Продукція > AOS

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
AOS 127FISCHER ELEKTRONIKDescription: FISCHER ELEKTRONIK - AOS 127 - Wärmeisolator, TO 127, Aluminiumoxidkeramik, 25 W/m.K, 3 mm, 10000000 MOhm-m
tariffCode: 85479000
Spannungsfestigkeit: 10kV/mm
rohsCompliant: YES
Wärmewiderstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Isolatoraußenmaterial: Aluminiumoxidkeramik
Durchbruchspannung Vbr: -
euEccn: NLR
Spezifischer Durchgangswiderstand: 10000000MOhm-m
Dicke: 3mm
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wärmeleitfähigkeit: 25W/m.K
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.82 грн
10+131.43 грн
25+96.38 грн
50+83.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 7841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+98.73 грн
10+92.67 грн
25+89.96 грн
100+83.30 грн
500+76.22 грн
1000+71.18 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; Thk: 3mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thickness: 3mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 7408 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.77 грн
20+66.57 грн
100+58.35 грн
800+54.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 7840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+86.46 грн
155+83.94 грн
161+80.60 грн
500+76.81 грн
1000+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 150
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247importdimensions: 25x21x3.0mm; with hole ?4mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 218 247; AOS218/247; Aluminium oxide wafers for TO218/TO247 (3.0mm) TPTO218/247cer
кількість в упаковці: 40 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+56.08 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 7408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
116+112.28 грн
130+100.21 грн
800+92.97 грн
Мінімальне замовлення: 116
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; Thk: 3mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thickness: 3mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7408 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+94.52 грн
20+82.96 грн
100+70.02 грн
800+65.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247 1Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+199.02 грн
66+196.92 грн
100+188.05 грн
500+172.33 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247 1Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+332.02 грн
44+299.43 грн
100+265.62 грн
1000+236.34 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247 1FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; 25W/mK
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+210.64 грн
20+175.87 грн
100+156.15 грн
1000+143.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247 1Fischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 218 2
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-218
Outline: 21.00mm x 25.00mm
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+149.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247 1Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m·K Aluminum
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+215.46 грн
10+213.31 грн
25+211.06 грн
100+201.55 грн
500+184.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 218 247 1FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO218,TO247; L: 21mm; W: 25mm; 25W/mK
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO218; TO247
Length: 21mm
Width: 25mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+252.77 грн
20+219.17 грн
100+187.38 грн
1000+172.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220FischerThickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 21068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
269+48.26 грн
275+47.16 грн
284+45.59 грн
500+43.56 грн
1000+39.61 грн
Мінімальне замовлення: 269
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220FischerThickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO220
Length: 12mm
Width: 18mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220Fischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 220
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO220
Length: 12mm
Width: 18mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 3.1mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 21068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+41.95 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220FischerThickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220FischerThickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm Fischer : AOS 220 Aluminium oxide wafers for TO220 18x12mm TPTO220cer
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+26.97 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 3Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 3Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 3Fischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 220 3
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0630" (1.600mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
Outline: 14.00mm x 19.30mm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.21 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 4Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+105.40 грн
185+70.27 грн
1000+53.00 грн
Мінімальне замовлення: 123
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 4Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+43.15 грн
303+42.72 грн
306+42.31 грн
500+40.38 грн
1000+37.01 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 4FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO220
Length: 12mm
Width: 18mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+92.40 грн
20+75.79 грн
100+48.62 грн
1000+36.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 4Fischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 220 4
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
Outline: 12.00mm x 18.00mm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+36.31 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 4Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+47.31 грн
17+45.10 грн
25+44.66 грн
100+42.63 грн
500+39.07 грн
1000+37.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 4FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO220; L: 12mm; W: 18mm; Thk: 1.5mm
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO220
Length: 12mm
Width: 18mm
Thickness: 1.5mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Mounting hole diameter: 4mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 3428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.00 грн
20+60.82 грн
100+40.52 грн
1000+30.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 SLFischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 220 S
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.177" (4.50mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TO-220
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
Outline: 14.00mm x 18.00mm
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+65.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220 SLFischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 220-3FischerThickness: 1,6mm; Dimensions: 19,2x13,9 (hole 3,7mm); 25W/m*K; Fischer : AOS 220 3; Aluminium oxide wafers for TO220 19x13mm TPTO220cer-3
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.15 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 247Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 247Fischerdimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 247Fischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 4253 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 314
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 247FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO247; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO247
Thickness: 1mm
Width: 23mm
Length: 20mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
на замовлення 13832 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+67.26 грн
11+37.72 грн
50+29.42 грн
200+27.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 247FISCHER ELEKTRONIKCategory: Heatsinks - equipment
Description: Heat transfer pad: ceramic; TO247; L: 20mm; W: 23mm; Thk: 1mm; 25W/mK
Type of heat transfer pad: ceramic
Application: TO247
Thickness: 1mm
Width: 23mm
Length: 20mm
Thermal conductivity: 25W/mK
Electrical insulation: 10kV/mm
Pad volume resistance: 100TΩ/cm
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13832 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.72 грн
10+47.01 грн
50+35.31 грн
200+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 247Fischerdimensions: 23x20x1,0mm, without a hole; 0,3 K/W; 25 W/m*K; Fischer: AOS 247; AOS247; Aluminium oxide wafers for TO247 (without a hole) TPTO247cer pelna
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+28.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3Fischerdimensions: 40,6x26,3x2,9mm; with holes 2=?4.8mm and 2=?4.8x4.2mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3; Aluminium oxide wafers for TO3 40,6x26,3mm TPTO3cer
кількість в упаковці: 4 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
12+69.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3FISCHER ELEKTRONIKAOS3 Heatsinks - equipment
на замовлення 380 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+223.03 грн
10+124.26 грн
26+117.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+202.53 грн
72+180.32 грн
100+159.60 грн
Мінімальне замовлення: 64
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 PFischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 3 P
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TOP-3
Outline: 17.50mm x 20.50mm
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 P 2Fischer ElektronikAluminium Oxide Wafers With Thickness 1.5mm
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+179.02 грн
80+163.33 грн
100+150.60 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 P 2Fischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 3 P 2
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0394" (1.000mm)
Thermal Resistivity: 0.3°C/W
Usage: TOP-3
Thermal Conductivity: 25W/m-K
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+99.55 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 P 2FISCHER ELEKTRONIKAOS3P2 Heatsinks - equipment
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+191.17 грн
11+116.37 грн
28+110.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 P SLFISCHER ELEKTRONIKAOS3PSL Heatsinks - equipment
на замовлення 3388 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+111.52 грн
18+67.06 грн
49+63.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 P SLFischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
133+97.36 грн
141+91.80 грн
Мінімальне замовлення: 133
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 P SLFischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 P SLFischerdimensions: 20,5x17,5x1,5mm, with hole ?3,1mm; 0,3 K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P SL; AOS 3 P-SL; Aluminium oxide wafers for TOP3 20x17mm TPTO3pcer SL
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+29.10 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3 P SLFischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 3 P S
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Rectangular
Thickness: 0.0591" (1.500mm)
Thermal Resistivity: 0.30°C/W
Usage: TOP-3
Outline: 17.50mm x 20.50mm
Thermal Conductivity: 9.0W/m-K
Adhesive: None
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 32FISCHER ELEKTRONIKAOS32 Heatsinks - equipment
на замовлення 311 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+119.06 грн
28+42.80 грн
76+40.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 32Fischer ElektronikThrml Mgmt Access Aluminium Oxide Wafer 0.3°C/W 25W/m.K Aluminium
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 3P2Fischerdimensions: 23x20x1mm; with hole ?3,6mm; 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 3 P 2; Aluminium oxide wafers for TOP3 23x20mm TPTO3pcer-2
кількість в упаковці: 4 шт
на замовлення 56 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
12+66.70 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AOS 66Fischer ElektronikDescription: Aluminium oxide wafers AOS 66
Packaging: Bulk
Material: Aluminum Oxide Ceramic
Shape: Round
Thickness: 0.0984" (2.500mm)
Thermal Resistivity: 0.3°C/W
Usage: TO-66
Thermal Conductivity: 25W/m-K
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+97.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOS-NGGMersen USA Newburyport-MA L.L.C.Description: MICRO-SWITCH W/GOLD CONTACTS
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS218/247 Керамічна прокладка 3мм 25x21 TO218/247
Код товару: 29478
Додати до обраних Обраний товар

FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна, 3мм 25х21мм, для ТО-218, ТО-247, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 21х25х3мм + отв.4,0мм, під корпус TO-218, TO-247
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
у наявності 50 шт:
50 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується 300 шт:
300 шт - очікується
1+55.00 грн
10+49.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS218/247/1 Керамічна прокладка 1,5мм 25x21
Код товару: 53560
Додати до обраних Обраний товар

FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-218, ТО-247; 1,5мм, 25х21мм, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 1,5мм, 25х21мм, під корпус ТО-218, ТО-247
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
у наявності 2 шт:
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+60.00 грн
10+55.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS218/247/1 Керамічна прокладка 1мм 25x20 TO218/247
Код товару: 131173
Додати до обраних Обраний товар

FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-218, ТО-247; 1мм, 25х21мм, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 1мм, 25х21мм, під корпус ТО-218, ТО-247
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
товару немає в наявності
1+48.00 грн
10+43.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220Fischer ElectronikПрокладка керамічна до ТО220; Розм = 12 x 18 x 1,5 мм; Теплопров. = 25 Вт/мК; Ел. ізол. = 10 кВ/мм; 12x18x1.5mm
на замовлення 100 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:12mm; W:18mm; D:2mm
Код товару: 214305
Додати до обраних Обраний товар

FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:2mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 12х18х2мм + отв.3,1мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
у наявності 295 шт:
295 шт - склад
1+30.00 грн
10+27.00 грн
100+24.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:12mm; W:18mm; D:1.5mm
Код товару: 42354
Додати до обраних Обраний товар

FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:12mm; W:18mm; D:1.5mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 12х18х1,5мм + отв.3,1мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
у наявності 131 шт:
130 шт - склад
1 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується 20 шт:
20 шт - очікується
1+28.00 грн
10+25.20 грн
100+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm, H:2mm
Код товару: 204993
Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Розмір: 19,2х13,9х2мм + отв.3,2мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
у наявності 10 шт:
10 шт - склад
1+36.00 грн
10+35.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220 Керамічна прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm; H:1mm
Код товару: 165257
Додати до обраних Обраний товар

FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Розмір: 19,2х13,9х1мм + отв.3,7мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
товару немає в наявності
1+26.00 грн
10+23.50 грн
100+21.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220-3 Керамічна прокладка TO220; L:19,2mm; W:13,9mm, H:1,6mm
Код товару: 216162
Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-220, L:19,2mm; W:13,9mm; 25Вт/мК, електрична ізоляція 10кВ/мм
Розмір: 19,2х13,9х1,6мм + отв.3,7мм, під корпус TO-220
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
у наявності 39 шт:
39 шт - склад
1+40.00 грн
10+36.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220-4FischerThickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm (hole 4mm); Replacement: Fischer AOS 220 4; AOS220/4; AOS 220-4; Aluminium oxide wafers for TO220 TPTO220cer-4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220-4FischerThickness: 1,5mm; Dimensions: 18x12mm (hole 4mm); Replacement: Fischer AOS 220 4; AOS220/4; AOS 220-4; Aluminium oxide wafers for TO220 TPTO220cer-4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+35.47 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220/4 Прокладка теплопроводящая: керамическая: TO220: L:12мм: W:18мм. Диаметр монтажного отверстия 4 мм
Код товару: 112401
Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220/4; (18х12х1.5 мм); оксид алюминия; ТО-220; 10kV/mm; Теплопров.:25Вт/м*К; FISCHER (шт)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
9+34.50 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220SLFischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.14 грн
10+125.11 грн
25+118.05 грн
50+111.29 грн
100+98.08 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220SLFischer ElektronikThrml Mgmt Access Thermal Pad 0.3K/W 25W/m.K Aluminum Oxide
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS220SLFischerThickness: 4,5mm; Dimensions: 18x14mm (hole 3,5mm); Fischer : AOS 220 SL; Aluminium oxide wafers for TO220 18x14mm TPTO220cer SL
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
15+48.22 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
AOS247 Керамічна прокладка TO-247
Код товару: 35986
Додати до обраних Обраний товар

FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-247, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 20х23х1мм, під корпус TO-247
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
у наявності 152 шт:
141 шт - склад
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
1 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+25.00 грн
10+22.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS32FischerDimensions: 11x8x1.5mm; with a hole ?3.1mm; 0.3K/W; 25W/m*K; Fischer: AOS 32; Aluminium oxide wafers for SOT32 TPSOT32cer
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+38.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOS32FISCHER ELEKTRONIK GmbH und Co. KGТеплопроводящая прокладка керамическая, TO126, L=11мм, W=8мм, монт. отверствие 3,1мм
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS32 прокладка керамічна
Код товару: 75513
Додати до обраних Обраний товар

Ізоляційні матеріали
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS322N-BIDECDescription: TWS
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS322N-BIDECIndustrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators TWS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS322N-RIDECDescription: (TWS)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS322N-RIDECIndustrial Panel Mount Indicators / Switch Indicators (TWS)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOS3PFischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.15 грн
12+64.45 грн
25+62.75 грн
100+58.40 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
AOS3PFischerdimensions: 20,5x17,5x1,5mm; with hole ?3,1mm (cut corners); 0,3K/W; 25W/m*K; Fischer : AOS 3 P; Aluminium oxide wafers for TO3P 20,5x17,5mm TPTO3pcer
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOS3PFischer ElektronikThermally Conductive Gap Thermal Pads
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOS3P прокладка керамічна для TO3P; L:17.5mm; W:20.5mm
Код товару: 41939
Додати до обраних Обраний товар

FisherІзоляційні матеріали
Група: Прокладка теплопровідна
Опис: Прокладка теплопровідна керамічна для ТО-3Р, L:17.5mm; W:20.5mm, 25Вт/мК, 10кВ/мм
Розмір: 17,5х20,5х1,5мм + відв.3,1мм, під корпус TO-3P
Матеріал: Кераміка
Колір: білий
товару немає в наявності
1+22.50 грн
10+19.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOS3P2 прокладка керамическая для TO3P; L:20mm; W:23mm; D:1mm
Код товару: 112773
Додати до обраних Обраний товар

Корпусні та встановлювальні вироби > Аксесуари до корпусів
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSB11355207+
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD21307Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.03 грн
10+52.37 грн
100+34.62 грн
500+25.34 грн
1000+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD21307Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD21311CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+17.11 грн
6000+15.20 грн
9000+14.55 грн
15000+12.97 грн
21000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD21311CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 47195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.13 грн
10+41.64 грн
100+27.20 грн
500+19.72 грн
1000+17.84 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD21313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+21.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD21313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 7396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.72 грн
10+50.52 грн
100+33.37 грн
500+24.38 грн
1000+22.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD26313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 5.7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V, 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V, 32mOhm @ 5.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA, 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD26313CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOSD26313C Multi channel transistors
на замовлення 2962 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+31.76 грн
90+13.02 грн
247+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD32334CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.01 грн
6000+8.81 грн
9000+8.38 грн
15000+7.42 грн
21000+7.16 грн
30000+6.90 грн
75000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD32334CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 86186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.78 грн
12+25.96 грн
100+16.61 грн
500+11.81 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD32338CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666EAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 27231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.38 грн
10+68.34 грн
100+45.73 грн
500+33.83 грн
1000+30.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666EALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOSD62666E Multi channel transistors
на замовлення 724 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+74.24 грн
44+27.12 грн
119+25.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666EAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 9.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+30.10 грн
6000+26.99 грн
9000+26.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSD62666EAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSGL.SET.1SRA Soldering ProductsDescription: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
Packaging: Box
Diameter: Assorted
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2611.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOSGL.SET.2SRA Soldering ProductsDescription: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Part Status: Active
Tip Chip Size: Single
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3835.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOSGL.SET.3SRA Soldering ProductsDescription: HOT AIR REWORK SINGLE NOZZLE SET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSN21319CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 6699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+44.55 грн
12+26.63 грн
100+17.08 грн
500+12.17 грн
1000+10.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOSN21319CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.33 грн
6000+9.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSN32338CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 3.7A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 51mOhm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSOP.SETSRA Soldering ProductsDescription: SOP NOZZLE SET FOR HOT AIR REWOR
Packaging: Box
Length: Assorted
Width: Assorted
Height: Assorted
Tip Shape: Nozzle
Tip Type: Rework (Hot Air)
Tip Chip Size: SOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP1800SRA Soldering ProductsDescription: MINI SOLDER POT SP1800, 120 WATT
Features: Ceramic Heater
Packaging: Box
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Analog
Base Unit: SP1800
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 120W
Part Status: Active
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6853.02 грн
5+5988.69 грн
10+5743.50 грн
25+5134.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP1800-220VSRA Soldering ProductsDescription: SP1800 MINI SOLDER POT
Packaging: Box
Features: Ceramic Heater, ESD Safe
Voltage - Input: 220VAC
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Includes: Crucible Pot
Workstand: Included, Not Specified
Control/Display Type: Analog
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 120W
Supplied Iron, Tweezer, Handle: Included, Not Specified
Supplied Tips/Nozzles: Included, Not Specified
Number of Channels: 1
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7636.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP2000+SRA Soldering ProductsDescription: LEAD FREE SOLDER POT SP2000+ WIT
Packaging: Box
Features: Ceramic Heater, ESD Safe
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 896°F (200°C ~ 480°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Digital
Base Unit: SP2000+
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 600W
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21307Alpha & Omega SemiconductorP-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21307Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 14A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1995 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21311CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.19 грн
6000+14.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21313CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 7A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 6811 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.06 грн
10+39.65 грн
100+25.86 грн
500+18.70 грн
1000+16.91 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+22.30 грн
25+16.49 грн
100+14.10 грн
500+12.62 грн
3000+11.93 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -8.5A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -8.5A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.59 грн
32+13.23 грн
100+11.75 грн
500+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 11A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21321Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 15 V
на замовлення 2830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.16 грн
10+29.66 грн
100+19.14 грн
500+13.70 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21357Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V
на замовлення 2109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.98 грн
10+70.78 грн
100+47.49 грн
500+35.19 грн
1000+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21357Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 16A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP21357Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2830 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32314Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 14.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32314Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 15 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.36 грн
10+41.20 грн
100+26.95 грн
500+19.53 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32314Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32320CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 8566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.00 грн
10+31.51 грн
100+20.39 грн
500+14.62 грн
1000+13.16 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32320CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; 2.5W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 20nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 22mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32320CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32368Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32368Alpha & Omega Semiconductor30V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32368Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 15 V
на замовлення 3122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.84 грн
10+33.95 грн
100+22.00 грн
500+15.82 грн
1000+14.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP32368ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOSP32368 SMD N channel transistors
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+74.24 грн
60+19.72 грн
163+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP36326CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.81 грн
6000+9.53 грн
9000+9.08 грн
15000+8.05 грн
21000+7.77 грн
30000+7.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP36326CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOSP36326C SMD N channel transistors
на замовлення 2942 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
16+21.03 грн
112+10.45 грн
307+9.86 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP36326CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 542 pF @ 15 V
на замовлення 30957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.09 грн
11+27.74 грн
100+17.81 грн
500+12.71 грн
1000+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP4000SRA Soldering ProductsDescription: MINI SOLDER POT SP4000, 160 WATT
Packaging: Box
Features: Ceramic Heater
Voltage - Input: 110V
Temperature Range: 392°F ~ 752°F (200°C ~ 400°C)
Type: Solder Pot
Control/Display Type: Analog
Base Unit: SP4000
Plug Type: Included, Not Specified
Wattage: 160W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP62530Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 63mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP62626EAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66406Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66406ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOSP66406 SMD N channel transistors
на замовлення 1884 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+72.22 грн
78+15.19 грн
212+14.30 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66919Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66920Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 18169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.90 грн
10+75.22 грн
100+50.56 грн
500+37.55 грн
1000+34.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66920Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 13.5A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66920Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 13.5A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.56 грн
6000+30.15 грн
9000+30.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.01 грн
10+58.65 грн
100+39.01 грн
500+28.69 грн
1000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 12A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66923Alpha & Omega Semiconductor100V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSP66925Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21115CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 8406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.49 грн
16+18.71 грн
100+11.89 грн
500+8.36 грн
1000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21115CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21115CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 10 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.98 грн
6000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21115CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 4.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21115CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOSS21115C SMD P channel transistors
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
19+17.31 грн
210+5.72 грн
570+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21311CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.96 грн
17+17.75 грн
100+11.26 грн
500+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21311CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.43 грн
6000+25.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21311CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.3A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21311CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21311CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 4.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+33.67 грн
6000+27.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21319CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 15822 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
19+15.90 грн
100+10.00 грн
500+6.99 грн
1000+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21319CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.79 грн
6000+5.05 грн
9000+4.78 грн
15000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS21319CAlpha & Omega SemiconductorP-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32136CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 38A; 800mW; SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 38A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
23+14.02 грн
38+8.30 грн
100+7.20 грн
500+6.41 грн
3000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32136CAlpha & Omega Semiconductor20V N-Channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32136CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 84010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.72 грн
17+18.12 грн
100+11.46 грн
500+8.06 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32136CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; Idm: 38A; 800mW; SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 14nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 0.8W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Pulsed drain current: 38A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
38+11.68 грн
62+6.66 грн
100+6.00 грн
500+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32136CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 10 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.72 грн
6000+5.87 грн
9000+5.57 грн
15000+4.90 грн
21000+4.71 грн
30000+4.53 грн
75000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32334CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 6.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32334CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32334CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+13.63 грн
50+8.79 грн
100+7.97 грн
500+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32334CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 20mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 6.2A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+16.36 грн
30+10.96 грн
100+9.57 грн
500+8.38 грн
3000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32334CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 6.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 15 V
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+28.42 грн
18+16.72 грн
100+10.59 грн
500+7.42 грн
1000+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32338CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
на замовлення 555 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+13.10 грн
75+5.62 грн
100+5.05 грн
500+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32338CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.11 грн
6000+6.36 грн
9000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32338CALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.3W; SOT23
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 16nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 555 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+15.72 грн
45+7.01 грн
100+6.07 грн
500+5.36 грн
3000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32338CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.54 грн
6000+4.82 грн
9000+4.56 грн
15000+4.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32338CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32338CAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.61 грн
6000+6.82 грн
9000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS32338CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 15 V
на замовлення 17061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.12 грн
20+15.24 грн
100+9.59 грн
500+6.69 грн
1000+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS62934Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS62934Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
на замовлення 165778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.64 грн
14+22.19 грн
100+14.12 грн
500+10.00 грн
1000+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS62934Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.79 грн
6000+9.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS62934Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 50 V
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.42 грн
6000+7.39 грн
9000+7.02 грн
15000+6.20 грн
21000+5.97 грн
30000+5.75 грн
75000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS62934ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORAOSS62934 SMD N channel transistors
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
32+10.10 грн
227+5.16 грн
623+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
AOSS62934 LK.ALPHA&OMEGATrans MOSFET N-CH 100V 2A 3-Pin SOT-23 AOSS62934; REPLACEMENT HTSEMI PTL03N10; AOSS62934 TAOSS62934
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AOSX21319CAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 2.6A SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOSX32128Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: SINGLE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.