6000 шт
товар відсутній
AOSS21311CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
AOSS21311CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.64 грн
6000+ 22.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSS21311CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товар відсутній
AOSS21311CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+25.67 грн
6000+ 21.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSS21311CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
AOSS21319CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 36304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.84 грн
17+ 16.88 грн
100+ 8.5 грн
500+ 7.07 грн
1000+ 5.5 грн
Мінімальне замовлення: 12
AOSS21319CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.3W; SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
товар відсутній
AOSS21319CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.45 грн
6000+ 5.13 грн
9000+ 4.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSS21319CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.3W; SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
AOSS21319CAlpha & Omega SemiconductorP-Channel MOSFET
товар відсутній
AOSS21319CAlpha & Omega SemiconductorP-Channel MOSFET
товар відсутній
AOSS32136CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 38A; 800mW; SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 38A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+11.04 грн
55+ 6.29 грн
100+ 5.67 грн
185+ 4.31 грн
508+ 4.1 грн
Мінімальне замовлення: 34
AOSS32136CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 38A; 800mW; SOT23
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 38A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.8W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.25 грн
33+ 7.84 грн
100+ 6.81 грн
185+ 5.17 грн
508+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 20
AOSS32136CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 227257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.81 грн
14+ 20.51 грн
100+ 10.35 грн
500+ 8.61 грн
1000+ 6.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOSS32136CAlpha & Omega Semiconductor20V N-Channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSS32136CAlpha & Omega Semiconductor20V N-Channel MOSFET
товар відсутній
AOSS32136CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 225000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.64 грн
6000+ 6.25 грн
9000+ 5.53 грн
30000+ 5.13 грн
75000+ 4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSS32334CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 11160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.93 грн
6000+ 5.58 грн
9000+ 4.94 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSS32334CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
AOSS32334CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
AOSS32334CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 12180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.97 грн
15+ 18.32 грн
100+ 9.24 грн
500+ 7.69 грн
1000+ 5.98 грн
Мінімальне замовлення: 11
AOSS32334CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+10.31 грн
55+ 6.63 грн
100+ 5.95 грн
185+ 4.37 грн
505+ 4.1 грн
Мінімальне замовлення: 40
AOSS32334CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1910 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+12.37 грн
35+ 8.26 грн
100+ 7.14 грн
185+ 5.25 грн
505+ 4.92 грн
Мінімальне замовлення: 25
AOSS32338CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.64 грн
6000+ 5.19 грн
9000+ 4.49 грн
30000+ 4.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSS32338CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+12.29 грн
65+ 5.31 грн
100+ 4.78 грн
215+ 3.72 грн
590+ 3.51 грн
Мінімальне замовлення: 30
AOSS32338CAlpha & Omega Semiconductor30V N-Channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSS32338CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.3W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.75 грн
40+ 6.62 грн
100+ 5.73 грн
215+ 4.46 грн
590+ 4.22 грн
Мінімальне замовлення: 20
AOSS32338CAlpha & Omega Semiconductor30V N-Channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
AOSS32338CAlpha & Omega Semiconductor30V N-Channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSS32338CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 39642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.23 грн
13+ 21.05 грн
100+ 10.66 грн
500+ 8.16 грн
1000+ 6.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOSS62934Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
на замовлення 472003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.39 грн
13+ 21.19 грн
100+ 12.73 грн
500+ 11.07 грн
1000+ 7.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOSS62934ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOSS62934 SMD N channel transistors
на замовлення 5265 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
22+12.37 грн
135+ 7.22 грн
365+ 6.89 грн
Мінімальне замовлення: 22
AOSS62934Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній
AOSS62934Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
на замовлення 471500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.67 грн
6000+ 7.08 грн
9000+ 6.37 грн
30000+ 5.89 грн
75000+ 5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
AOSS62934Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
товар відсутній